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公开(公告)号：CN115580282A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211345513.7
申请日：2022-10-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/687 , H03H11/28
Abstract: 本发明公开一种电感加载的超宽带半导体单刀双掷开关，属于基本电子电路的技术领域。该单刀双掷开关包括：第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口，每个开关臂包含串并连接的两个晶体管，且串并连接的晶体管之间加载有电容，在与第一射频端口连接的输入匹配电路的输出端加载有短路电感，可以实现一个额外的带内传输极点，有效展宽带宽且降低导通状态开关臂的插入损耗，在保持芯片小型化的同时提高阻抗匹配带宽。
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公开(公告)号：CN113328713A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110498846.2
申请日：2021-05-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直堆叠的封装滤波器，包括一个输入馈线、一个输出馈线以及第一至第N垂直谐振器，N为大于1的自然数，其中，第i+1垂直谐振器位于第i垂直谐振器的上方，N＞i≥1且i为整数；每个垂直谐振器包括垂直电容器和高阻抗线电感，每个垂直谐振器中的垂直电容器位于高阻抗线电感的上方、或垂直电容器位于高阻抗线电感的下方；每个垂直谐振器中的垂直电容器的两端和高阻抗线电感的两端分别相连；相邻的垂直谐振器之间通过错层耦合的方式互连，输入馈线与第一垂直谐振器相连，输出馈线与第N垂直谐振器相连。本发明提供的封装互连结构可同时实现滤波和互连两种功能，有利于提高系统集成度。
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公开(公告)号：CN119562757A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411737522.X
申请日：2024-11-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种在高阻硅片衬底上基于悬浮纳米电极的太赫兹忆阻射频开关及其制备方法，包括衬底，衬底的上表面设置有连接层，连接层的上表面设置有惰性电极层，惰性电极层上表面设置有Nafion介质层，Nafion介质层上表面设置有活性电极层，活性电极层上表面设置有惰性金属层，该设计中的射频开关以Nafion离子交换膜为主要材料，包括从下至上一次设置的硅衬底层、铬连接层、惰性底层电极、Nafion薄膜中间层、活性顶层电极以及惰性金属保护层。在硅衬底层通过刻蚀工艺制备突起型微结构，实现惰性电极悬空，整个忆阻射频开关主要由两个电极和一个中间层叠加构成，通过对活性电极连接正极，惰性电极连接负极，施加开启、关断电压展现非易失性。
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公开(公告)号：CN117118420A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311105778.4
申请日：2023-08-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开基于电容耦合的小型化多功能可重构开关芯片，属于基本电子电路的技术领域。该开关芯片包括J‑1个开关臂、J个射频端口，第一射频端口经输入匹配电路与支路电感的一端连接，支路电感的另一端接地，每个开关臂的输入端均与输入匹配电路和支路电感的连接点相连，每个开关臂的输出端连接一个射频端口，每个开关臂至少包含一个并联谐振单元，并联谐振单元通过级间耦合电感相连。本发明采用电容耦合结构实现片上谐振，通过控制晶体管栅极的高低电平来实现开关、功分器、关断等多种功能的可重构芯片，极大缩小芯片面积。
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公开(公告)号：CN116527010A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310470878.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于交叉混合耦合的IPD滤波器，涉及射频集成电路设计技术领域，包括第一至第N谐振器和两个馈电结构，两个馈电结构分别与第一谐振器、第N谐振器一一连接，N≥3，谐振器包括一个两端开路的电感和一个加载电容结构，加载电容结构的两端分别与电感的两个开路端电连接，该谐振器包括四个边，一边是加载电容结构，一边是电感的一部分，另外两边同时包括电感和加载电容结构；第i谐振器和第(i+1)谐振器以第一耦合方式、第二耦合方式或者第三耦合方式互连，且第i’谐振器、第(i’+1)谐振器间的耦合方式与第(i’+1)谐振器、第(i’+2)谐振器间的耦合方式不相同。本发明具有宽带高选择性，能够提高器件性能的同时减小滤波器的尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115765717A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211522343.5
申请日：2022-11-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/0175 , H03K17/64 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开一种基于耦合T型电感的宽带半导体射频开关，属于基本电子电路的技术领域。该开关包括：第一射频端口、第二射频端口、以及接在第一射频端口和第二射频端口之间的多级拓扑结构，每级拓扑结构均包含：第一直流端口、第二直流端口、第一晶体管、第二晶体管、第一匹配电路、第二匹配电路、第三匹配电路、第四匹配电路、一个耦合T型电感单元，通过耦合T型电感单元与两个晶体管形成两个传输极点，通过控制耦合电感间的耦合间距、耦合电感自身的电感值、接地电感的电感值，可以在实现大耦合度的同时展宽开关的工作带宽。
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公开(公告)号：CN115549636A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211293821.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03H9/15
Abstract: 本发明公开了一种电容加载的小型化片上谐振器，涉及射频集成电路设计技术领域，包括电感、电容结构和两个接地电容，两个接地电容包括第一接地电容和第二接地电容；其中，第一接地电容、第二接地电容分别加载在谐振器的两侧；电容结构的两端分别与电感的两端电连接；电容结构可以空置，可以是交指电容，还可以是在交指电容中的任意间隙上加载有若干个集总电容。本发明创新性的在传统谐振器的两侧连接上接地电容，能够在几乎不增大谐振器尺寸的情况下，增大电路的等效对地电容值，达到谐振器小型化、提高阻带抑制的目的；该谐振器可以通过改变电容器或电感的物理尺寸，可以在任意给定的频率上产生谐振，谐振频率处插入损耗小于1dB。
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公开(公告)号：CN113328713B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202110498846.2
申请日：2021-05-08
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03H1/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直堆叠的封装滤波器，包括一个输入馈线、一个输出馈线以及第一至第N垂直谐振器，N为大于1的自然数，其中，第i+1垂直谐振器位于第i垂直谐振器的上方，N＞i≥1且i为整数；每个垂直谐振器包括垂直电容器和高阻抗线电感，每个垂直谐振器中的垂直电容器位于高阻抗线电感的上方、或垂直电容器位于高阻抗线电感的下方；每个垂直谐振器中的垂直电容器的两端和高阻抗线电感的两端分别相连；相邻的垂直谐振器之间通过错层耦合的方式互连，输入馈线与第一垂直谐振器相连，输出馈线与第N垂直谐振器相连。本发明提供的封装互连结构可同时实现滤波和互连两种功能，有利于提高系统集成度。
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公开(公告)号：CN113708038B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202110966570.6
申请日：2021-08-23
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高隔离的射频滤波功分器，涉及射频电路设计技术领域，射频滤波功分器设置在介质基板上，射频滤波功分器为轴对称结构，包括输入馈线、第一输出馈线、第二输出馈线、M个复数阻抗隔离元件、表面波屏蔽结构、第一滤波枝节和第二滤波枝节，第一滤波枝节和第二滤波枝节均分别包括N个谐振器。本发明在相邻滤波枝节之间加载了表面波屏蔽结构，在不增大结构尺寸的基础上，将输出端口之间的隔离度提升到45dB的以上；通过加载多个复数阻抗隔离元件，在工作频带内可以实现多个的输出端口之间吸收零点，进而展宽隔离度带宽，可以在整个工作频段内实现大于45dB的输出端口隔离度，远大于现有技术所实现的输出端口隔离度。
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公开(公告)号：CN113206658A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110430364.3
申请日：2021-04-21
Applicant: 南京邮电大学
Inventor： 沈光煦
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种基于耦合谐振的半导体射频单刀单掷开关，包括第一射频端口P1、第二射频端口P2、N个直流端口VgN、至少N+1个耦合电感和N个谐振单元，N个谐振单元均由一端接地的晶体管与一端接地的补偿电感并联构成，第一射频端口P1和第二射频端口P2之间电连接有至少N+1个耦合电感和N个谐振单元，第一射频端口P1和谐振单元之间电连接有耦合电感，第二射频端口P2和谐振单元之间电连接有耦合电感，谐振单元之间电连接有耦合电感。本发明公开的半导体射频单刀单掷开关具有尺寸小、导通传输损耗低的优点，通过提出一种耦合谐振式拓扑，可以实现宽带匹配，特别适用于毫米波频段。
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