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公开(公告)号：CN118174035B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410219341.1
申请日：2024-02-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元及表面，包括三层介质基板以及介质基板上的金属单元的设计，可实现基于入射波功率强度的自适应响应。位于顶层的第一介质基板上的金属单元包括四个扇形金属贴片和十六个矩形金属贴片，位于中间层的第二介质基板上的金属单元包括两个矩形金属贴片且呈十字形排列，位于底层的第三介质基板上的金属单元与位于顶层的第一介质基板上的金属单元结构设计相同。本发明的超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面针对不同的功率的输入信号具有较低的插入损耗和较高的屏蔽效能，且在低功率下具有良好的带内传输及带外抑制能力，同时具有良好的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN116522624A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310436072.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/16 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于不连续伽辽金的微波器件击穿阈值高效预测方法，研究了不连续伽辽金(Discontinuous Galerkin,DG)时域谱元法的技术，考虑边界处电子密度，针对较易击穿区域目标的击穿特性，引入数值通量，在不同区域交界面的两边采用不同尺寸的网格进行离散，在不需要精细处理的地方采用大网格离散，在含有精细结构的区域用小网格离散，减少未知量个数，最后通过数值方法准获取微波器件内部输运系数，结合电子连续性方程对击穿阈值就行求解。本发明解决了现有击穿阈值预测技术效率低及运算速率慢的局限，最终实现微波器件低气压放电阈值的高效准确预测。
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公开(公告)号：CN116306036A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310561748.8
申请日：2023-05-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种时空混合离散DGTD的负载均衡并行方法及介质，包括：根据多尺度目标的几何尺寸和结构参数建模，并在ANSYS中采用四/六面体混合建模技术进行离散；考虑局部时间步进技术，将各离散单元上的权重及相邻单元之间的权重关系转换为图表文件作为METIS的输入文件，METIS根据分区数量将离散单元均衡分配至各进程计算，使各进程的计算负载相对平衡及进程间的通信最小化。本发明能够有效减少计算时间，提高计算效率，实现多尺度复杂电磁目标的高效分析。
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公开(公告)号：CN114912326A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210569268.1
申请日：2022-05-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于时变等离子体鞘套识别技术仿真方法，包括：建立空间电磁场仿真模型和流场仿真模型，并采用四面体和六面体混合分别对两模型进行网格离散，得到两模型的结构信息，包括四面体、六面体的单元信息以及节点信息；将飞行器对应流场模型区域的节点信息映射到电磁场模型区域相应位置，求出电磁场模型每个单元对应的等离子体参数；利用时域不连续伽辽金方法对散射问题进行求解，获取等离子体影响下的回波信号；通过对等离子体密度的测量构建补偿因子，对等离子体影响下的回波信号进行补偿；通过上述步骤的仿真结果确定目标位置信息。本发明仿真结果表示相干累积结果在目标所在的位置有一个峰值，相干性能得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN114781202A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210258166.8
申请日：2022-03-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种包含非线性色散媒质电磁问题的仿真方法，包括：根据器件媒质的几何尺寸，建立媒质的几何模型，采用六面体单元对该模型进行剖分，获取器件的几何信息并且设置激励源的位置信息；根据并行参数的核数对已经剖分完成的几何模型进行区域划分；采用时域不连续伽辽金有限元方法建立微分方程组，对媒质的几何模型中任意色散模型和非线性色散媒质模型求解。本发明以时域不连续伽辽金有限元为基础，结合局部时间步进和并行技术，可以实现复杂媒质的建模，以及对非线性色散媒质的电磁特性分析；由于时域不连续伽辽金有限元法有高精度及建模灵活的特点，可以直接得到逆矩阵，由于局部时间步进和并行技术的加入，能极大降低计算时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118261091A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410268522.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统，该方法利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立了硅基MOSFET总剂量效应物理模型，采用时域谱元法数值求解硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子浓度和电势分布，得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。本发明对硅基MOSFET器件的抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN117875131A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410140686.8
申请日：2024-01-31
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时域弹跳射线法和传输线方程的混合精简建模方法，包括步骤：首先读取目标本体网格文件中的三角面元数据，根据目标三角面元数据创建虚拟入射面；其次由虚拟入射面生成射线管，进行与目标三角面元的相交检测并追踪射线场强；接着根据时域弹跳射线算法对目标进行时域近场场强的计算，得到传输线位置处的场分布；最后将传输线位置处的场强代入传输线方程，计算得到传输线端口位置的电压值和电流值。本发明解决了现有计算场‑线‑路耦合电大尺寸结构运算速率慢的局限，最终实现对场‑线‑路耦合的电大尺寸结构快速分析。
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公开(公告)号：CN116362180B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211595118.4
申请日：2022-12-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/126
Abstract: 本发明公开了一种GaNHEMT大信号模型参数一体化提取方法，包括：通过小信号等效电路寄生参数提取方法提取寄生参数值，建立初始种群；剥离初始种群中的寄生参数通过网络分析获得部分本征参数，跨导以及导纳通过含大信号特性的直流IV测试数据获得，得到仿真等效电路S参数数据；根据S参数数据计算个体适应度；根据设定的个体选择、交叉、变异规则对初始种群中的个体进行遗传计算，得到新的遗传个体；判断遗传算法是否满足预设目标，将最优个体对应的元件参数输出为等效电路的最终参数，建立大信号等效电路模型。本发明实现优化算法的自动高效提取，大大缩短计算时间，降低计算成本，提高GaNHEMT器件大信号等效电路建模效率。
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公开(公告)号：CN116127699B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211473995.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时域谱元法的局部时间步任意高阶精度全波求解方法，包括：根据模型尺寸进行结构化建模；根据模型特征，对精细结构或未知量变化较为剧烈的区域进行空间上的剖分细化；采用全共形网格剖分；以谱元法为求解平台，采用高阶正交基函数对波动方程中的未知量进行伽辽金测试，得到半离散格式的波动方程；采用任意高阶精度格式对未知量的各阶偏导项进行求解；采用局部时间步技术对全波求解过程加速；在确保求解精度的前提下，调节全部剖分网格尺寸直至最大；在求解收敛的前提下，调整全局时间步至最大；在求解收敛的前提下，调整局部时间步至最大，并计算出全局时间步长和局部时间步长之比。本发明能够提高计算效率，降低计算成本。
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公开(公告)号：CN116362180A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211595118.4
申请日：2022-12-13
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/367 , G06N3/126
Abstract: 本发明公开了一种GaNHEMT大信号模型参数一体化提取方法，包括：通过小信号等效电路寄生参数提取方法提取寄生参数值，建立初始种群；剥离初始种群中的寄生参数通过网络分析获得部分本征参数，跨导以及导纳通过含大信号特性的直流IV测试数据获得，得到仿真等效电路S参数数据；根据S参数数据计算个体适应度；根据设定的个体选择、交叉、变异规则对初始种群中的个体进行遗传计算，得到新的遗传个体；判断遗传算法是否满足预设目标，将最优个体对应的元件参数输出为等效电路的最终参数，建立大信号等效电路模型。本发明实现优化算法的自动高效提取，大大缩短计算时间，降低计算成本，提高GaNHEMT器件大信号等效电路建模效率。
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