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公开(公告)号：CN105428538A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510945020.0
申请日：2015-12-17
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , B82Y30/00 , H01L51/4253 , H01L51/426
Abstract: 一种具有纳米颗粒密堆积结构的有机太阳电池，以非晶态的锗纳米颗粒作为给体，富勒烯衍生物PC70BM作为受体，给-受体形成“核-壳”结构。锗纳米颗粒采用低成本的平板电容耦合等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备而成，紧密堆积于电池的活性层中。本发明的优点在于：宽光谱吸收、高吸收系数、高载流子迁移率的锗纳米颗粒取代传统的聚合物，为有机电池的制备提供一种新的给体材料。
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公开(公告)号：CN101724901B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910244845.4
申请日：2009-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的退火晶化工艺、氢等离子体晶化与钝化工艺合二为一，并且降低了铝诱导晶化的退火时间，减少了热预算，可以较显著地降低成本；本发明通过氢等离子体氛围铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜材料，可用于制备多晶硅薄膜太阳电池、平板显示器件中的低温多晶硅薄膜晶体管等器件，具有工艺简化、热预算少、成本低等特点，是一种适用于大规模工业生产的多晶硅薄膜材料的晶化方法。
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公开(公告)号：CN102263014A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110215286.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法，步骤如下：1）在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物；2）在晶化前驱物表面涂覆亲和剂，然后在其表面附着镍盐溶液；3）用激光器的激光照射，使其晶化为大晶粒多晶硅，大晶粒的平均粒径为1-20微米；4）将晶化后的多晶硅进行热退火处理，热退火温度为400-600℃，热退火时间为1-2h。本发明的优点是：适用于在大面积衬底上流水线操作制备高质量多晶硅薄膜材料，并可以通过控制旋甩转速和旋甩时间或者浸蘸时间和浸蘸后的喷淋时间以及改变镍盐溶液的浓度来改变晶化效果；该制备工艺简单、成本低；该多晶硅薄膜可用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN101183509B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200710060376.1
申请日：2007-12-19
Applicant: 南开大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 一种显示屏周边集成与控制电路共同完成的OLED列驱动模式，显示屏周边集成电路包括有：由3m个TFT开关自左向右构成n组，且每组含有3m/n个TFT，对外共引出n条控制线；有3m/n根对外数据线。控制电路有：依次相连的译码器、模拟多路选通器、电位选择器，为模拟二选一选择器，共三个，分别通过模拟多路选通器向三个子象素中输入电平信号。本发明通过上述部分的协调工作，使集成在数据线上的开关依次打开，模拟多路选通器依次将数据写入像素电容，从而完成逐点写入的过程。通过显示屏周边集成电路以及控制电路协调工作，将前级传输过来的数据写入OLED像素单元，从而取代了数据驱动芯片的功能，为分辨率不高的OLED显示屏提供了一种更为经济实用的驱动方式，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101894744A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010197397.X
申请日：2010-06-11
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/312
Abstract: 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在玻璃衬底正面上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积晶化前驱物；在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层；用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面，晶化完成后形成多晶硅表面；在多晶硅表面旋涂一层光刻胶；通过湿法刻蚀的方法，用Freckle试剂去除衬底背面的非晶硅保温层；将样品浸入去胶剂去掉多晶硅表面的光刻胶即可。本发明的优点是：可有效提高激光晶化多晶硅的性能，且工艺简单、工艺窗口宽、易于实施，不会对形成的多晶硅造成任何影响；所制得的多晶硅薄膜可广泛应用于制备多晶硅薄膜晶体管、显示器光电子器件、面阵敏感器、平板显示基板等，具有重要的实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101319355A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810053244.0
申请日：2008-05-26
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开一种镍溶液雾滴法制备碟型大晶畴多晶硅的方法及产品和应用，方法包括如下步骤：在上面形成有一层阻挡层的衬底上，沉积形成一层非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上喷洒镍盐溶液微小雾滴；采用去离子水冲淋非晶硅薄膜的表面，使离散微量的镍粘敷在非晶硅薄膜的表面，其他的杂质被去离子水冲掉；在高纯氮气氛围中退火，使非晶硅薄膜以离散微量的镍为中心横向晶化为碟型大晶畴多晶硅。所述的碟型大晶畴多晶硅为从中心向四周晶化的晶体结构，晶畴的直径为20－100μm，具有的霍耳迁移率大于30cm2/Vs。本发明适用在大面积衬底上流水线操作制备多晶硅薄膜材料，成本低廉。其产品可用于制备多晶硅薄膜晶体管及电路，面阵敏感器，显示器象素电极和光电子器件及其全集成显示系统。
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公开(公告)号：CN1219332C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03105077.8
申请日：2003-03-06
Applicant: 南开大学
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种薄膜光光上转换图象显示装置，本发明将Si基薄膜光电池及有机薄膜发光二极管(OLED)直接耦合构成一种新型光光转换装置。将光电传感器Si基薄膜光电池和以顶部为高透过率透明电极的顶发射OLED反向串接构成复合装置，由Si基薄膜光电池将输入光信号转换成的光生电流直接耦合到OLED发出另一波长的可见光，不同的Si基薄膜光电池可实现不同波段的光响应。本发明可用于光探测、寻像器、夜视、光图象转换的信息处理、光子学平行信号处理等领域。
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公开(公告)号：CN113130767A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110411942.9
申请日：2021-04-16
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属于光敏薄膜晶体管技术领域，特别涉及一种混合维度复合钙钛矿薄膜及其制备方法和应用、光敏薄膜晶体管。本发明提供了一种混合维度复合钙钛矿薄膜，包括层叠设置的三维有机无机杂化钙钛矿层和二维有机无机杂化钙钛矿层；三维有机无机杂化钙钛矿层的化学组成为：ABX3，A为有机胺阳离子，B为IVA族金属阳离子，X为卤素阴离子；二维有机无机杂化钙钛矿层的化学组成为：(PEA)2(MA)n‑1PbnI3n+1，n正整数。实施例表明，本发明提供的混合维度复合钙钛矿薄膜14天XRD图谱无变化，吸收光谱无变化，光电流无变化，环境稳定性高；以混合维度复合钙钛矿薄膜为有源沟道层得到的光敏薄膜晶体管光电性能优良。
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公开(公告)号：CN104985177A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510341884.1
申请日：2015-06-18
Applicant: 南开大学
Abstract: 一种一步法合成表面钝化的纳米锗颗粒的方法，该方法采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统，使用液态锗和水作为反应源，一步直接合成表面钝化的纳米锗颗粒。本发明的优点在于：降低成本的同时消除了反应源易燃易爆的隐患；提高产量的同时避免了颗粒间的团聚；原位钝化的方法简化了工艺流程，是一种低成本的、易于产业化的纳米锗颗粒制备方法。
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公开(公告)号：CN104766893A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510184202.0
申请日：2015-04-17
Applicant: 南开大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/12
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/1033 , H01L29/26 , H01L29/66742
Abstract: 一种薄膜晶体管，由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成，其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜，各层薄膜的厚度为：栅电极1μm、栅绝缘层200-400nm、有源沟道层200-300nm、源漏电极1μm。本发明的优点是：该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层，结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜，低温易制备等优点，既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力，同时又兼具简单、低成本及易于在柔性衬底上的大面积制备的能力；其制备方法简单易行，有利于工业化应用。
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