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公开(公告)号：CN101841236A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010155655.8
申请日：2010-04-22
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02M1/42
CPC classification number: H02M1/4233 , Y02B70/126 , Y02P80/112
Abstract: 本发明实施例公开了一种功率因数矫正变换器及其控制方法，能够降低成本，且提高电源转换效率。本发明实施例功率因数矫正变换器包括：交错控制管组，交流电源，第一电感，第二电感，第三电感，电容，第一桥臂以及第二桥臂；第一桥臂包括串联的第一开关管以及第二开关管；第二桥臂包括串联的第三开关管以及第四开关管；交错控制管组，第一桥臂，第二桥臂以及电容之间相互并联；交流电源与第一电感串联，第二电感和第三电感并联后与第一电感串联；第二电感与第一桥臂连接，第二电感与第二桥臂连接；交流电源与第一电感串联后与交错控制管组连接。本发明实施例还提供一种控制方法。本发明实施例能够有效降低成本，且提高电源转换效率。
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公开(公告)号：CN119812387A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411767665.5
申请日：2024-12-03
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01M8/04082 , H01M8/04007 , H01M8/1246 , C25B9/67 , C25B1/04
Abstract: 本申请实施例提供一种储能设备，涉及能源技术领域。该储能设备包括电池、第一流道、储氢装置和储热装置，电池为固体氧化物电池，电池包括阳极层、电解质层和阴极层，电解质层位于阳极层和阴极层之间，电池还包括阳极通道和阴极通道；第一流道与阳极通道的出口连通；储氢装置包括第一壳体和固态储氢介质，固态储氢介质位于第一壳体内，固态储氢介质用于储存氢气；储热装置包括第二壳体和储热介质，储热介质位于第二壳体内，储热介质用于与第一流道的一部分和固态储氢介质换热。通过上述技术方案，在储氢装置的固态储氢介质需要释放氢气的情况下，使固态储氢介质能够吸收其他装置所产生的热量，以此降低储氢装置的能耗。
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公开(公告)号：CN116978937A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310889738.7
申请日：2021-02-07
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等，其中，场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN112930602B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202080005528.1
申请日：2020-04-20
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 一种氮化镓器件及其驱动电路。其中，该氮化镓器件包括：衬底(100)；形成在衬底(100)之上的氮化镓GaN缓冲层(200)；形成在GaN缓冲层(200)之上的铝氮化镓AlGaN势垒层(300)；以及，形成在AlGaN势垒层(300)之上的源极(S)、漏极(D)和栅极；其中，栅极包括形成在AlGaN势垒层(300)之上的P型掺杂氮化镓P‑GaN盖层(400)，以及形成在P‑GaN盖层(400)之上的第一栅极金属(M1)和第二栅极金属(M2)，第一栅极金属(M1)与P‑GaN盖层(400)之间形成肖特基接触，第二栅极金属(M2)与P‑GaN盖层(400)之间形成欧姆接触。氮化镓器件为常闭型器件，有利于驱动电路的设计；并且，氮化镓器件具备由肖特基栅极和欧姆栅极共同构成的混合栅极结构，因此既能够减小导通过程中的栅极漏电，从而降低驱动功耗，又能够在导通时向AlGaN势垒层大量注入空穴，优化动态电阻，从而提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN114402443A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202080064553.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种绝缘栅双极晶体管、电机控制器及汽车，绝缘栅双极晶体管包括：层叠设置三个器件结构特征层，其中，IGBT器件结构特征层(10)及RC‑IGBT器件结构特征层(30)分列在SJ器件结构特征层(20)的两侧；其中，RC‑IGBT器件结构特征层(30)包括同层设置的集电极(12)及漏极(13)；绝缘栅双极晶体管还包括与集电极(12)层叠且电连接的第一金属电极(15)、与漏极(13)层叠且电连接的第二金属电极(14)，且第一金属电极(15)与第二金属电极(14)之间电隔离。在上述方案中，第一金属电极(15)及第二金属电极(14)可分别与集电极(12)和漏极(13)连接，集电极(12)和漏极(13)可以分别供电，从而增加了绝缘栅双极晶体管的供电方式，进而改善了绝缘栅双极晶体管的控制方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113366748A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201980091012.0
申请日：2019-04-25
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H02M3/155
Abstract: 本申请实施例公开了一种供电电路和供电控制方法，涉及电路技术领域，解决了现有技术电源占板面积较大的问题。具体方案为：供电电路包括一个或多个第一级电压转换电路和一个或多个第二级电压转换电路；第一级电压转换电路的输入端被耦合至电源；第一级电压转换电路用于将输入端接收到的第一电压转换为第二电压，第二电压小于第一电压，第二电压大于或等于0.6V，且小于或等于1.3V；第二级电压转换电路的输入端被耦合至第一级电压转换电路的输出端，第二级电压转换电路用于将第二电压转换为第三电压，并将第三电压提供给负载，第三电压小于第二电压；第二级电压转换电路的开关频率大于或等于30Mhz。
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公开(公告)号：CN113054010A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110170393.0
申请日：2021-02-07
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明实施例公开了一种半导体器件及相关模块、电路、制备方法，该器件包括：N型漂移层、P型基极层、N型发射极层、栅极、场截止层和P型集电极层等，其中，场截止层包括依次层叠于N型漂移层的表面的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的杂质的粒子半径小于第二掺杂区的杂质的粒子半径，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度均高于N型漂移层的掺杂浓度。上述半导体器件，可以有效降低IGBT的集电极与发射极之间的漏电流。
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公开(公告)号：CN112930602A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202080005528.1
申请日：2020-04-20
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/47
Abstract: 一种氮化镓器件及其驱动电路。其中，该氮化镓器件包括：衬底(100)；形成在衬底(100)之上的氮化镓GaN缓冲层(200)；形成在GaN缓冲层(200)之上的铝氮化镓AlGaN势垒层(300)；以及，形成在AlGaN势垒层(300)之上的源极(S)、漏极(D)和栅极；其中，栅极包括形成在AlGaN势垒层(300)之上的P型掺杂氮化镓P‑GaN盖层(400)，以及形成在P‑GaN盖层(400)之上的第一栅极金属(M1)和第二栅极金属(M2)，第一栅极金属(M1)与P‑GaN盖层(400)之间形成肖特基接触，第二栅极金属(M2)与P‑GaN盖层(400)之间形成欧姆接触。氮化镓器件为常闭型器件，有利于驱动电路的设计；并且，氮化镓器件具备由肖特基栅极和欧姆栅极共同构成的混合栅极结构，因此既能够减小导通过程中的栅极漏电，从而降低驱动功耗，又能够在导通时向AlGaN势垒层大量注入空穴，优化动态电阻，从而提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN108808754B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710304859.5
申请日：2017-05-03
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种分布式电池包供电系统及充放电控制方法。根据本发明实施例提供的分布式电池包供电系统的充放电电路和相应的控制策略，使得多个电池包或电池组可以根据实际使用需求，在直接并联和间接并联之间按需切换。本发明实施例的分布式电池包括多个电池包，还包括：控制器、双向变压电路、旁路电路、充电电路、充电输入端，其中每一个所述电池包对应一个所述旁路电路和所述双向变压电路。
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公开(公告)号：CN103996567B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201410228099.0
申请日：2014-05-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01H47/00
CPC classification number: H01H47/226 , H01H47/00 , H01H51/22
Abstract: 本发明提供一种接触器驱动电路，用于驱动双稳态接触器或常闭型接触器。其包括电源、处理器、线路连接控制单元、第一驱动端及第二驱动端，第一驱动端及第二驱动端用于驱动双稳态接触器或常闭型接触器，处理器电连接线路连接控制单元，当第一驱动端及第二驱动端之间连接接触器时，处理器根据流经接触器的电流的大小判断第一驱动端及第二驱动端之间连接的接触器的类型，并根据判断结果控制线路连接控制单元以使第一驱动端电连接至电源的正极，且控制第二驱动端电连接至电源的负极；或处理器控制线路连接控制单元以使第二驱动端连接至电源的正极，且控制第一驱动端电连接至电源的负极。本发明能够驱动两种接触器。
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