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公开(公告)号：CN102097564B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010562068.0
申请日：2010-11-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点分子发光器件，该发光器件自下而上依次包含以下结构：下金锗镍金属电极层（1）、镓砷衬底（2）、镓砷缓冲层（3）、n型铝镓砷下包层（4）、镓砷下限制波导层（5）、量子点分子有源区、镓砷上限制波导层（9）、p型铝镓砷上包层（10）、p型镓砷欧姆接触层（11）、二氧化硅绝缘层（12）、上钛铂金金属电极层（13）；所述量子点分子有源区包含n个量子点分子层，每一个量子点分子层包括量子点分子（6）、应力缓冲层（7）和隔层（8），n为自然数，n≥1。本发明利用侧向耦合的量子点分子制成有源区结构及相应的发光器件，拓宽了量子点的应用范围，改善了低维半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN101350392B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810196819.4
申请日：2008-08-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L29/41 , H01L21/28
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层，形成于p型III族氮化物之上，导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上，覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化物接触。这种新型纳米图案电极可以使接触界面处Schottky势垒高度在横向呈非均匀分布，致使整体有效势垒高度下降，有利于形成良好的欧姆接触。将其用于III族氮化物基系列的光发射器件，可以改善其电流横向扩展而提高其发光效率，同时这种新型图案电极与传统的平板电极相比具有很高的光提取效率，有利于提高发光亮度。
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公开(公告)号：CN100505337C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200410060708.2
申请日：2004-08-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是一种直接出射白光的高亮度功率型LED芯片，其结构是：设有至少两个发射不同主波长光的有源区，每一个有源区具有各自的光波导限制层；两种或者多种主波长不同的光谱混合在一起产生白光；其两侧的解理腔面都镀有反射膜，形成光子谐振腔；光出射方向为全侧面出光，此种结构适合GaN基或ZnSe基的LED，或者其它材料的LED；其衬底是蓝宝石衬底，或SiC衬底，或者别的衬底材料。本发明克服了现有的白光LED在结构、封装方面，以及亮度不够高、发光效率和发光功率小、制作工艺复杂等方面存在的缺陷，更适合在照明市场的广泛应用。
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公开(公告)号：CN101350392A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810196819.4
申请日：2008-08-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L29/41 , H01L21/28
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层，形成于p型III族氮化物之上，导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上，覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化物接触。这种新型纳米图案电极可以使接触界面处Schottky势垒高度在横向呈非均匀分布，致使整体有效势垒高度下降，有利于形成良好的欧姆接触。将其用于III族氮化物基系列的光发射器件，可以改善其电流横向扩展而提高其发光效率，同时这种新型图案电极与传统的平板电极相比具有很高的光提取效率，有利于提高发光亮度。
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公开(公告)号：CN101132109A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710052745.2
申请日：2007-07-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01S3/098 , H01S3/10 , H01S3/0941 , H01S3/083 , H01S3/067
Abstract: 一种双波长单纵模光纤环行激光器，光环行器的一个端口依次通过偏振控制器，光耦合器，与掺铒光纤放大器的输入端相接；光环行器的第二端口依次通过信号/泵浦波分复用器、掺铒光纤，与布拉格光纤光栅相接，泵浦激光器与泵浦波分复用器相接，用于对掺铒光纤进行同相泵浦；光环行器的第三端口依次通过偏振控制器、带阻滤波器、带通滤波器，与掺铒光纤放大器的输出端相接，带通滤波器与带阻滤波器构成一个对称的双透射峰窄带滤波器。本发明结构简单，成本低，能在室温下稳定运行，可产生具有较高频率差的双波长单纵模激光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1786757A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510019771.6
申请日：2005-11-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/27
Abstract: 本发明公开了一种全光码型转换装置，它包括光耦合器、保偏光纤和偏振控制器，其中，光耦合器具有两个输入端口和两个输出端口，保偏光纤和偏振控制器分别连接在光耦合器的二个输出端口，构成一个闭合环路。被转换的NRZ信号光从光耦合器的一个端口输入，调节偏振控制器，可以在另一输入端口处获得相应的转换后的PRZ信号。本发明全部由无源器件组成，本质上是一种干涉结构，因此和其他全光码型转换装置相比，本发明装置的转换结果无码型效应，理论上不存在速率限制，并具有结构简单和成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN1160893C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN00131195.6
申请日：2000-11-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明的交叉波长波分复用器(Interleaver)，由光纤准直耦合器和固体腔法布里—白洛Fabry-Perot梳状光滤波器组成，利用梳状光滤波器固定间隔的分立波长选择透射和反射功能分离交叉波长，使奇数信道(λ1、λ3、λ5….)和偶数信道(λ2、λ4、λ6….)光信号分离，实现交叉波长波分复用功能；在此基础上，将多个Interleaver单元级联，构成多级Interleaver器件。高密度的DWDM波长间隔经过一级或多级Interleaver，可以使信道波长间隔扩展。
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公开(公告)号：CN1482481A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03128385.3
申请日：2003-07-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种全光波长转换器，一个激光器经调制器调制输出泵浦光，另一个激光器输出连续的探测光，探测光和泵浦光经波分复用器耦合后，从光环形器的端口A输入，从端口B输出进入半导体光放大器，该光放大器的前端面、后端面均镀有增透膜，从半导体光放大器后端面反射回来的光经光环形器的端口B输入，从端口C输出到可调带通滤波器，滤出转换光信号。本发明采用基于单端耦合输入输出、双程增益的半导体光放大器结构，因而对消光比退化有很好地改善，且结构简单、容易实现，转换效率高，转换波长范围宽。
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公开(公告)号：CN101488551B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910060799.2
申请日：2009-02-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种用CNT薄膜作为透明导电电极的GaN基LED的制备方法，该方法包括半导体外延层的生长、在P型GaN层表面上制备CNT薄膜透明导电电极、二维CNT薄膜光子晶体的制备、N型金属电极的形成和P型电极的制备步骤。本发明可以有效提高LED正面的出光效率，并同时解决透明导电电极与P-GaN的欧姆接触问题；在工艺上，电极选材合理，采用了纳米压印技术，具有制作成本低，生产效率高及光栅分辨率高的特点。
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公开(公告)号：CN101272214B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200810047528.9
申请日：2008-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H04J14/02
Abstract: 本发明涉及光纤传输系统中波分复用系统(WDM)的传输控制，它提出了一种WDM传输系统的传输控制方法，在不改变现有WDM系统的情况下，在发射端阵列波导光栅(AWG)上间隔选择通道进行多通道的信号传输，间隔数为整数参量m，m大于零且小于二分之一通道数；与发射端AWG传输信号的通道对应的接收端AWG的通道接收该发射端AWG通道传输过来的原始信号，下载并且进行转发或者继续传输，在该接收信道的相邻信道，接收原始信号的解调信号，通过滤波选取或者直接提取信息。本发明提供的一种WDM系统的传输控制方法，无需对原有系统进行任何改动，也不需要增加任何器件，能同时实现波分复用系统中的非归零相位调制格式的解调和解复用，适用于不同速率的非归零(NRZ)信号和非归零差分相移键控(NRZ-DPSK)信号的传输。
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