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公开(公告)号：CN119401984A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411457519.2
申请日：2024-10-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI衬底具有缺陷地结构的微机械阻抗匹配网络调谐器及其制作方法，本发明的调谐器器件采用了SOI作为衬底，能够有效的降低损耗，器件结构依次对称的排在信号线的两侧，一端是信号输入端，另一端是信号输出端；六个高阻偏压垫各自分置于器件的两端，信号线的两侧对称的是两条传输线，在其信号线的上面有两种DGS结构，并且MEMS桥架构于其上，通过导线和信号线并联连接，通过MEMS桥的开关达到电容可变及有效介质的值来实现阻抗的可变；位于信号线的上的两种DGS结构使得结构紧凑，并且能够调节阻抗。
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公开(公告)号：CN117038811A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311011316.6
申请日：2023-08-11
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种倒装结构的表面等离激元耦合的深紫外AlGaN基发光二极管。所述深紫外LED器件至少包含：衬底、n型半导体层、有源层、p型半导体层、Al纳米光栅，其特征在于：位于所述有源层附近的金属Al纳米光栅结构，与有源层中电子‑空穴对发生耦合，可以增强LED器件的辐射复合效率以及改变发射光的透射率，所述衬底具有粗糙的下表面，可以增强LED器件的光提取效率，从而改善深紫外氮化物发光二极管的光学性能。
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公开(公告)号：CN109786241B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910108427.6
申请日：2019-02-03
Applicant: 南通大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种微损伤减缓铝蚀刻侧腐的方法，包括以下步骤：S1、使用光刻胶作为掩膜，利用刻蚀气体在金属表面刻蚀，形成槽；S2、利用氧化气体对槽壁和槽底的金属进行氧化，形成金属氧化物；S3、利用刻蚀气体对槽底的金属氧化物进行刻蚀，去除所述槽底的金属氧化物，保留槽壁的金属氧化物；S4、重复步骤S2和S3，直到刻槽深度达到要求为止。本发明通过循环次数来控制刻蚀深度，利用反应离子刻蚀机（RIE）刻蚀材料时是各向异性的特点，侧壁的刻蚀作用低于Bias方向。因此在刻蚀时，底部的金属氧化物被受到较强的轰击作用，很容易被刻蚀掉，而对侧壁的金属氧化物刻蚀作用非常小。故，侧壁的金属氧化物得以保留，防止内部的金属被刻蚀，从而能够控制线宽。
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公开(公告)号：CN109950374B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201910262252.4
申请日：2019-04-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有InxAl1‑xN插入层，且InxAl1‑xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。本发明通过利用InxAl1‑xN插入层结构设计，降低TM主导的跃迁能级的电子‑空穴交叠积分，显著地增强TE模的自发辐射效率，提高c面深紫外LED的光抽取效率。
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公开(公告)号：CN109950374A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910262252.4
申请日：2019-04-02
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有InxAl1-xN插入层，且InxAl1-xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。本发明通过利用InxAl1-xN插入层结构设计，降低TM主导的跃迁能级的电子-空穴交叠积分，显著地增强TE模的自发辐射效率，提高c面深紫外LED的光抽取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109524519A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811546510.3
申请日：2018-12-18
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明氮化物量子阱结构发光二极管，由下至上依次包括：N型氮化物半导体、量子阱和P型氮化物半导体，量子阱为多量子阱结构，由垒层与阱层交叠构成，阱层由下至上包含有AlxGa1-xN层和InyAl1-yN层，其中，0.9≥x≥0.4，0.35≥y≥0.04。本发明通过设计一种type-II型能带排列的量子阱结构，提高TE偏振的发光强度，从而提高沿c轴生长的深紫外LED的光抽取效率。
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公开(公告)号：CN106409939A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610998201.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/184 , H01L31/1868
Abstract: 本发明公开了平面型侧向收集结构铟镓砷红外探测器芯片的制备方法，步骤包括：1)外延材料清洗，2)淀积氮化硅扩散掩膜，3)第一次光刻，4)开扩散窗口，5)光刻胶剥离，6)闭管扩散，7)开管取片，8)第二次光刻，9)生长P电极，10)光刻胶剥离，11)淀积二氧化硅增透膜，12)P电极退火，13)第三次光刻，14)开P电极孔，15)光刻胶剥离，16)第四次光刻，17)加厚P电极，18)光刻胶剥离，19)背面抛光，20)生长N电极，21)划片。本发明制备方法制得的芯片减小了光敏元的扩散区域，可有效地减少扩散带来的热损伤，并引入双层钝化工艺减小表面复合，增加少数载流子的寿命、降低器件的暗电流和盲元率、提高探测器的探测率。
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公开(公告)号：CN118157611A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410297821.X
申请日：2024-03-15
Applicant: 南通大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明公开了一种含聚酰亚胺可变电容的微机械可重构阻抗匹配网络，包括衬底，以及分布在衬底上的分布式MEMS传输线、多个聚酰亚胺可变电容、多个高阻偏压线、多个偏压垫、第一信号传输线、第二信号传输线、信号输入端和信号输出端；聚酰亚胺可变电容通过导线与分布式MEMS传输线并联连接，通过改变多个聚酰亚胺可变电容的值对微机械可重构阻抗匹配网络的阻抗进行调节。本发明的器件整体结构紧凑简单、尺寸微小、隔离度好、控制电路功耗低、工作频率高；可与传统的IC工艺部分兼容，工艺简单成熟，成本低廉，适合于批量生产；并且损耗较低，能够有效提高匹配网络的性能。
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公开(公告)号：CN115418641A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211097226.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开了一种金属材料超疏水防腐表面的制备方法，属于金属材料表面改性技术领域。其技术方案为：镁合金表面喷砂处理、激光刻蚀表面形成沟槽网格结构；CuCl2溶液刻蚀表面形成纳米级稻壳状的特殊结构；经氨水浸泡和高温氧化后，生成的纳米级稻壳状结构更加立体饱满；再经硬脂酸溶液修饰，表面能有效降低。本发明通过激光和化学复合刻蚀并结合硬脂酸修饰的制备方式，在镁合金表面构造出微米级沟槽网格和纳米级稻壳状的复合结构，结构更加稳定，且表面具有良好的超疏水性能，耐腐蚀性能也显著提升，能够对金属提供一定的保护。
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公开(公告)号：CN114290000A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111650394.1
申请日：2021-12-30
Applicant: 南通大学
IPC: B23P15/00 , B23K26/362 , B23K26/60 , C25D11/30 , C23C22/02
Abstract: 本发明提供了一种金属表面自清洁超疏水微纳双微观结构的制备方法，属于金属材料表面改性技术领域。其技术方案为：包括以下步骤：(1)镁合金表面喷砂处理；(2)激光刻蚀处理；(3)阳极氧化处理。本发明的有益效果为：本发明通过激光表面刻蚀技术与阳极氧化处理相耦合的方法，在镁合金表面制备出一种微观尺度凹凸粗糙与沟槽相互排列的特殊结构。该复合制备方法所获得的镁合金表面具有良好的超疏水能力、低粘附性和自清洁能力，同时显著提高了其耐腐蚀性能，扩展了镁合金的应用领域。
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