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公开(公告)号：CN117347816A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202211080722.3
申请日：2022-09-05
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 一种芯片温度测试方法及装置，应用于自动化测试设备ATE，ATE包括参数测量单元PMU和数字信号处理DSP芯片，芯片温度测试方法包括：若目标芯片在测试环境中的时间满足稳定时间，PMU获取目标芯片的静电释放ESD保护电路的二极管的电参数，并将电参数向DSP芯片发送，其中，目标芯片处于未上电状态；DSP芯片接收电参数，并依据电参数从对应关系中查询目标芯片的当前温度，对应关系描述了与目标芯片同类芯片的电参数随温度的变化关系，稳定时间描述了与目标芯片同类芯片的温度与测试环境达到相同所需的时间。
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公开(公告)号：CN117009649A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310802390.3
申请日：2023-06-30
IPC: G06F16/9535 , G06Q10/04 , G06N3/08
Abstract: 一种数据处理方法，可以应用于人工智能领域，方法包括：获取第一训练样本，所述第一训练样本指示所述第一用户对所述第一物品进行了第一行为、且未进行第二行为；根据所述第一属性信息、以及所述第一行为的时间和第一截止时间的时间间隔，通过第一模型，预测所述第一用户会对所述第一物品进行第二行为的概率，根据所述概率对第二模型对应的第一损失进行调整，得到调整后的损失；根据所述调整后的损失，更新所述第二模型。本申请通过第一模型来预测用户在第一行为之后会进行第二行为的概率，并基于该概率来调整标签，也就是调整损失函数，调整后的损失函数可以在理论上和理想损失函数之间不存在偏差，从而提高了训练后的推荐模型的推荐精度。
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公开(公告)号：CN114697445B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202011638242.5
申请日：2020-12-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04M1/72454 , H04M1/72433 , H04B17/318 , G10L25/51 , G10L25/30 , G06F3/16
Abstract: 本申请提供一种音量调节方法、电子设备、终端及可存储介质，属于终端技术领域。该方法应用于终端，包括：当终端位于特定空间时，所述终端获取所述特定空间中的设备播放/采集的多媒体内容；所述终端播放所述多媒体内容，并以第一音量播放所述多媒体内容的音频数据；检测所述终端是否离开所述特定空间；检测到所述终端离开所述特定空间时，所述终端继续播放所述多媒体内容，并自动调节为大于第一音量的第二音量播放所述多媒体内容的音频数据。本申请的方法通过检测终端是否离开特定空间，实现了根据检测结果自动调节终端播放音频的音量。
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公开(公告)号：CN109951215B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201711386200.5
申请日：2017-12-20
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04B7/0417 , H04B7/0413 , H04B7/0456
Abstract: 一种获取下行信道信息的方法及装置，用以解决现有技术中存在获取的下行信道信息准确性低的问题。该方法包括：网络侧设备接收用户设备通过N个第一天线端口发送的第一导频信号，并根据接收到的第一导频信号确定N个第一天线端口对应的下行信道增益矩阵。然后基于N个第一天线端口对应的下行信道增益矩阵确定N个第一天线端口对应的第一权值矩阵。网络侧设备向用户设备发送第二导频信号，并接收用户设备反馈的预编码矩阵指示PMI，然后基于PMI确定第二权值矩阵。之后网络侧设备基于第一权值矩阵以及第二权值矩阵确定N个第一天线端口和M个第二天线端口对应的下行信道信息。
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公开(公告)号：CN113626677A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110745653.2
申请日：2021-06-30
IPC: G06F16/9532 , G06F16/36 , G06F40/295 , G06F40/30
Abstract: 本申请实施例公开了一种检索方法、模型训练方法及相关装置，该方法包括：根据用户输入的查询数据获取关键词信息，根据查询数据的关键词信息通过主题分布模型提取主题分布特征向量；根据多个候选数据中每个候选数据的关键词信息通过特征提取模型获取每个候选数据的特征向量；根据主题分布特征向量与每个候选数据的特征向量计算查询数据和每个候选数据的相关性数值；根据相关性数值呈现多个候选数据中的至少一个。该方法基于主题分布特征向量计算查询数据和每个候选数据的相关性数值，即考虑了主题维度，避免未考虑主题维度而导致相关性数值的准确度较低的情况，从而可以提高检索的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106570909B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201610981531.2
申请日：2016-11-02
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明实施例提供了一种肤色检测方法、装置及终端，其中方法包括：获取待处理图片，对该待处理图片进行人脸识别；若识别到人脸，则获取该待处理图片中的人脸区域；根据第一模板图片集的第一肤色查找表，确定该人脸区域的肤色查找表；根据该人脸区域的肤色查找表和第二模板图片集的第二肤色查找表，确定该待处理图片的肤色查找表；利用该待处理图片的肤色查找表对该待处理图片进行肤色检测。通过本发明实施例可以提高对图片进行肤色检测的准确度。
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公开(公告)号：CN109804684A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201680089934.4
申请日：2016-10-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04W72/04
Abstract: 本发明公开了一种用于上行载波聚合CA的通信方法和装置。该方法应用于支持上行CA的通信系统，该通信系统包括第一上行载波和第二上行载波，该第一上行载波采用频分双工FDD模式，该第二上行载波采用时分双工TDD模式，该方法包括：该第二上行载波所在的基站确定上行控制信息UCI的配置信息，该配置信息包括资源配置信息，该资源配置信息用于指示传输该UCI的资源，该资源位于TDD模式中的下行子帧和/或特殊子帧；该基站向终端发送该配置信息。本发明实施例的用于上行载波聚合CA的通信方法和装置，能够提高传输效率。
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公开(公告)号：CN104853438A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510209921.3
申请日：2015-04-28
Applicant: 上海华为技术有限公司
Inventor： 张敏
IPC: H04W72/04
CPC classification number: H04W72/0446 , H04L5/0053 , H04L5/0055 , H04L5/0094 , H04W72/04 , H04W72/0413 , H04W88/02 , H04W88/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种资源分配方法、基站及通讯系统。本发明实施例方法包括：在需要为用户设备UE分配物理上行控制信道PUCCH Format2x资源时，获取UE所属的当前小区内资源块Format2x RB的复用度，确定当前小区内复用度最低的Format2x RB，当当前小区内复用度最低的Format2x RB存在多个时，选择其中一个Format2x RB；在选择的复用度最低的Format2x RB上，为UE分配PUCCH Format2x资源。本发明实施例保证了不同Format2x RB上均匀的UE复用度，降低了PUCCH Format2x资源上的码间干扰，提高了PUCCH解调性能。
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公开(公告)号：CN117630631A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202211001641.X
申请日：2022-08-19
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供一种电子元件测试装置及电子设备。这种电子元件测试装置包括控制结构、处理器、测试设备连接结构和温度调控结构。控制结构包括垂直于第一方向的电路板。处理器设置于电路板的一面，与电路板电性连接。测试设备连接结构设置于电路板的一面，与电路板电性连接，具有测试设备连接口，测试设备连接口用于连接待测试电子元件，以实现待测试电子元件与电路板的电性连接。温度调控结构，与控制结构连接，用于控制待测试电子元件的温度。在第一方向上，处理器与测试设备连接口之间通过控制结构隔离。通过控制结构在第一方向上隔离处理器和测试设备连接口，以隔离处理器和待测试电子元件，减少处理器冷却对待测试电子元件加热的影响。
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公开(公告)号：CN117038571A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210471432.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H10B53/00 , H10B61/00 , H10B63/00
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于改善窄沟道效应，并减小位单元的面积，实现更高密度、更高性能的应用。半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底具有预设浅沟槽区；刻蚀衬底中位于预设浅沟槽区的部分，形成第一子浅沟槽；对第一子浅沟槽的侧壁进行离子注入，以在衬底中形成掺杂区；刻蚀第一子浅沟槽的底壁，在第一子浅沟槽的下方形成第二子浅沟槽，得到包括第一子浅沟槽和第二子浅沟槽的浅沟槽；在浅沟槽内形成填充部。
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