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公开(公告)号:CN101504961B
公开(公告)日:2010-08-11
申请号:CN200810236865.2
申请日:2008-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型氮化镓脊形条纹(4),在所述脊形条纹的小面上自下往上依次设置有源层、小面p型氮化镓层及p型欧姆接触层;其制备方法是:在衬底上设置的n型氮化镓模板层的表面沉积介质薄膜,通过光刻和对介质薄膜进行湿法腐蚀获得图形氮化镓模板,再将模板放入外延设备反应室中进行再生长。本发明发光效率和光提取效率较高,可以实现波长剪裁、多色光合成、线偏振光发射和包括白光在内的各种颜色的发光二极管线偏振光源。
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公开(公告)号:CN101350392B
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200810196819.4
申请日:2008-08-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L29/41 , H01L21/28
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层,形成于p型III族氮化物之上,导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上,覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化物接触。这种新型纳米图案电极可以使接触界面处Schottky势垒高度在横向呈非均匀分布,致使整体有效势垒高度下降,有利于形成良好的欧姆接触。将其用于III族氮化物基系列的光发射器件,可以改善其电流横向扩展而提高其发光效率,同时这种新型图案电极与传统的平板电极相比具有很高的光提取效率,有利于提高发光亮度。
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公开(公告)号:CN101504961A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200810236865.2
申请日:2008-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型氮化镓脊形条纹(4),在所述脊形条纹的小面上自下往上依次设置有源层、小面p型氮化镓层及p型欧姆接触层;其制备方法是:在衬底上设置的n型氮化镓模板层的表面沉积介质薄膜,通过光刻和对介质薄膜进行湿法腐蚀获得图形氮化镓模板,再将模板放入外延设备反应室中进行再生长。本发明发光效率和光提取效率较高,可以实现波长剪裁、多色光合成、线偏振光发射和包括白光在内的各种颜色的发光二极管线偏振光源。
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公开(公告)号:CN101350392A
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200810196819.4
申请日:2008-08-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L29/41 , H01L21/28
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层,形成于p型III族氮化物之上,导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上,覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化物接触。这种新型纳米图案电极可以使接触界面处Schottky势垒高度在横向呈非均匀分布,致使整体有效势垒高度下降,有利于形成良好的欧姆接触。将其用于III族氮化物基系列的光发射器件,可以改善其电流横向扩展而提高其发光效率,同时这种新型图案电极与传统的平板电极相比具有很高的光提取效率,有利于提高发光亮度。
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公开(公告)号:CN201374347Y
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200820230327.8
申请日:2008-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本实用新型是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管,其结构是:包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极,在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型氮化镓脊形条纹(4),在所述脊形条纹的小面上自下往上依次设置有源层、小面p型氮化镓层及p型欧姆接触层。本实用新型提供的面发射多色发光二极管,具有较高的发光效率和光提取效率,可以实现波长剪裁、多色光合成、线偏振光发射和包括白光在内的各种颜色的发光二极管线偏振光源。
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