-
公开(公告)号：CN111074345A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010033316.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法，本发明的大颗粒金刚石的制备装置包括生长腔室、样品托和微波单元，样品托装设于生长腔室内，微波单元与生长腔室连接，还包括工艺气体单元和旋转调节单元，工艺气体单元与生长腔室连通，旋转调节单元与样品托连接，样品托设有用于放置金刚石样品的凹槽，凹槽内侧设为弧面型，本发明通过旋转调节单元调整样品托变速转动，球形金刚石籽晶在旋转调节单元的带动下，在样品托的凹槽内受控滚动，金刚石晶体可以在三维方向均衡生长，从而制备出高质量的大颗粒金刚石；本发明的制备方法，其工艺简单，制备效率高，且制得的大颗粒金刚石质量好，满足工业化的生产制造。
-
公开(公告)号：CN110504231A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910880306.3
申请日：2019-09-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/373 , H01L23/29 , H01L23/14 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种半导体功率器件，包括基板和功率芯片，还包括覆盖层，基板设有图形化单元，基板的厚度匹配功率芯片设置，功率芯片的高度低于基板的厚度，功率芯片对应图形化单元安装，覆盖层盖设于基板设有图形化单元的一面，功率芯片经覆盖层覆盖安装于基板，本发明结构简单，设计合理，图形化单元的高度匹配功率芯片的厚度设置，装设后，功率芯片的高度低于基板，便于覆盖层的设置，也便于散热，使用效果好；本发明的制备方法，其工艺简单，便于工业化生产制造，且制备的半导体功率器件散热效果好。
-
公开(公告)号：CN109326706A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811094774.X
申请日：2018-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2933/0066
Abstract: 一种基于石墨烯合金线的LED封装方法，包括步骤：清洗LED支架并烘干；然后将解冻后固晶胶水涂覆在LED支架表面，将LED晶片放置于涂有固晶胶水的LED支架上；将LED支架放入LED烤箱进行烘烤固定，烘烤完后进行拉力测试；选取石墨烯合金线作为引线，将引线的一端键合在LED晶片电极上，将引线另一端键合在LED支架上，实现将LED晶片的正负极与LED支架的正负极电性连接；选择好荧光粉，在焊完线后的LED支架进行点胶封装；将点完荧光粉胶的LED支架放进烤箱中，进行烤干固化，同时对LED晶片进行热老化。本发明不仅制造成本低、价格便宜，而且具有优异的导电性能、极高的强度与柔韧性、非常好的热传导性能。
-
公开(公告)号：CN108337812A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810260680.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H05K3/10
CPC classification number: H05K3/107 , H05K2203/107
Abstract: 本发明公开了一种在基板上制备金属化线路的方法，包括以下步骤：对清洗后的基板上进行表面双疏处理，在基板表面形成厚度为0.1～1000 nm厚的双疏改性层；在基板的预定线路区域内去除或破坏双疏层结构，实现导电线路图案化，形成线路图案化层；在基板上制备边界整齐、线宽可控的导电线路，形成导电金属线路层；最后对基板进行表面处理，得到具有光亮、平整的导电金属线路层的基板。本发明保证金属导电线路的精细度，解决了在基板上直接进行金属图案化工艺所造成的线宽难以控制、线路精度低的问题；同时，这种采用加法方式在陶瓷基板上制备精细化导电线路的方法，相对于制作整版金属膜层然后刻蚀线路的减法制备方式，大大简化了工艺流程，节省了材料和制备成本。
-
公开(公告)号：CN104862781B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201510302054.8
申请日：2015-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：把C片、固体的Ga‑Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中，密封反应釜，将反应釜加压升温至预定的过渡条件；Ga‑Na源材料由固体变为Ga‑Na溶液，C片由于密度小于Ga‑Na溶液而漂浮在气液界面，同时C片开始在Ga‑Na溶液上部区域缓慢溶解，使得Ga‑Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下；对反应釜继续加压升温，加压升温至预定的生长条件（700～1000℃，1～50MPa），籽晶处开始GaN单晶生长；GaN单晶达到目标厚度后，对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合，阻止GaN多晶的形成，提高了GaN单晶的生长速率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104962995B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510436581.8
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶的生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充有生长溶液，反应釜底部设有晶种模板，反应釜顶部设有氮气进气口，该氮气进气口内设有压力调节阀门，其特征在于，所述反应釜内设有使生长溶液形成涡流的涡流产生装置，该涡流产生装置为气流系统、氮气管路系统或者溶液回流系统，使反应釜内的生长溶液形成涡流。本发明有效克服了传统反应装置溶液对流无序及N源供给不足的缺点，有效提高了晶体质量及均匀性。
-
公开(公告)号：CN104894644B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510365581.3
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物晶体的生长装置及方法，包括反应釜和设在该反应釜内的坩埚，反应釜外围设有加热器，所述坩埚内设有隔板，该隔板将该坩埚内部空间分隔成相互独立的生长区和预生长区，生长区底部放置有籽晶，隔板下部设有导通孔，该导通孔使生长区和预生长区相互连通，隔板与坩埚底面的夹角为大于0度且小于或等于90度。通过对反应釜的倾斜操作，使得生长区和预生长区的溶液互相流动交换，使得籽晶区域的生长溶液的含N浓度较高，使氮化物晶体在源源不断的高N浓度生长溶液下高质量高速率生长。
-
公开(公告)号：CN106409647A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611111212.2
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01J63/06
CPC classification number: H01J63/06
Abstract: 本发明公开了一种紫外阴极射线光源，包括依次顺序设置的电子发射装置、电子倍增器、电场、磁场、高反膜、发光芯片、紫外光增透膜及出光窗口，发光芯片受电子激发发光，电子发射装置发出的电子依次经过电子倍增器、电场、磁场、高反膜后进入发光芯片激发该发光芯片发光，光线从出光窗口射出，电子发射装置为场发射装置或热发射装置。本发明实现阴极射线紫外光源在功率及光束尺寸要求等方面均可调的目的。
-
公开(公告)号：CN106367804A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610963655.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/08 , C30B25/16
Abstract: 本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜，包括釜体，釜体内设有晶体生长室，釜体外设有加热装置，釜体内填充有液体镓源，所述釜体内还设有压强调节室，晶体生长室底面设有隔板，该隔板上设有连接孔，该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通，压强调节室上设有增压阀和减压阀，隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口，连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异，可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
-
公开(公告)号：CN105780124A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139215.0
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助III?V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III?V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应釜溶液中的特定位置?即激光路径上，采用其频率与晶体生长装置中的晶体或生长原料的原子谐振频率或分子谐振频率相同的激光，辅助反应物溶液中晶体液相外延生长。本发明，能有效提高反应速率和晶体质量，且可控性好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
158
records
(took 0.065 seconds)
