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公开(公告)号：CN101866967A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010168797.8
申请日：2010-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、InaGa1-aN层(5)、非故意掺杂的InbGa1-bN层(6)、p型掺杂的IncGa1-cN层(7)、窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中：硅衬底和InaGa1-aN层为n型掺杂结构，籽晶层和缓冲层出氧化锌材料制成，窗口层由p型重掺杂的氮化镓制成，减反射导电膜覆盖窗口层除正面电极外的区域。本发明能较有效地解决硅衬底外延氮化镓薄膜时遇到的晶格匹配与热膨胀系数匹配等问题，具有制作成本低和对太阳光的吸收率高等优点。
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公开(公告)号：CN101504961B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810236865.2
申请日：2008-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管，其结构是：包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极，在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型氮化镓脊形条纹(4)，在所述脊形条纹的小面上自下往上依次设置有源层、小面p型氮化镓层及p型欧姆接触层；其制备方法是：在衬底上设置的n型氮化镓模板层的表面沉积介质薄膜，通过光刻和对介质薄膜进行湿法腐蚀获得图形氮化镓模板，再将模板放入外延设备反应室中进行再生长。本发明发光效率和光提取效率较高，可以实现波长剪裁、多色光合成、线偏振光发射和包括白光在内的各种颜色的发光二极管线偏振光源。
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公开(公告)号：CN101866967B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010168797.8
申请日：2010-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其由自下而上排列的背面电极(11)、硅衬底(1)、籽晶层(2)、缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、InaGa1-aN层(5)、非故意掺杂的InbGa1-bN层(6)、p型掺杂的IncGa1-cN层(7)、窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中：硅衬底和InaGa1-aN层为n型掺杂结构，籽晶层和缓冲层出氧化锌材料制成，窗口层由p型重掺杂的氮化镓制成，减反射导电膜覆盖窗口层除正面电极外的区域。本发明能较有效地解决硅衬底外延氮化镓薄膜时遇到的晶格匹配与热膨胀系数匹配等问题，具有制作成本低和对太阳光的吸收率高等优点。
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公开(公告)号：CN101350392B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810196819.4
申请日：2008-08-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L29/41 , H01L21/28
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层，形成于p型III族氮化物之上，导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上，覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化物接触。这种新型纳米图案电极可以使接触界面处Schottky势垒高度在横向呈非均匀分布，致使整体有效势垒高度下降，有利于形成良好的欧姆接触。将其用于III族氮化物基系列的光发射器件，可以改善其电流横向扩展而提高其发光效率，同时这种新型图案电极与传统的平板电极相比具有很高的光提取效率，有利于提高发光亮度。
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公开(公告)号：CN101504961A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200810236865.2
申请日：2008-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管，其结构是：包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极，在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型氮化镓脊形条纹(4)，在所述脊形条纹的小面上自下往上依次设置有源层、小面p型氮化镓层及p型欧姆接触层；其制备方法是：在衬底上设置的n型氮化镓模板层的表面沉积介质薄膜，通过光刻和对介质薄膜进行湿法腐蚀获得图形氮化镓模板，再将模板放入外延设备反应室中进行再生长。本发明发光效率和光提取效率较高，可以实现波长剪裁、多色光合成、线偏振光发射和包括白光在内的各种颜色的发光二极管线偏振光源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350392A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810196819.4
申请日：2008-08-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L29/41 , H01L21/28
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种纳米图案p型III族氮化物欧姆接触电极及制备方法。纳米图案导电层为蜂窝形膜层，形成于p型III族氮化物之上，导电覆盖层沉积在纳米图案导电层上，覆盖层沉积在纳米图案导电层的纳米微孔内的部分与p型III族氮化物接触。这种新型纳米图案电极可以使接触界面处Schottky势垒高度在横向呈非均匀分布，致使整体有效势垒高度下降，有利于形成良好的欧姆接触。将其用于III族氮化物基系列的光发射器件，可以改善其电流横向扩展而提高其发光效率，同时这种新型图案电极与传统的平板电极相比具有很高的光提取效率，有利于提高发光亮度。
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公开(公告)号：CN201374347Y
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200820230327.8
申请日：2008-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本实用新型是具有表面为凸起的条纹图案状结构的氮化物面发射多色发光二极管，其结构是：包括衬底(1)、n型氮化镓模板层(2)、介质图案层(3)、有源层(5)和电极，在介质图案层窗口方向暴露出的n型氮化镓模板层的上面设有凸起的n型氮化镓脊形条纹(4)，在所述脊形条纹的小面上自下往上依次设置有源层、小面p型氮化镓层及p型欧姆接触层。本实用新型提供的面发射多色发光二极管，具有较高的发光效率和光提取效率，可以实现波长剪裁、多色光合成、线偏振光发射和包括白光在内的各种颜色的发光二极管线偏振光源。
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公开(公告)号：CN202561479U
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201220105127.6
申请日：2012-03-20
Applicant: 华中科技大学 , 武汉亦志光电科技有限公司
IPC: F21S2/00 , F21V25/12 , F21V3/04 , F21V23/00 , F21Y101/02
Abstract: 本实用新型提供一种LED防爆灯，包括：壳体，其顶部设有插槽；与所述插槽相配合以与所述壳体连接的基板，所述基板具有面向壳体的第一表面和与第一表面相对的第二表面；设置在所述基板的第二表面上的至少一个电路板；设置在所述电路板上面的至少两排灯芯；与所述壳体相连，罩住所述灯芯的灯罩；所述防爆灯还包括分别设置在所述壳体两端的两个堵头，所述两个堵头与所述壳体及所述灯罩构成密闭结构。本实用新型中承载灯芯的电路板与壳体分离，极大方便了灯芯的更换；同时带灯芯的电路板的数量可以调节，实现同一防爆灯构架下不同的照明亮度。
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公开(公告)号：CN202631646U
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201220092553.0
申请日：2012-03-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R29/22
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基多量子阱结构的外延片压电场的测量系统，包括：设置在测量密封室内、激发所述外延片产生光信号，并对所述光信号进行模数处理的测量子系统；通过所述光信号获得外延片光谱从而获得外延片压电场的分析控制子系统。所述测量子系统包括：为外延片提供外置电压的电压源；产生用于照射在外延片表面的光以激发外延片产生光信号的激发光源；接收并放大外延片的光信号的光电倍增管；将光电倍增管输出的光信号转换为数字信号的A/D模数转换器。所述分析控制子系统包括：得到外延片的光谱并获得外延片压电场的多功能控制器和调节电压源电压的电压调节控制器。本实用新型结构简单，操作方便，准确获得的外延片压电场。
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公开(公告)号：CN201754407U
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201020184791.5
申请日：2010-04-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/0328 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本实用新型涉及硅基单结氮化镓铟太阳能电池，其结构是：由自下而上排列的背面电极(11)、n型掺杂的硅衬底(1)、氧化锌籽晶层(2)、氧化锌纳米阵列缓冲层(3)、n型掺杂的氮化镓缓冲层(4)、n型掺杂的InaGa1-aN层(5)、非故意掺杂的InbGa1-bN层(6)、p型掺杂的IncGa1-cN层(7)、p型重掺杂的氮化镓窗口层(8)、正面电极(9)和减反射导电膜(10)组成，其中，减反射导电膜(10)覆盖p型重掺杂的氮化镓窗口层(8)除正面电极(9)外的区域。本实用新型能较有效地解决硅衬底外延氮化镓薄膜时遇到的晶格匹配与热膨胀系数匹配等问题，具有制作成本低和对太阳光的吸收率高等优点。
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