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公开(公告)号：CN110171842B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910306815.5
申请日：2019-04-17
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G19/02 , H01L31/0216 , H01L33/12 , H01L33/14 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用，将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中，加入沉淀剂进行沉淀；进行离心分离和去离子水清洗；将产物置于水热反应装置中，加入矿化剂，并加水分散经水热反应得到锡基氧化物半导体材料纳米晶。所得的锡基氧化物半导体材料可以作为太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应管等光电器件中的载流子传输层或者缓冲层，由于混合价态锡基氧化物组分可调，从而具有载流子迁移率、能带结构、透光率、导电性等半导体材料性能可调的优点，同时本发明制备方法工艺简单，反应条件温和，在光电器件领域对器件的灵活设计与性能优化有着明显的促进作用，有很大的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN109103337A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810771232.5
申请日：2018-07-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种以碘铅甲脒作为太阳能电池吸光层的工艺及其应用，该太阳能电池吸光层具体为含碘铅甲脒组分的钙钛矿，其制备方法具体是(1)制备介孔结构；(2)含FAPbI3碘铅甲脒钙钛矿的前驱液的配制：将包括PbI2、FAI、CsI等在内的原料按化学剂量比配比，然后溶解在溶剂中，搅拌均匀，获得澄清透明的前驱液；(3)将前驱液填充于介孔结构中，静置，然后在溶剂氛围下退火即可得到内部含有碘铅甲脒的结构。本发明通过在溶剂蒸气辅助下的退火处理，溶剂的蒸汽辅助在抑制碘甲脒(FAI)等的挥发的同时可减缓结晶，能够使得FAPbI3在介孔膜结构中被稳定在黑色相。
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公开(公告)号：CN109088003A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810771511.1
申请日：2018-07-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿功能器件领域，具体公开了一种基于单晶转移法制备太阳能电池吸光层的方法及其应用，其中内部含有钙钛矿材料的结构的制备方法包括以下步骤：(1)制备钙钛矿材料的单晶粉末；(2)制备介孔结构；(3)将单晶粉末置于介孔结构的表面，通入甲胺气使单晶粉末转变为液态中间相，静置使液态中间相渗透进入介孔结构；(4)通入氩气或氮气，使甲胺气排出，辅助使介孔结构内部的液态中间相转变为固态的钙钛矿材料。本发明通过对内部含有钙钛矿材料的结构的制备方法其整体流程工艺设计，利用钙钛矿材料在甲胺气、不含甲胺气的气氛下发生相态作用，可实现钙钛矿单晶转移，并可有效提高钙钛矿太阳能电池器件的性能。
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公开(公告)号：CN116313219B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202310156226.X
申请日：2023-02-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B1/22 , H01B13/00 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种导电浆料及其制备方法与在多孔背电极中的应用，属于光伏器件的电极制备技术领域。本发明中导电浆料包括导电介质颗粒、造孔剂、粘结剂和溶剂；所述导电介质颗粒包括金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物和金属硅化物中的至少一种。其中，导电介质颗粒作为多孔背电极的主要成分，具有高导电性以及高温稳定性。本发明导电浆料中包括金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物、金属硅化物其中的一种或多种，从而增大多孔背电极整体的导电性，使得载流子在多孔背电极上传输阻碍更小，从而提升钙钛矿太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN116002989B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202211677279.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：(1)准备钙钛矿前驱体；(2)将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；(3)通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116031015B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202310156507.5
申请日：2023-02-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B1/24 , H01L31/0224 , H01B13/00
Abstract: 本发明涉及一种导电浆料及其制备方法与在高温多孔背电极中的应用，属于光电/电子器件的电极制备领域。本发明导电浆料包括导电介质颗粒、高温粘结剂、低温粘结剂、造孔剂、溶剂；其中，高温粘结剂在高温下会熔化，但不会分解挥发，从而起到粘结电极中导电介质颗粒的作用。本发明通过在所述导电浆料中添加高温粘结剂，可以在多孔电极高温退火的过程中经历升温熔化渗透到电极底层，再降温凝固的过程，从而粘结电极中导电介质颗粒，起到增强高温多孔电极的机械性能以及与基底接触的作用。这种导电浆料用于制备可印刷介观钙钛矿太阳能电池中的多孔电极，可以使器件性能得到优化。
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公开(公告)号：CN116002989A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211677279.8
申请日：2022-12-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，公开了一种卤化物钙钛矿面内定向结晶方法，该方法包括以下步骤：(1)准备钙钛矿前驱体；(2)将钙钛矿前驱体涂敷在基底上，得到前驱体湿膜；(3)通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置及挥发方向，控制前驱体湿膜在单一的选定局域优先过饱和，实现可控位置的定位形核，同时抑制其他位置出现形核，建立放射状的面内浓度梯度，实现面内的定向连续生长，从而得到定位形核、连续生长的卤化物钙钛矿薄膜。本发明通过调控前驱体湿膜中溶剂的挥发位置、挥发方向，先发生定位形核，再发生面内定向连续生长，能够实现对高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备。
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公开(公告)号：CN114220918A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111504532.5
申请日：2021-12-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
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公开(公告)号：CN112909174A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110079755.5
申请日：2021-01-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于卤化物钙钛矿半导体领域，具体涉及一种P型掺杂卤化物钙钛矿半导体及其制备方法，该半导体由ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物与P型掺杂剂构成；其中P型掺杂剂由正一价阳离子DA、正一价阳离子DDB、负一价阴离子DX、卤素或拟卤素原子DDX组成；DA生长于钙钛矿或其衍生物的A位，DDB作为掺杂元素生长于钙钛矿或其衍生物的B位，并导致钙钛矿或其衍生物生成X位空位，DX占据钙钛矿或其衍生物的X位，DDX作为掺杂元素占据掺杂元素DDB导致的X位空位，并导致ABX3型卤化物钙钛矿或其衍生物生成空穴，形成P型掺杂卤化物钙钛矿半导体。本发明突破了P型晶格掺杂卤化物钙钛矿半导体的短板，助力卤化物钙钛矿半导体电子/光电子器件的进一步发展。
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公开(公告)号：CN106252447A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610843343.3
申请日：2016-09-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0525 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0525 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种新型太阳能电池，其包括依次层叠介观钙钛矿太阳能电池、热电电池和散热器，其中，所述介观钙钛矿太阳能电池与热电电池采用粘接、或者通过蒸镀、沉积或生长工艺在介观钙钛矿太阳能电池的对电极上分别沉积不同P型和N型的热电材料而集成，且所述介观钙钛矿太阳能电池与热电电池串联或者并联。本发明还公开了上述太阳能电池与热电电池叠层器件的制备方法。本发明的太阳能电池及其制备方法，其采用全新的结构设计，将介观钙钛矿太阳能电池与无机材料热电池进行叠加集成，采用相应的制备方法进行集成，从而制备的太阳能电池不仅可以避免热能对器件寿命的影响，提升太阳能电池的使用寿命和稳定性，更为重要的是大大提高了对太阳能的利用率。
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