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公开(公告)号：CN103952685A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410147401.X
申请日：2014-04-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法，该生长气路包括：第一管路，第二管路，第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置；生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分开输运到不同生长区域的气路设置，克服了传统生长方法中将它们合并输运到衬底表面所带来的诸多不足，用全新的生长机理实现全系列x,y值的InxGa(1-x-y)AlyN材料体系的快速生长，且生长的温度与气压参数窗口变大，尤其能实现镁的快速δ掺杂。
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公开(公告)号：CN103647005A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310640524.2
申请日：2013-12-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L21/02005 , B28D5/0005 , H01L33/0066 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种用于AlGaInN材料体系薄膜生长的分割图形蓝宝石衬底，包括蓝宝石衬底本体，图形分割槽将蓝宝石衬底本体的上表面分割成多个相互独立的重复的图形单元，图形单元为AlGaInN材料的生长平台。蓝宝石衬底本体为平面蓝宝石衬底本体或图形蓝宝石衬底本体。图形分割槽为沟槽型图形分割槽或第二介质型图形分割槽。本发明的分割图形衬底是通过沟槽或第二介质将蓝宝石衬底分割成一个个相互独立的、互不相连的图形单元。这种被分割开来的AlGaInN外延薄膜能大大提升LED的波长均匀性，提高LED外延片的良率，并大大降低AlGaInN外延薄膜与蓝宝石衬底之间由于激光剥离带来的巨大热应力以及热冲击，可大大提升激光剥离的合格率，提升蓝宝石衬底垂直结构LED芯片的良率。
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公开(公告)号：CN108447854B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201810299136.5
申请日：2018-03-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/58
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片的封装模块及其制备方法，LED芯片的封装模块包括四颗LED芯片、基板、固晶层、引线和一次光学透镜；四颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，四颗LED芯片的发光面均为1/4圆扇形，四颗LED芯片呈圆周分布键合到基板上，四颗LED芯片发光面组成圆形；一次光学透镜将四颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上。二次光学系统直接安装在一次光学透镜上，四颗1/4圆扇形发光面的LED芯片组合得到圆形发光面，与二次光学系统完全匹配。本发明具有能实现LED芯片发光与光学系统的最大化耦合、提高光源模块的出光效率、制备方法简单、易实现、结构简单、成本低廉的优点，解决了LED芯片封装模块与同轴光学系统之间的光耦合效率问题。
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公开(公告)号：CN110246831B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910433150.4
申请日：2019-05-23
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L23/60 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构，依次包括：III族氮化物半导体外延结构前端部分、AlxGa(1‑x)N抗静电层和III族氮化物半导体外延结构后续部分，III族氮化物半导体外延结构前端部分内的穿透位错线位置处形成由平面和倒六角锥状坑组成的倒六角锥结构，AlxGa(1‑x)N抗静电层形成于所述倒六角锥结构之上。AlxGa(1‑x)N抗静电层在倒六角锥状坑侧壁的厚度显著大于其在平面上的厚度，且在倒六角锥状坑锥底位置填充了AlxGa(1‑x)N并形成一个平台，使得穿透位错线在倒六角锥状坑底部附近形成远高于倒六角锥结构平面位置的电阻，从而大幅提升III族氮化物半导体外延结构的抗静电性能，使之接近无穿透位错的III族氮化物应有的高抗静电能力。
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公开(公告)号：CN108305920B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109273573B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811235636.9
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN110197861A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN108198926A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810093125.1
申请日：2018-01-31
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0062 , H01L33/38 , H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片及其制备方法，该发光二极管芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极。本发明采用的P面反射欧姆接触层，同时具备光反射和欧姆接触功能；通过P面反射欧姆接触层的区块化，通过优化区块的间隔距离和N电极的宽度，可以抑制N电极对应区域电流注入集中问题，有效减少N电极遮挡效应。本发明具有能有效提高电光转换效率、结构简单等优点。
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公开(公告)号：CN105742450B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN107188114A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710351836.X
申请日：2017-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于主动制冷液滴凝结的表面微结构制备方法，它通过主动制冷的液滴凝结技术，使置于一定蒸气环境下的聚合物表面温度低于环境温度，从而空气中的蒸气在聚合物表面成核，凝结长大并自组装成均匀分布的液滴，采用紫外固化实现聚合物固化和液滴蒸发，在聚合物表面得到均匀分布的微结构。本发明仅仅采用单相的聚合物材料，采用主动制冷实现聚合物温度降低，实现液滴凝结，用于替代传统的利用有机溶剂挥发制冷的表面微结构制备技术，简化了制备工艺，避免了由于有机溶剂使用带来的对人体的毒害以及环境污染等问题，具有工艺简单、成本低、微结构尺寸和形貌灵活可控和绿色环保的优点。
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