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公开(公告)号：CN114220918A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111504532.5
申请日：2021-12-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
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公开(公告)号：CN112786790A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110030628.6
申请日：2021-01-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池、其界面修饰层及修饰层制备方法，其中，界面修饰层的材料包括纳米碳材料和高分子聚合物，纳米碳材料所占质量百分比大于5％、且小于40％。该界面修饰层应用于钙钛矿太阳能电池时，该钙钛矿太阳能电池包括依次堆叠的负极、电子传输层、吸光层、界面修饰层和正极，此时界面修饰层中的纳米碳材料承担空穴提取的作用，高分子承担阻挡钙钛矿吸光层与正极界面载流子复合的作用，可以实现钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸光层/正极界面处空穴的提取与电子的阻挡，从而避免了常规空穴传输层的使用；与此同时，该材料成本较低，可以以较低的成本解决当前空穴传输层对器件性能的制约问题，大大提高了电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN107195385B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710343192.X
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B13/00 , H01B1/24 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种低温导电碳浆料的制备方法，包括(1)将适量的碳黑和石墨混合在一起球磨，使其混合均匀；(2)将适量溶剂加到混合均匀的石墨和碳黑中，球磨，使溶剂均匀包裹在石墨和碳黑表面；(3)将适量有机或无机粘结剂和含有‑COOH或‑OH的化合物加入到均匀包裹溶剂的石墨和碳黑表面，球磨，即可得到碳浆料材料。本发明方法通过优化的工艺，可以制备得到具有高导电性和柔性好的低温碳浆料，且制备工艺简单可靠。本发明还提供了利用上述制备方法制备得到的导电碳浆料，以及上述导电碳浆料的应用。
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公开(公告)号：CN107146847A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710342369.4
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/441 , H01L51/0022 , H01L51/4253 , H01L51/448
Abstract: 本发明公开了一种新型基于碳电极全固态可印刷钙钛矿太阳能电池及其制备方法，即采用丝网印刷技术印刷TiO2工作电极、绝缘层、多孔碳对电极及低温碳对电极，其中多孔碳对电极为400℃烧结的多孔碳层，低温碳对电极为150℃以下烧结的致密碳层。该结构生产工艺简单、材料成本低廉，通过降低碳对电极的方块电阻进而降低太阳能电池器件的串联电阻，而且能大大减少钙钛矿溶液的填充量。该结构是一种环境友好型、具有很大发展潜力和市场前景的新型太阳能电池结构。
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公开(公告)号：CN113788629A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110954137.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，属于卤化物钙钛矿半导体技术领域。本发明通过调控卤化物钙钛矿前驱体，在基底上涂敷卤化物钙钛矿前驱体湿膜，在密闭空间中调控前驱体湿膜中溶剂的挥发过程，从而控制前驱体湿膜的饱和度，抑制均匀成核，促进钙钛矿晶粒的充分生长，实现高质量钙钛矿薄膜的制备。通过本方法，实现了形核少、生长充分、晶界少的高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备，为高性能卤化物钙钛矿光电子器件的制备提供有力支撑。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107146847B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710342369.4
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种新型基于碳电极全固态可印刷钙钛矿太阳能电池及其制备方法，即采用丝网印刷技术印刷TiO2工作电极、绝缘层、多孔碳对电极及低温碳对电极，其中多孔碳对电极为400℃烧结的多孔碳层，低温碳对电极为150℃以下烧结的致密碳层。该结构生产工艺简单、材料成本低廉，通过降低碳对电极的方块电阻进而降低太阳能电池器件的串联电阻，而且能大大减少钙钛矿溶液的填充量。该结构是一种环境友好型、具有很大发展潜力和市场前景的新型太阳能电池结构。
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公开(公告)号：CN107195385A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710343192.X
申请日：2017-05-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01B13/00 , H01B1/24 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B13/00 , H01B1/24 , H01L31/022425
Abstract: 本发明公开了一种低温导电碳浆料的制备方法，包括(1)将适量的碳黑和石墨混合在一起球磨，使其混合均匀；(2)将适量溶剂加到混合均匀的石墨和碳黑中，球磨，使溶剂均匀包裹在石墨和碳黑表面；(3)将适量有机或无机粘结剂和含有‑COOH或‑OH的化合物加入到均匀包裹溶剂的石墨和碳黑表面，球磨，即可得到碳浆料材料。本发明方法通过优化的工艺，可以制备得到具有高导电性和柔性好的低温碳浆料，且制备工艺简单可靠。本发明还提供了利用上述制备方法制备得到的导电碳浆料，以及上述导电碳浆料的应用。
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公开(公告)号：CN114220918B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111504532.5
申请日：2021-12-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种改善卤化物钙钛矿薄膜质量的方法、薄膜及其应用，属于钙钛矿薄膜制备领域，方法包括：S1，制备卤化物钙钛矿薄膜；S2，将一种或多种吸湿盐溶于溶剂中，配置吸湿盐溶液；S3，将所述吸湿盐溶液涂覆在所述卤化物钙钛矿薄膜的表面，涂覆方式为旋涂、浸泡、刮涂、狭缝涂布、喷涂中的任一种，之后进行退火处理；S4，将退火处理后涂覆有吸湿盐的卤化物钙钛矿薄膜在设定温度、设定湿度的环境中放置设定时间，以增大钙钛矿晶粒的尺寸。通过对卤化物钙钛矿薄膜进行后处理，能够有效改善钙钛矿晶粒尺寸，提高晶粒结晶度，减少晶界，减少非辐射复合，从而提高电荷传输能力。
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公开(公告)号：CN112786790B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110030628.6
申请日：2021-01-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池、其界面修饰层及修饰层制备方法，其中，界面修饰层的材料包括纳米碳材料和高分子聚合物，纳米碳材料所占质量百分比大于5％、且小于40％。该界面修饰层应用于钙钛矿太阳能电池时，该钙钛矿太阳能电池包括依次堆叠的负极、电子传输层、吸光层、界面修饰层和正极，此时界面修饰层中的纳米碳材料承担空穴提取的作用，高分子承担阻挡钙钛矿吸光层与正极界面载流子复合的作用，可以实现钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸光层/正极界面处空穴的提取与电子的阻挡，从而避免了常规空穴传输层的使用；与此同时，该材料成本较低，可以以较低的成本解决当前空穴传输层对器件性能的制约问题，大大提高了电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN113788629B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110954137.0
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量卤化物钙钛矿薄膜的制备方法，属于卤化物钙钛矿半导体技术领域。本发明通过调控卤化物钙钛矿前驱体，在基底上涂敷卤化物钙钛矿前驱体湿膜，在密闭空间中调控前驱体湿膜中溶剂的挥发过程，从而控制前驱体湿膜的饱和度，抑制均匀成核，促进钙钛矿晶粒的充分生长，实现高质量钙钛矿薄膜的制备。通过本方法，实现了形核少、生长充分、晶界少的高质量卤化物钙钛矿薄膜的可控制备，为高性能卤化物钙钛矿光电子器件的制备提供有力支撑。
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