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公开(公告)号：CN116565013A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310227566.7
申请日：2023-03-10
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了自旋场效应晶体管及其制备方法，晶体管的沟道材料使用由二维过渡金属硫族化合物与低自旋轨道耦合(SOC)的半导体材料构成的II型半导体异质结。晶体管的源极采用非磁性金属形成欧姆接触，漏极采用铁磁金属/超薄介质材料构成磁性隧穿电极，而栅极采用包含非磁金属/栅绝缘层的金属‑氧化物‑半导体结构。通过圆偏振光照射半导体沟道，在TMDC导带中产生高自旋极化率的电子，并通过异质结界面迁移到低SOC半导体层中。在自旋输运过程中，自旋极化方向受到栅极电压的调制，并通过漏极检测自旋方向，使器件呈现不同的电阻状态。本发明还提供了上述异质结的制备方法。
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公开(公告)号：CN108767107B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810559006.0
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。
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公开(公告)号：CN108707875B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201810541023.1
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , C23C16/455 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B29/46
Abstract: 本发明公开了一种二维材料生长装置及其接头，以及运用装置的生长方法和制备的组分可调二维材料，包括层状二维材料及其异质结和非层状二维薄膜材料，进一步包括多元二维材料、组分可调的二维混晶材料和二维异质结材料，所述异质结包括单层或多层的垂直异质结和侧向异质结。本发明装置和方法创造性地在CVD生长设备上设计多个可观察的、可独立控制加热温度和时间、可准确控制蒸发源材料通断的蒸发源加热腔，从而提高了二维材料组分和异质结界面的可控性，很好地改善了管式CVD炉多温区蒸发源之间温度的互相影响，解决了二维材料生长过程中元素组分不易调控和异质结界面互扩散的问题，提高二维材料及其异质结的生长效率和晶体质量。
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公开(公告)号：CN108732791A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810558544.8
申请日：2018-06-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种极化率可控的可变波长二维旋光器件及其制备方法，涉及波长连续可调的旋光的产生和极化率的调控。该器件基于III-VI族硫属化物二维材料与铁磁金属团簇异质结构，铁磁金属层经由界面耦合效应向III-VI族硫属化物二维材料注入自旋极化载流子，通过控制铁磁金属层中铁磁金属团簇的形貌及尺度，调节铁磁金属团簇内部磁矩方向以及与III-VI族硫属化物二维材料的磁耦合效应；进一步通过外加垂直电场调节III-VI族硫属化物二维材料的带隙宽度，使器件在入射光激发下产生具有可控自旋极化率，且波长从紫外到红外的宽波段范围内连续可调的旋光效应。
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公开(公告)号：CN108682703A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810540087.X
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0264 , H01L33/26 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种全电学调控的自旋发光探测一体器件，所述n型或p型III族氮化物设置于基底的上表面，第一导电电极和磁性MnPX3二维晶体分别位于所述n型或p型III族氮化物的上表面；所述第二导电电极和绝缘介质层分别设置于磁性MnPX3二维晶体的上表面；所述栅电极设置于绝缘介质层的上表面；通过控制III族氮化物的掺杂类型和掺杂浓度，通过调控栅压对磁性MnPX3二维晶体进行静电掺杂，使器件具有I型和II型的可调能带结构和带隙宽度，使得器件在I型能带结构的栅压范围内产生具有可控极化率的旋光效应，在II型能带结构的栅压范围内且在入射光激发下产生具有可控极化率的光电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118076215A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410220448.8
申请日：2024-02-28
IPC: H10N70/00
Abstract: 本发明公开了一种横向忆阻器的极性调控方法，该横向忆阻器由从下至上依次设置的衬底、阻变功能层、两端金属电极构成，所述阻变功能层材料为半导体二维材料。本发明的极性调控方法为控制等离子体对阻变功能层材料的处理程度，通过增强处理程度使器件的性能转变或稳定为单极性，并且降低开启电压和延长循环寿命。本发明可有效提升该类忆阻器的性能，拓宽该类忆阻器的应用场景，促进基于二维材料的忆阻器在大规模神经网络运算电路中的应用。
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公开(公告)号：CN108735806A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810540985.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种产生可控极化率的自旋电流的结构，该结构在基板上依次设置具有等离子激元金属材料的增强光吸收层、III-VI族硫属化物二维材料、具有铁磁金属团簇的铁磁金属层、沟道电极、BN二维材料保护层；采用激光垂直入射至该结构中，并通过III-VI族硫属化物二维材料表面的等离子激元金属材料增强光吸收效率，激发由铁磁金属层注入到III-VI族硫属化物二维材料的自旋极化电子的跃迁，经由与III-VI族硫属化物二维材料连接的沟道回路产生自旋电流；并可通过控制铁磁金属团簇的形貌及尺度，控制自旋电流的极化率。
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公开(公告)号：CN119892353A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510016145.9
申请日：2025-01-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自旋LED芯片的量子密钥分发系统，包括：发送端，利用自旋LED芯片发送不同偏振态的偏振光；接收端，利用检测基光路对发送端发送的偏振光进行相位调制，利用检测电路对调制后的光信号进行检测，根据检测结果确认本次通信是否产生密钥；是则根据事先约定的规则将相位变化所对应的测量基转换为0或1；通过输出端输出生成的一串01序列作为密钥。本发明使用自旋LED集成芯片产生可控偏振光信号，通过自旋调控产生特定偏振态的光信号，并利用光电探测器将相位调制后的偏振光信号转换为电信号，可在高速、高带宽的光通信系统中实现更稳定、更安全的信号传输；也为未来的光计算和量子信息处理提供了可能性。
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公开(公告)号：CN119063832A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411559845.4
申请日：2024-11-04
Applicant: 厦门大学
IPC: G01H9/00
Abstract: 本发明涉及一种基于多芯光纤的二维微弱振动探测仪及实时分析方法，属于微弱振动测量技术领域，通过一束激光出射后，经过连接振动源的凹面反射镜反射，反射光分光后分别在单芯光纤与四芯光纤端面进行耦合。当振动源带动反射镜振动时，反射光斑将发生偏移，从而改变光与光纤的耦合效率。光纤出射端则连接探测器，探测到出射光功率大小及分布后，通过数据采集卡导入电脑端进行自动化的采集与数据处理。本实验以光斑‑单芯光纤最大耦合位置作为基准矫正测量零点，设计光路通过反射镜引起光斑移动，再通过出射光光功率与反射镜位移之间的映射关系进行静态定标，从而获得耦合效率与反射镜位置的定量关系，由此实现动态振动的位移、频率的实时测量。
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公开(公告)号：CN118302029A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410407077.4
申请日：2024-04-07
Abstract: 本发明公开了一种SOT器件及其制备方法，SOT器件包括SOT耦合层以及设置在SOT耦合层上方的磁隧道结；磁隧道结包括铁磁自由层、势垒层与铁磁固定层由下至上依次层叠形成；SOT耦合层用于产生使磁隧道结内磁化翻转的自旋轨道矩，包括III族氮化物衬底与二维Janus过渡金属硫族化合物，利用III族氮化物原位多物理场调控Janus TMDC材料的Rashba效应；SOT耦合层中二维Janus过渡金属硫族化合物与磁隧道结的铁磁自由层相接触。本发明相比于传统器件提升了SOT效率，大幅降低器件阈值电流密度。
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