公开(公告)号：CN104078541A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410284353.9

申请日：2014-06-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  钟立义 ,  王海燕 ,  林志霆 ,  周仕忠 ,  乔田 ,  王凯诚

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明公开了高性能的LED图形优化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆台组成，每个圆台的高度H为0.5～4μm，上圆半径R上为0.1～1μm，下圆半径R下为1～3μm，R上＜R下，相邻圆台的边距d为0.2～3μm。本发明还公开了上述LED图形优化衬底的制备方法及包含上述LED图形优化衬底的LED芯片。本发明通过采用圆台型图形衬底，大大提高了反射光子到达LED芯片顶部及底部的能力，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，而且圆台图案有利于形核，有利于外延生长高质量GaN晶体。

公开(公告)号：CN104078540A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410284330.8

申请日：2014-06-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  王海燕 ,  乔田 ,  周仕忠 ,  林志霆 ,  王凯诚 ,  钟立义

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/20

Abstract: 本发明公开了一种LED图形衬底，包括第一圆锥图案和第二圆锥图案；所述第一圆锥图案的底面圆半径r1大于第二圆锥图案的底面圆半径r2。本发明还公开了包含上述LED图形衬底的LED芯片。本发明提高了图形衬底上图案的密集性，从而达到提高LED出光效率的目的。

公开(公告)号：CN106449811A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610966099.X

申请日：2016-10-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张曙光 ,  王凯诚

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/184

Abstract: 本发明公开了生长在GaAs衬底上n-InGaAs薄膜，由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区；所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜；δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜；所述n≥1。本发明还公开了上述n-InGaAs薄膜的制备方法。本发明的n-InGaAs薄膜的Si掺杂剂在薄膜中呈现脉冲式分布，有效地抑制Si的自补偿效应，提高掺杂效率、电子迁移率及晶体质量。

公开(公告)号：CN104465927A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410714446.0

申请日：2014-11-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  钟立义 ,  林志霆 ,  乔田 ,  周仕忠 ,  王海燕 ,  王凯诚

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/10

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种圆锥簇型图案的LED图形优化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆锥簇组成；所述圆锥簇由一个大圆锥、多个中圆锥及多个小圆锥组成；所述多个中圆锥围绕大圆锥排列成一圈，形成中圆锥圈；所述多个小圆锥围绕中圆锥圈排列成一圈，形成小圆锥圈。本发明与现有技术相比，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，圆锥簇增加了反射面积，对底部出光有明显的增益效果，特别适合用于覆晶封装；实际加工容易获得目标图案，便于推广应用。

公开(公告)号：CN204067414U

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201420337884.5

申请日：2014-06-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  王海燕 ,  林志霆 ,  周仕忠 ,  乔田 ,  王凯诚 ,  钟立义

IPC: H01L33/22

Abstract: 本实用新型公开了一种双图案的LED图形化衬底，衬底上的图案由半球图案和圆锥图案组成，所述半球图案的底面圆半径r1与圆锥的底面圆半径r2不相等。本实用新型还公开了包含上述双图案的LED图形化衬底的LED芯片。本实用新型结合圆锥图案锥面及半球图案球面对LED出光效率的优化作用提高LED出光效率；衬底上的图案密集，有利于更多的光线射出LED芯片，尤其有利于更多的光线从芯片顶部及底部射出，大大提高了LED光提取率。

公开(公告)号：CN206116416U

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201621186039.8

申请日：2016-10-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  张曙光 ,  王凯诚

IPC: H01L31/0304

Abstract: 本实用新型公开了生长在GaAs衬底上n‑InGaAs薄膜，由下至上依次包括GaAs衬底和n个δ掺杂区；所述δ掺杂区由下至上包括InGaAs本征薄膜和δ掺杂InGaAs薄膜；δ掺杂InGaAs薄膜为Si掺杂的InGaAs薄膜；所述n≥1。本实用新型的n‑InGaAs薄膜的Si掺杂剂在薄膜中呈现脉冲式分布，有效地抑制Si的自补偿效应，提高掺杂效率、电子迁移率及晶体质量。

公开(公告)号：CN204596824U

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201520276105.X

申请日：2015-04-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  龚振远 ,  韩晶磊 ,  钟立义 ,  王凯诚 ,  林志霆 ,  王海燕

IPC: H01L33/10

Abstract: 本实用新型公开了一种弧形六角星锥图形化LED衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形六角星锥组成；所述弧形六角星锥的任意水平截面皆为弧形六角星；所述弧形六角星为由六段圆弧首尾相接围成的封闭图形。本实用新型还公开了包括弧形六角星锥图形化LED衬底。本实用新型大大提高了LED的出光效率，从而提高LED的外量子效率。

公开(公告)号：CN203983323U

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201420338262.4

申请日：2014-06-23

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  钟立义 ,  王海燕 ,  林志霆 ,  周仕忠 ,  乔田 ,  王凯诚

IPC: H01L33/20

Abstract: 本实用新型公开了高性能的LED图形优化衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的圆台组成，每个圆台的高度H为0.5～4μm，上圆半径R上为0.1～1μm，下圆半径R下为1～3μm，R上＜R下，相邻圆台的边距d为0.2～3μm。本实用新型还公开了上述LED图形优化衬底的制备方法及包含上述LED图形优化衬底的LED芯片。本实用新型通过采用圆台型图形衬底，大大提高了反射光子到达LED芯片顶部及底部的能力，具有比普通衬底LED芯片更优的出光效率，而且圆台图案有利于形核，有利于外延生长高质量GaN晶体。

公开(公告)号：CN204596825U

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201520276231.5

申请日：2015-04-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  龚振远 ,  韩晶磊 ,  钟立义 ,  王凯诚 ,  王海燕 ,  林志霆

IPC: H01L33/10

Abstract: 本实用新型公开了一种弧形三棱锥图形化LED衬底，衬底的图案由排列在衬底表面的多个形状相同的弧形三棱锥组成；所述弧形三棱锥组成的任意水平截面为三条边皆为圆弧的类三角形。本实用新型还公开了包含上述弧形三棱锥图形化LED衬底的LED芯片。本实用新型与现有技术相比，具有更优的出光效率，大大增加了可利用的有效光线，提高LED芯片的外量子效率；弧形三棱锥型图形衬底能够在保持提高LED出光效率的前提下，减少对形核的不利影响。

公开(公告)号：CN204289498U

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201420738766.5

申请日：2014-11-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 李国强 ,  林志霆 ,  乔田 ,  周仕忠 ,  王海燕 ,  王凯诚 ,  钟立义

IPC: H01L33/20

Abstract: 本实用新型公开了一种花瓣型类圆锥图案的LED图形优化衬底,衬底图案由排列在衬底表面的多个形状相同的花瓣型类圆锥体组成；所述花瓣型类圆锥体的任意水平截面为花瓣状的图形；所述花瓣状的图形为由多个形状相同的圆弧首尾顺次相接形成封闭的图形。本实用新型还公开了包含上述LED图形优化衬的LED芯片。本实用新型底增加了折射反射面，提高了光强和出光效率。