公开(公告)号：CN113468838B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202110692342.4

申请日：2021-06-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 冯丹 ,  童薇 ,  刘景宁 ,  汪承宁 ,  吴兵

IPC: G06F30/3308 ,  G06K9/62

Abstract: 本发明公开了一种三维交叉点存储阵列的建模方法及模拟方法，属于电子信息存储领域，包括：根据待模拟访问操作的行列地址提取存储阵列中包含所选单元和半选单元的关键存储层；对于写操作，裁剪各关键存储层中的未选单元，将所选字线和所选位线前端直接串联的线段合并，裁剪掉所选字线和所选位线后侧的零电流线段；对于读操作，将各关键存储层中每nGM个相邻的字线划分为一个字线组，对于不包含所选字线的字线组，利用电桥使位于同一位线上的单元并联，裁剪未选单元，将其中的字线合并为一条超级字线，将所选字线和所选位线前端直接串联的线段合并；根据压缩后的关键存储层建模。本发明能压缩存储阵列模型，减小访问操作模拟的内存空间和时间开销。

公开(公告)号：CN113468838A

公开(公告)日：2021-10-01

申请号：CN202110692342.4

申请日：2021-06-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 冯丹 ,  童薇 ,  刘景宁 ,  汪承宁 ,  吴兵

IPC: G06F30/3308 ,  G06K9/62

Abstract: 本发明公开了一种三维交叉点存储阵列的建模方法及模拟方法，属于电子信息存储领域，包括：根据待模拟访问操作的行列地址提取存储阵列中包含所选单元和半选单元的关键存储层；对于写操作，裁剪各关键存储层中的未选单元，将所选字线和所选位线前端直接串联的线段合并，裁剪掉所选字线和所选位线后侧的零电流线段；对于读操作，将各关键存储层中每nGM个相邻的字线划分为一个字线组，对于不包含所选字线的字线组，利用电桥使位于同一位线上的单元并联，裁剪未选单元，将其中的字线合并为一条超级字线，将所选字线和所选位线前端直接串联的线段合并；根据压缩后的关键存储层建模。本发明能压缩存储阵列模型，减小访问操作模拟的内存空间和时间开销。

公开(公告)号：CN108053852B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201711069120.7

申请日：2017-11-03

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 冯丹 ,  童薇 ,  刘景宁 ,  汪承宁 ,  张扬 ,  李艺林

IPC: G11C7/10 ,  G11C16/10

Abstract: 本发明公开了一种基于交叉点阵列的阻变存储器的写入方法，属于信息存储领域。本发明方法通过动态地选择最短的电压降路径来提升有效电压，降低写入延迟；通过一种区域划分方式来缩小各个区域内的写入延迟差异，以减小各个区域的写入延迟，同时保证了单元级并行度；通过一种编址与寻址方式来在物理地址和单元位置之间建立映射，使得写入延迟随着物理地址递增，有利于地址映射、内存分配与编译优化，并提供了一种并行寻址电路系统来加速寻址过程；通过一种特定的电压偏置模式来在既不同行也不同列的单元之间重叠SET和RESET过程，开发了交叉点阵列中的行级并行。本发明方法能够降低阻变存储器的写入延迟，提升写入带宽，减少写入能耗。

公开(公告)号：CN109461811A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811059080.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 童薇 ,  冯丹 ,  刘景宁 ,  吴兵 ,  汪承宁 ,  张扬

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种CRS阻变存储器的混合可重配方法，属于信息存储技术领域。本发明属于信息存储技术领域。本发明方法包括：使CRS阻变存储器的交叉点阵列中，每条字线只包含一个MEM单元，或每条位线只包含一个MEM单元；采用直接映射法存储MEM单元的模式标志位，构建单元模式记录表；CRS阻变存储器采用1TnR结构；动态切换储存单元的工作模式，保证最常被访问的单元处于MEM模式。本发明方法结合CRS单元的两种工作模式，互补对方的缺点，在对操作系统透明的情况下，以较小的开销下做到阵列单元可重配。从而达到抑制存储阵列潜行电流、提升可靠性和降低能耗的同时，尽可能减少CRS单元的恢复写操作，以此获得更低的延时和更长的使用寿命。

公开(公告)号：CN109448770A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811107853.X

申请日：2018-09-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 冯丹 ,  张扬 ,  童薇 ,  刘景宁 ,  汪承宁 ,  吴兵 ,  徐洁 ,  徐高翔

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种交叉开关结构阻变存储器的优化方法，属于计算机存储技术领域。本发明方法在每个crossbar阵列的四端都设计电压源，在字线和位线上同时缓解电压下降问题，同时将阵列划分为快、中、慢三种类型的块，将热数据映射到快块，将温数据映射到中块，将冷数据映射到慢块，同时也探索块类型、RESET延迟以及选定字线上低阻单元所占比例范围之间的关系，将最合适的RESET延迟暴露给内存控制器调用，动态加速RESET操作，并且设计电路与体系结构相结合的方案来解决读写干扰问题，由此优化ReRAM的性能和可靠性。