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公开(公告)号：CN107342265A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710598699.X
申请日：2017-07-21
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种扇出型封装结构，包括：衬底，所述衬底包括凹槽；嵌入在所述衬底的凹槽中的第一芯片，所述第一芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，其中所述衬底的材料在外界热处理条件下能够流动从而将所述第一芯片的第二表面和侧面包裹，所述第一芯片的第一表面与衬底的顶面齐平；倒装贴装在所述第一芯片的第一表面上的第二芯片，所述第二芯片具有第一面、以及与第一面相对的第二面，所述第二芯片的第一面包括器件区、芯片电路和位于芯片电路上方的焊料凸起，所述第二芯片通过所述焊料凸起电连接到所述第一芯片的导电焊盘。
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公开(公告)号：CN107342264A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710598696.6
申请日：2017-07-21
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种扇出型封装结构，包括：衬底，所述衬底包括凹槽；嵌入在所述衬底的凹槽中的第一芯片，所述第一芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，其中所述衬底的材料在外界热处理条件下能够流动从而将所述第一芯片的第二表面和侧面包裹，所述第一芯片的第一表面与衬底的顶面齐平；通过引线键合贴装在所述第一芯片的第一表面上的第二芯片，所述第二芯片具有第一面、以及与第一面相对的第二面，所述第二芯片的第一面包括器件区、芯片电路和导电焊盘，所述第二芯片的第二面固定在所述第一芯片的第一表面上，所述第二芯片的第一面上的导电焊盘通过引线电连接到所述第一芯片上的导电焊盘。
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公开(公告)号：CN106960821A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710150717.8
申请日：2017-03-14
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/98 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/04105 , H01L2224/19 , H01L2224/24137 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L25/50 , H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一种LED组件及其制备方法，其中所述方法包括：在基板上形成LED芯片封装阵列，所述LED芯片的出光面靠近所述基板设置，电极凸点显露在所述封装阵列的非出光面；在所述封装阵列的非出光面形成柔性基层；对所述柔性基层图案化，以露出电极凸点；在所述柔性基层上形成金属层，并图案化形成线路；裁切所述基板和所述封装阵列，形成所述LED芯片的封装单元；弯折所述封装单元，使所述LED芯片的出光面朝向外侧；在所述LED芯片之间填充绝缘胶体。通过本发明，可以获得双面LED组件、多面LED组件或多面体LED组件，相比单面发光的LED芯片，可以实现立体发光，并且结构紧凑，该LED组件整体所显示的亮度较强。
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公开(公告)号：CN104134637B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410380771.8
申请日：2014-08-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种用于大功率逻辑芯片PoP封装的散热结构，在印刷线路板的上表面焊接有底部支撑球，在底部支撑球上设有有机基板，在有机基板的上表面固定有下层封装体，在下层封装体上开设有联通孔，下层封装体内设有微喷腔体，在微喷腔体的上腔板上设有导热薄膜，在微喷腔体的下腔板中部开设有冷却介质入口，在微喷腔体的下腔板左右两端部开设有冷却介质出口，在下层封装体的上表面设有双层封装支撑球，在双层封装支撑球上设有上层封装基板，在上层封装基板的上表面固定有上层封装体，在印刷线路板的上表面固定有冷却泵与热交换器。本发明有助于尽快将芯片产生的热量传导至封装外，从而提高大功率芯片PoP封装的散热能力。
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公开(公告)号：CN104130727B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410385772.1
申请日：2014-08-06
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: C09J145/00 , C09J165/00 , C09J201/00 , C09J11/08 , B01J13/06 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及一种压敏临时键合胶的制备方法及其应用，属于微电子封装技术领域。其采用压敏临时键合胶将载片晶圆和器件晶圆临时键合，利用临时键合的压力将微胶囊破裂，使周围空间变色。而如果某区域是空洞的话，则该区域的微胶囊不会破裂，周围空间也不会变色，以此达到在拆键合后直接观察临时键合质量的目的。通过该方法可以很大程度实现低成本的临时键合工艺，同时快捷地检查临时键合工艺的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105206539A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510553354.3
申请日：2015-09-01
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2924/00012 , H01L21/56 , H01L23/3171
Abstract: 本发明提供了一种扇出型封装制备方法，通过在涂覆临时键合胶的承载片上制作第一绝缘树脂层，并在第一绝缘树脂层上形成开口，第一绝缘树脂层上的开口作为芯片贴装的对准标记，解决了FOWLP封装钝化层与芯片贴装的对准精度问题。同时，无需在承载片上制作对准标记点，减少了工艺流程，降低了成本。
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公开(公告)号：CN105047652A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510553331.2
申请日：2015-09-01
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/485 , H01L21/56
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/568 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的封装结构及制作方法，该封装结构包括一个或多个带有焊盘的芯片，芯片主动面朝上，芯片之间的空隙填充介电质材料形成介电质层，且介电质层的表面高度低于芯片主动面表面；所述芯片的底部有保护膜，芯片主动面和芯片之间介电质层顶部覆盖有第一绝缘层，第一绝缘层在芯片主动面焊盘上有开口；第一绝缘层表面有重布线层，第一绝缘层和重布线层上面覆盖第二绝缘层，第二绝缘层在重布线层焊盘上有开口；重布线层焊盘上有凸点下金属层，在凸点下金属层上有凸块，所述凸块通过凸点下金属层、重布线层与芯片主动面焊盘形成电连接。本发明仅用一块载板；采用膜辅助成型塑封技术，芯片间隙介电质填充层厚度可控，一次性到位。
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公开(公告)号：CN106531644B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201611130994.4
申请日：2016-12-09
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯片的封装工艺和封装结构，涉及芯片封装领域。其中封装工艺包括：提供衬底；在衬底中形成腔体，将至少一个设置有第一凸台的第一芯片设置在腔体的底面，并使衬底的上表面低于第一凸台的上表面，其中第一凸台位于第一芯片的电极上；在各第一芯片和衬底上形成保护层，并在保护层上形成与各第一凸台上表面电连接的多条第一导线；在多条第一导线和保护层上形成绝缘层，且在绝缘层上形成至少一个窗口，以设置与各第一导线电连接的焊球。本发明的芯片的封装工艺和结构，通过使用腔体和保护层将第一芯片密封起来，避免受到损伤，并通过使用多条第一导线和第一凸台将第一芯片的电极引出到焊球上使得通过焊球与第一芯片进行数据传输。
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公开(公告)号：CN107564890B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710659009.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/544 , G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种应力传感器结构及其制作方法，其中所述应力传感器结构包括：衬底；盲孔，设置在所述衬底的第一表面；第一压阻层和第二压阻层，设置于所述盲孔侧表面，所述第一压阻层和所述第二压阻层在各层的底部连接；所述第一压阻层和所述第二压阻层由具有压阻效应的材质形成；第二绝缘层，设置于所述第一压阻层和所述第二压阻层之间；第一电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第一压阻层连接；第二电极，设置于所述衬底的第一表面，与所述第二压阻层连接。通过在第一电极和第二电极外加电压的方式所测得的电阻可以用于表征TSV结构的应力，尤其是轴向应力，进而该应力传感器可以用于测量TSV结构的应力。
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公开(公告)号：CN109671700A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811597639.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/482
Abstract: 本发明公开了一种扇出型芯片封装结构，包括：第一芯片；玻璃载板，所述玻璃载板设置在所述第一芯片下方；塑封层，所述塑封层设置在所述玻璃载板上方，包覆所述第一芯片；导电玻璃通孔，所述导电玻璃通孔贯穿所述玻璃载板，且与所述第一芯片电连接；重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述玻璃载板的下方，与所述导电玻璃通孔电连接，从而实现对所述第一芯片的扇出功能。钝化层，所述钝化层位于所述重新布局布线层的金属表面和间隙；以及外接焊球。
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