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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097564A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010562068.0
申请日：2010-11-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点分子发光器件，该发光器件自下而上依次包含以下结构：下金锗镍金属电极层（1）、镓砷衬底（2）、镓砷缓冲层（3）、n型铝镓砷下包层（4）、镓砷下限制波导层（5）、量子点分子有源区、镓砷上限制波导层（9）、p型铝镓砷上包层（10）、p型镓砷欧姆接触层（11）、二氧化硅绝缘层（12）、上钛铂金金属电极层（13）；所述量子点分子有源区包含n个量子点分子层，每一个量子点分子层包括量子点分子（6）、应力缓冲层（7）和隔层（8），n为自然数，n≥1。本发明利用侧向耦合的量子点分子制成有源区结构及相应的发光器件，拓宽了量子点的应用范围，改善了低维半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN101887936A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010186606.0
申请日：2010-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及铟砷量子点有源区结构，它包含n个铟砷量子点层(1)，n≥1，n为自然数；每一个铟砷量子点层(1)中都自下而上依次外延生长In组分线性增加的InGaAs层、InAs量子点层、In组分线性减小的InGaAs层、盖层。本发明还涉及铟砷量子点发光器件，它是在镓砷衬底上由下至上依次外延生长镓砷缓冲层、下包层、下限制波导层、铟砷量子点有源区结构、上限制波导层、上包层、欧姆接触层。本发明可以减小铟砷量子点所承受的压应力、抑制量子点中的铟析出、减小量子点有源区结构的积累应变、减小缺陷和位错，因此，铟砷量子点及相应的发光器件具有较大的发光效率和发光强度。
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公开(公告)号：CN112763052B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202011484750.2
申请日：2020-12-16
IPC: G01H11/08
Abstract: 本发明提供的一种反电子监测的声波传感器，是一种基于共振腔的宽频带声波传感器，其包含光电收发模块、信号获取传感部件、固件、信号处理模块。信号获取传感部件的共振腔受到声波作用后，引起薄膜振动，使得薄膜反射的探针光到达收发模块前端的接收耦合光纤时发生位置偏移，此时进入接收耦合光纤的光强随薄膜振动强弱规律性变化，探测接收耦合光纤的光强度并经过信号处理，即可获得声波信息。固件固定准直光纤和信号获取传感部件。本发明不含金属部件和电子器件，不会对电磁检测信号产生响应，其本身也不辐射电磁波，因而具有反电子监测、覆盖次声波段、宽带宽、体积小、重量轻、灵敏度高等优点，可在空气和水下声波传感场景中应用。
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公开(公告)号：CN112763052A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202011484750.2
申请日：2020-12-16
IPC: G01H11/08
Abstract: 本发明提供的一种反电子监测的声波传感器，是一种基于共振腔的宽频带声波传感器，其包含光电收发模块、信号获取传感部件、固件、信号处理模块。信号获取传感部件的共振腔受到声波作用后，引起薄膜振动，使得薄膜反射的探针光到达收发模块前端的接收耦合光纤时发生位置偏移，此时进入接收耦合光纤的光强随薄膜振动强弱规律性变化，探测接收耦合光纤的光强度并经过信号处理，即可获得声波信息。固件固定准直光纤和信号获取传感部件。本发明不含金属部件和电子器件，不会对电磁检测信号产生响应，其本身也不辐射电磁波，因而具有反电子监测、覆盖次声波段、宽带宽、体积小、重量轻、灵敏度高等优点，可在空气和水下声波传感场景中应用。
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公开(公告)号：CN102097564B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010562068.0
申请日：2010-11-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及量子点分子发光器件，该发光器件自下而上依次包含以下结构：下金锗镍金属电极层（1）、镓砷衬底（2）、镓砷缓冲层（3）、n型铝镓砷下包层（4）、镓砷下限制波导层（5）、量子点分子有源区、镓砷上限制波导层（9）、p型铝镓砷上包层（10）、p型镓砷欧姆接触层（11）、二氧化硅绝缘层（12）、上钛铂金金属电极层（13）；所述量子点分子有源区包含n个量子点分子层，每一个量子点分子层包括量子点分子（6）、应力缓冲层（7）和隔层（8），n为自然数，n≥1。本发明利用侧向耦合的量子点分子制成有源区结构及相应的发光器件，拓宽了量子点的应用范围，改善了低维半导体器件的性能。
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