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公开(公告)号：CN111009510A
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201911381456.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明属于屏蔽材料制备技术领域，具体涉及一种电磁屏蔽结构及封装方法。该电磁屏蔽结构包括载体；屏蔽体，设置在所述载体上；芯片，设置在所述载体上，且相邻屏蔽体间设置至少一个所述芯片，所述芯片的高度不大于所述屏蔽体的高度；塑封层，与所述芯片和所述屏蔽体设置于所述载体的同侧，且包覆所述屏蔽体和所述芯片。该结构将屏蔽体设置在载体上，然后再在载体上设置芯片，可以对芯片进行有效屏蔽，且该电磁屏蔽结构的封装体积小、工艺集成度高，降低了封装工艺的复杂度，可以满足电子产品轻薄短小的需求。
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公开(公告)号：CN110606464A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910890161.5
申请日：2019-09-20
Applicant: 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级真空集成封装结构，包括：盖帽晶片；第一晶片，所述盖帽晶片通过第一键合焊盘密封键合到所述第一晶片，所述第一晶片包括器件区域；以及第二晶片，所述第一晶片通过第二键合焊盘密封键合到第二晶片，所述第二晶片包括与第一晶片的器件区域正对的空腔、设置在所述空腔内的吸气剂薄膜。
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公开(公告)号：CN109671700A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811597639.7
申请日：2018-12-26
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/482
Abstract: 本发明公开了一种扇出型芯片封装结构，包括：第一芯片；玻璃载板，所述玻璃载板设置在所述第一芯片下方；塑封层，所述塑封层设置在所述玻璃载板上方，包覆所述第一芯片；导电玻璃通孔，所述导电玻璃通孔贯穿所述玻璃载板，且与所述第一芯片电连接；重新布局布线层，所述重新布局布线层设置在所述玻璃载板的下方，与所述导电玻璃通孔电连接，从而实现对所述第一芯片的扇出功能。钝化层，所述钝化层位于所述重新布局布线层的金属表面和间隙；以及外接焊球。
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公开(公告)号：CN111446175A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010264996.2
申请日：2020-04-07
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种射频芯片集成封装结构及其制备方法，所述射频芯片集成封装结构的制备方法包括：在临时键合载板的第一表面形成第一导电层，在所述第一导电层上形成一个或多个导电柱；将芯片附连至所述第一导电层上；形成绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第一导电层、所述芯片、所述一个或多个导电柱；去除部分绝缘膜，暴露出第一导电层的部分导电线路，形成屏蔽层接地处；形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述绝缘膜，以及所述屏蔽层电连接所述屏蔽层接地处；形成塑封层，所述塑封层覆盖所述屏蔽层；暴露出所述一个或多个导电柱的顶面；在所述塑封层顶面上形成第二导电层，所述第二导电层电连接所述一个或多个导电柱；在所述第二导电层上布置天线阵列。
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公开(公告)号：CN109545691A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811366693.0
申请日：2018-11-16
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种超薄扇出型封装结构的制造方法，包括：临时键合铜箔至载板；在所述铜箔上表面光刻形成电镀图案；电镀形成铜互连金属层；去除光刻胶掩膜层；在所述铜箔和所述铜互连金属层的外表面形成第一介质层，并光刻形成芯片焊盘开口；在所述芯片焊盘开口处形成第一铜保护层；将芯片通过芯片焊接结构倒装焊至芯片焊盘；在所述芯片与所述第一介质层间填充底填料；形成塑封层；拆键合去除所述载板；刻蚀去除所述铜箔；形成第二介质层，并光刻形成外接焊盘开口；在所述外接焊盘开口形成第二铜保护层；形成外接焊球；以及分割形成单颗芯片封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110606464B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201910890161.5
申请日：2019-09-20
Applicant: 上海先方半导体有限公司 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级真空集成封装结构，包括：盖帽晶片；第一晶片，所述盖帽晶片通过第一键合焊盘密封键合到所述第一晶片，所述第一晶片包括器件区域；以及第二晶片，所述第一晶片通过第二键合焊盘密封键合到第二晶片，所述第二晶片包括与第一晶片的器件区域正对的空腔、设置在所述空腔内的吸气剂薄膜。
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公开(公告)号：CN109545691B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201811366693.0
申请日：2018-11-16
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种超薄扇出型封装结构的制造方法，包括：临时键合铜箔至载板；在所述铜箔上表面光刻形成电镀图案；电镀形成铜互连金属层；去除光刻胶掩膜层；在所述铜箔和所述铜互连金属层的外表面形成第一介质层，并光刻形成芯片焊盘开口；在所述芯片焊盘开口处形成第一铜保护层；将芯片通过芯片焊接结构倒装焊至芯片焊盘；在所述芯片与所述第一介质层间填充底填料；形成塑封层；拆键合去除所述载板；刻蚀去除所述铜箔；形成第二介质层，并光刻形成外接焊盘开口；在所述外接焊盘开口形成第二铜保护层；形成外接焊球；以及分割形成单颗芯片封装。
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公开(公告)号：CN109216298A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810910941.7
申请日：2018-08-10
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种扇出型芯片封装结构，包括：玻璃基板；设置在所述玻璃基板内部的导电通孔；设置在所述玻璃基板正面的芯片，所述芯片电连接至所述导电通孔；位于所述玻璃基板正面且覆盖所述芯片的塑封层；设置在所述玻璃基板背面的第一重新布局布线层，所述第一重新布局布线层电连接至所述导电通孔电；以及设置在所述玻璃基板背面的外接焊球。
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公开(公告)号：CN208948842U
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201821371864.4
申请日：2018-08-23
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种MEMS微镜封装结构，包括：芯片层，所述芯片层上设置有多个第一焊盘；多个导电柱，设置在所述芯片层上且分别与所述第一焊盘连接，所述导电柱间形成有容纳MEMS微镜的空腔；MEMS基底层，由所述多个导电柱支撑且通过所述多个导电柱与所述第一焊盘电连接，所述MEMS基底层具有与所述空腔相对应的开口；盖帽，设置在所述MEMS基底层的所述开口上。解决了如何将MEMS微镜与其他异质芯片进行封装的问题，达到了将MEMS微镜与其他异质芯片进行封装的目的。
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公开(公告)号：CN209276149U
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201822272009.4
申请日：2018-12-29
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Inventor： 孙绪燕
IPC: B81B7/00
Abstract: 本实用新型公开了一种散热封装结构，包括：芯片；集成无源器件；塑封层，所述塑封层包覆所述芯片和所述集成无源器件；微流控芯片，所述微流控芯片设置在所述塑封层的上部；第一重新布局布线层，所述第一重新布局布线层设置在所述塑封层的下部，且电连接所述芯片和所述集成无源器件；第二重新布局布线层，所述第二重新布局布线层电连接至所述第一重新布局布线层；以及外接焊球。基于本实用新型的该种散热封装结构具有更小、更薄的体积；易于实现系统集成式封装；设计灵活；微流控直接集成于主芯片的位置附近，散热效果更好。
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