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公开(公告)号:CN119068937A
公开(公告)日:2024-12-03
申请号:CN202310626515.1
申请日:2023-05-30
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G11C11/22
Abstract: 本申请提供了一种存储阵列及其读写方法和制备方法、存储器、电子设备,涉及存储技术领域,可以在不影响铁电晶体管的栅介质层和铁电层材料的可靠性的情况下,实现高效读写数据。该存储阵列包括多个存储单元、写入字线、以及读取字线。存储单元包括写入支路和读取支路;读取支路包括铁电晶体管,铁电晶体管包括存储晶体管和铁电电容;写入支路包括电容器和铁电电容。电容器和铁电电容串联于写入字线与读取字线之间,且电容器与铁电电容的连接节点与存储晶体管的栅极电连接。
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公开(公告)号:CN118444835A
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202310486097.0
申请日:2023-04-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F3/04883 , G06F3/04886 , G06F3/04817
Abstract: 本申请公开了一种界面操作方法,该方法中,响应于对显示界面的第一对象标识区域的第一触摸操作,显示第一控件和第二控件;其中,第一对象标识区域包括第一对象的信息,第一控件用于显示与第一对象相关联的第一会话内容,第二控件用于显示虚拟键盘,虚拟键盘用于向第一控件输入会话内容。这样,用户通过第一触摸操作这一个动作,即可同时激活第一控件(用于显示第一对象的会话内容)和第二控件(用于显示虚拟键盘),这样,不仅可以方便地浏览与第一对象的会话内容,还可以通过第二控件直接向第一控件输入内容,使得用户的交互操作的步骤较少(不需要再激活虚拟键盘),从而提升了与第一对象进行聊天等互动操作的方便性和快捷性。
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公开(公告)号:CN118668266A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202410926348.7
申请日:2024-07-11
Applicant: 深圳市溢诚电子科技有限公司 , 华为技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种应用于晶圆上的无氰化学镀金液,包括以下质量浓度的组分:金盐0.5‑1g/L、加速剂30‑60mg/L、复合络合剂5‑10g/L、晶核细化剂40‑120mg/L、还原剂4‑8g/L、稳定剂30‑90mg/L、复合均匀剂0.5‑1g/L,余量为去离子水。该电镀液中不含有氰化金盐,而且稳定可靠,与传统的络合剂相比更具有稳定性,金缸pH呈现中性,不会对基材造成腐蚀,上金不会存在色差,不管是磷钯还是纯钯,上金均匀性一致。
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公开(公告)号:CN118895184A
公开(公告)日:2024-11-05
申请号:CN202410926305.9
申请日:2024-07-11
Applicant: 深圳市溢诚电子科技有限公司 , 华为技术有限公司
IPC: C11D1/26 , C11D1/14 , C11D1/37 , C11D3/43 , C11D3/36 , C11D3/20 , C11D3/33 , C11D3/37 , C11D3/60 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B13/00 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种应用于芯片的除油剂及使用方法,包括以下组分质量浓度:氢氧化钠0.5‑1.5g/L、有机溶剂2‑8g/L、表面活性剂100‑300mg/L、络合剂3‑6g/L、润湿剂1‑3g/L,余量为去离子水。该除油剂可以很好清洗晶圆表面,对指纹印、化学残留物具备优异的清洗能力,且本身不会残留在基材表面,易于水洗,同时对铝基材的微观表面具有微蚀作用提高铝表面的平整度。
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公开(公告)号:CN118381873A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202310349349.5
申请日:2023-03-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H04N7/15 , H04N21/43 , H04N21/431
Abstract: 本申请公开了一种信息共享方法及装置、会议系统,属于视频会议技术领域。第一会议终端在会议中共享桌面内容,以使参与该会议的第二会议终端显示该桌面内容的画面。第一会议终端接收到画面模糊指令后,向第二会议终端发送画面模糊控制命令。该画面模糊控制命令用于控制第二会议终端对第一会议终端共享的桌面内容的画面进行模糊处理,以使第二会议终端显示经过模糊处理后的画面。本申请提供了对会议终端共享的桌面内容的实时画面模糊功能,丰富了桌面共享功能,提高了操作便捷性。
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公开(公告)号:CN117038571A
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202210471432.5
申请日:2022-04-28
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H10B53/00 , H10B61/00 , H10B63/00
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,用于改善窄沟道效应,并减小位单元的面积,实现更高密度、更高性能的应用。半导体结构的制备方法,包括:提供衬底,衬底具有预设浅沟槽区;刻蚀衬底中位于预设浅沟槽区的部分,形成第一子浅沟槽;对第一子浅沟槽的侧壁进行离子注入,以在衬底中形成掺杂区;刻蚀第一子浅沟槽的底壁,在第一子浅沟槽的下方形成第二子浅沟槽,得到包括第一子浅沟槽和第二子浅沟槽的浅沟槽;在浅沟槽内形成填充部。
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