一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN110436934B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN201910617455.0

    申请日:2019-07-09

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供了一种高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线的制备方法,属于非氧化物陶瓷材料的制备技术领域。本发明将一定粒径的硅粉在无任何稀释剂、金属及金属盐催化剂的条件下,通过氨气预处理后将氮化气氛转换为氮氢氩混合气,在慢速升温、分段保温、逐步降低辅助氩气的条件下反应生成高α相氮化硅堆积体软块,其上覆有大量超长氮化硅纳米线,将超长氮化硅纳米线剥离后,将疏松堆积体软块通过细化处理可获得高α相氮化硅粉体。本发明可以在无任何添加剂的情况下,通过硅粉氮化直接同步制备高α相氮化硅粉体、超长氮化硅纳米线。

    一种高导热聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115368734B

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202211038777.8

    申请日:2022-08-29

    Abstract: 本发明公开了一种高导热聚酰亚胺复合薄膜材料的制备方法,将二维氮化硼纳米片和三维氮化硼空壳分别在含有表面改性剂的醇水溶液中浸润改性、过滤、干燥,获得表面改性的二维氮化硼纳米片和三维氮化硼空壳;将经表面改性的二维氮化硼纳米片和三维氮化硼空壳按一定配比加入聚酰亚胺前驱体—聚酰胺酸胶液中,经充分混合均匀、过滤、真空脱泡、涂覆成膜和高温亚胺化等工序,制备高面外导热率的聚酰亚胺复合薄膜。二维氮化硼纳米片和三维氮化硼空壳的复合添加,可在聚酰亚胺复合薄膜材料中构筑三维热传导通路,在改善聚酰亚胺薄膜面内导热率的(56)对比文件Chen Yuanpeng等.Growth andcharacterization of porous sp2-BN filmswith hollow spheres under hydrogenetching effect via borazane thermal CVD.《Applied Surface Science》.2018,第452卷314-321.

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