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公开(公告)号：CN116522624A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310436072.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/16 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于不连续伽辽金的微波器件击穿阈值高效预测方法，研究了不连续伽辽金(Discontinuous Galerkin,DG)时域谱元法的技术，考虑边界处电子密度，针对较易击穿区域目标的击穿特性，引入数值通量，在不同区域交界面的两边采用不同尺寸的网格进行离散，在不需要精细处理的地方采用大网格离散，在含有精细结构的区域用小网格离散，减少未知量个数，最后通过数值方法准获取微波器件内部输运系数，结合电子连续性方程对击穿阈值就行求解。本发明解决了现有击穿阈值预测技术效率低及运算速率慢的局限，最终实现微波器件低气压放电阈值的高效准确预测。
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公开(公告)号：CN116306036A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310561748.8
申请日：2023-05-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种时空混合离散DGTD的负载均衡并行方法及介质，包括：根据多尺度目标的几何尺寸和结构参数建模，并在ANSYS中采用四/六面体混合建模技术进行离散；考虑局部时间步进技术，将各离散单元上的权重及相邻单元之间的权重关系转换为图表文件作为METIS的输入文件，METIS根据分区数量将离散单元均衡分配至各进程计算，使各进程的计算负载相对平衡及进程间的通信最小化。本发明能够有效减少计算时间，提高计算效率，实现多尺度复杂电磁目标的高效分析。
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公开(公告)号：CN114912326A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210569268.1
申请日：2022-05-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于时变等离子体鞘套识别技术仿真方法，包括：建立空间电磁场仿真模型和流场仿真模型，并采用四面体和六面体混合分别对两模型进行网格离散，得到两模型的结构信息，包括四面体、六面体的单元信息以及节点信息；将飞行器对应流场模型区域的节点信息映射到电磁场模型区域相应位置，求出电磁场模型每个单元对应的等离子体参数；利用时域不连续伽辽金方法对散射问题进行求解，获取等离子体影响下的回波信号；通过对等离子体密度的测量构建补偿因子，对等离子体影响下的回波信号进行补偿；通过上述步骤的仿真结果确定目标位置信息。本发明仿真结果表示相干累积结果在目标所在的位置有一个峰值，相干性能得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN114781202A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210258166.8
申请日：2022-03-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种包含非线性色散媒质电磁问题的仿真方法，包括：根据器件媒质的几何尺寸，建立媒质的几何模型，采用六面体单元对该模型进行剖分，获取器件的几何信息并且设置激励源的位置信息；根据并行参数的核数对已经剖分完成的几何模型进行区域划分；采用时域不连续伽辽金有限元方法建立微分方程组，对媒质的几何模型中任意色散模型和非线性色散媒质模型求解。本发明以时域不连续伽辽金有限元为基础，结合局部时间步进和并行技术，可以实现复杂媒质的建模，以及对非线性色散媒质的电磁特性分析；由于时域不连续伽辽金有限元法有高精度及建模灵活的特点，可以直接得到逆矩阵，由于局部时间步进和并行技术的加入，能极大降低计算时间。
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公开(公告)号：CN106156388A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510184545.7
申请日：2015-04-17
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种高功率电磁脉冲作用下MESFET电热一体化分析方法。该方法以电子准费米势、空穴准费米势和电势为变量，采用时域谱元法求解漂移-扩散方程组，求出金属-半导体场效应管（MESFET）在高功率脉冲作用下瞬时的准费米势和电势，进而得到当前时刻的电场强度和电流密度。在焦耳热源作用下，考虑周围环境温度和热对流的影响，可以得到当前时刻各处的温度分布。根据温度变化更新载流子迁移率、产生复合率重新计算电场分布，如此反复循环，直到漂移扩散方程组满足收敛精度，此时的电场分布和热分布就是应求的当前时刻MESFET内部的电热分布。该方法基于MESFET物理模型，可以清楚的得到在高功率电磁脉冲的作用下，器件内部电场和温度等随时间变化的分布情况。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117594993B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202311703631.5
申请日：2023-12-13
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种机载隐身超宽带小型化天线，该天线包括天线辐射主结构、相位调控模块、高阻抗吸波模块和金属载体地板；在传统紧耦合偶极子天线结构模型上添加阻抗变换器和双层强耦平衡馈电系统，使辐射单元可以拓展至超宽带的辐射工作频带，并且加载双层宽带宽角FSS扫描匹配层，可以稳定阻抗带宽，并且使天线的扫描角度优化至±45°，同时，加载了一款高阻抗吸波超表面和相位调控超表面，进一步优化天线的隐身性能。本发明结构剖面低，具有体积小、重量轻的优点，能与载体良好共型，可应用于高冲击、高震动强度平台，如机载、星载平台等。
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公开(公告)号：CN114912326B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202210569268.1
申请日：2022-05-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于时变等离子体鞘套识别技术仿真方法，包括：建立空间电磁场仿真模型和流场仿真模型，并采用四面体和六面体混合分别对两模型进行网格离散，得到两模型的结构信息，包括四面体、六面体的单元信息以及节点信息；将飞行器对应流场模型区域的节点信息映射到电磁场模型区域相应位置，求出电磁场模型每个单元对应的等离子体参数；利用时域不连续伽辽金方法对散射问题进行求解，获取等离子体影响下的回波信号；通过对等离子体密度的测量构建补偿因子，对等离子体影响下的回波信号进行补偿；通过上述步骤的仿真结果确定目标位置信息。本发明仿真结果表示相干累积结果在目标所在的位置有一个峰值，相干性能得到了显著提高。
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公开(公告)号：CN118095158B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410268521.9
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法，该方法从二维电子气浓度和异质结界面态密度两个方向出发分别分析了器件电学特性退化情况，包括极化电荷，栅漏、栅源间隔区表面态和AlGaN势垒层陷阱电荷，基于已建立的辐照损伤数值模型，采用时域谱元法数值求解GaN HEMT器件在太空辐照下的漏极电流和器件阈值电压。本发明对GaN HEMT器件抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN118174035A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410219341.1
申请日：2024-02-28
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元及表面，包括三层介质基板以及介质基板上的金属单元的设计，可实现基于入射波功率强度的自适应响应。位于顶层的第一介质基板上的金属单元包括四个扇形金属贴片和十六个矩形金属贴片，位于中间层的第二介质基板上的金属单元包括两个矩形金属贴片且呈十字形排列，位于底层的第三介质基板上的金属单元与位于顶层的第一介质基板上的金属单元结构设计相同。本发明的超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面针对不同的功率的输入信号具有较低的插入损耗和较高的屏蔽效能，且在低功率下具有良好的带内传输及带外抑制能力，同时具有良好的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN118099751A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311751451.4
申请日：2023-12-18
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种宽频带多功能可重构电磁超表面，该电磁超表面包括极化扭转层、电阻损耗层以及可重构频率选择层；通过加载螺旋电感可实现中频段的宽阻带的构建，将下层地板替换为可重构渐变梯形频率选择表面，通过PIN管的开关可以实现中频段透射、反射的切换，再此基础上利用等效电路表征和多参数协同设计方法，通过调整层间高度，可实现高频段阻带的构建；引入极化扭转层可实现高频段极化扭转功能，利用极化相位相消，可实现漫散射功能。本发明能够拓展传统电磁设备应用场景适应性与生存力，在信息安全、抗电磁干扰、雷达天线罩、电磁信息与体系对抗等领域有着重要的学术价值和应用前景。
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