一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器

    公开(公告)号:CN101363903A

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200810222312.1

    申请日:2008-09-16

    Abstract: 本发明提供了一种利用铁磁性纳米环巨磁电阻效应的磁场传感器,属于磁性纳米传感器技术领域。该传感器由在基片上制备的纳米尺寸的铁磁性纳米环以及一组引线组成,在环的两端连接的这组引线同时作为恒流源接线和电压测量接线,铁磁性纳米环的外径D的范围在7纳米到10微米之间,内径d小于外径D,环宽范围在5纳米到1微米之间,纳米环的厚度在1纳米到500纳米之间。该传感器利用铁磁性纳米环在外磁场作用下,其电阻的巨大变化来探测外磁场的变化,制作非常简单,输出信号大,响应快速,特别适合于检测磁场变化的阈值,在磁场转变点的磁场灵敏度极高,可达2-10%/Oe或更高,同时该传感器还可作为磁存储单元。

    一种温度压力测量装置及测试方法

    公开(公告)号:CN105784002B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201610321792.1

    申请日:2016-05-16

    Abstract: 本发明提供一种温度压力测量装置及测试方法,能够实现大范围的温度测量且测量结果可靠性高。所述装置包括:激光光源模块、拉曼光纤探头、拉曼信号处理模块、控制模块;其中,所述拉曼光纤探头包括:光纤本体及在该光纤本体的末端端面上镀有的拉曼活性材料薄膜;所述拉曼光纤探头,用于接收所述激光光源模块产生的所述激光,所述激光入射到所述光纤本体末端的拉曼活性材料薄膜上激发所述拉曼活性材料的拉曼散射信号产生散射光;所述拉曼信号处理模块,用于对所述散射光进行处理,得到拉曼光谱;所述控制模块,用于对所述拉曼光谱进行分析,得到所述拉曼活性材料的温度和压力信息。本发明适用于光纤传感测量技术领域。

    一种电阻应变式压力传感器及其测试方法

    公开(公告)号:CN105806520A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610330713.3

    申请日:2016-05-18

    CPC classification number: G01L1/22 G01L9/04

    Abstract: 本发明公开了一种电阻应变式压力传感器,包括:压力敏感元件、金属外筒、集成电路芯片和电缆,所述压力敏感元件和所述集成电路芯片通过所述电缆相连,并设置于所述金属外筒内部;靠近所述压力敏感元件的所述金属外筒的第一筒身部分的第一内径小于靠近所述集成电路芯片的所述金属外筒的第二筒身部分的第二内径;靠近所述第一筒身部分的金属外筒的底部设置有第一塞部,所述第一塞部上均匀设置传压孔以连通所述金属外筒的内部和外部。根据本发明的电阻应变式压力传感器,可以在?200℃至1200℃的气体环境中测量压力,使用温度范围广、测试精度高、重复度好;同时,所述电阻应变式压力传感器可灵活地固定在被测的固体结构构件上,空间利用充分、操作方便。

    一种镍铁薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN1315641C

    公开(公告)日:2007-05-16

    申请号:CN200410009912.1

    申请日:2004-11-30

    Abstract: 本发明提供了一种镍铁薄膜及其制备方法。镍铁薄膜中镍含量在10至35原子百分比,其中面心立方结构所占的比例在0至100%之间可调。镍铁薄膜具有垂直于基片表面的柱状晶粒,晶粒在平行于基片表面方向上的宽度是5至500纳米。用物理气相沉积法制备不同成分的镍铁薄膜,用低于500度的热处理调节镍铁薄膜中面心立方结构所占比例。本发明的优点在于:通过对同一种成分的镍铁薄膜进行低温热处理,调节薄膜中不同结晶结构比例,获得相应的物理特性。由于温度控制容易,所以制备工艺稳定、制备方法简单。

    一种镍铁薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN1613641A

    公开(公告)日:2005-05-11

    申请号:CN200410009912.1

    申请日:2004-11-30

    Abstract: 本发明提供了一种镍铁薄膜及其制备方法。镍铁薄膜中镍含量在10至35原子百分比,其中面心立方结构所占的比例在0至100%之间可调。镍铁薄膜具有垂直于基片表面的柱状晶粒,晶粒在平行于基片表面方向上的宽度是5至500纳米。用物理气相沉积法制备不同成分的镍铁薄膜,用低于500度的热处理调节镍铁薄膜中面心立方结构所占比例。本发明的优点在于:通过对同一种成分的镍铁薄膜进行低温热处理,调节薄膜中不同结晶结构比例,获得相应的物理特性。由于温度控制容易,所以制备工艺稳定、制备方法简单。

    一种基于二维半导体材料量子电容的忆容器

    公开(公告)号:CN117998980A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410083908.7

    申请日:2024-01-19

    Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料量子电容的忆容器,属于人工智能神经信息存储技术领域,所述忆容器包括:电容极板、介电层以及导电层;所述电容极板包括二维半导体材料层和p型硅层;所述介电层设置于所述二维半导体材料层和p型硅层之间,所述p型硅层远离所述介电层的一面覆盖在所述导电层上方。本申请提供的忆容器,因为二维半导体材料的量子电容在载流子浓度变化时具有灵敏的响应,所以具有更高的响应强度和灵敏度。同时本申请提供的忆容器还可以被多种因素调控,所以该器件可以实现电增强‑电衰退、电增强‑气衰退、光增强‑电衰退和光增强‑气衰退等多场耦合调控。此外该器件还可用于模拟生物神经突触行为。

    基于MXene的SERS薄膜基底的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN113666373A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110863601.5

    申请日:2021-07-29

    Abstract: 本发明公开了一种基于MXene的SERS薄膜基底制备方法及应用,涉及表面增强拉曼散射光谱技术领域,本发明所述的方法包括使用氟化锂‑盐酸为刻蚀分层剂选择性刻蚀掉前驱体MAX材料中的Al原子层,所获得的双过渡金属碳化物二维层状材料用去离子水将其反复清洗、离心;然后将其在去离子水中分散,摇晃,再离心抽滤;得到新型的自支撑SERS薄膜基底。本发明所用的制备方法操作简单,成本低廉,具有灵敏度高,拉曼增强效果好,可重现性高等优点,可应用于环境、食品安全、生物标志物等领域的痕量检测,具有广阔的应用前景。

    一种单色光辐照试验老化箱

    公开(公告)号:CN116223349A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202211579044.5

    申请日:2022-12-07

    Abstract: 本发明提供一种单色光辐照试验老化箱,属于光老化设备技术领域;包括箱体,箱体顶面安装有散热风扇,以其为圆心向外均匀分布多组单色LED灯,箱体壁四周上与每个单色LED灯对应的位置设有箱门,箱体内设有多组隔板,隔板将箱体内均分为多个独立空间,相邻隔板之间设有样品台,样品台置于升降台之上,升降台安装在箱体内的底部,箱体内设有散热装置和湿度调节装置,箱体底部安装有万向轮;本发明能够实时检测并调节箱内温度湿度,设置多组灯并用隔板隔开能够实现对照试验的功能,且箱体内光的辐照度、波段范围、温湿度在本发明是可以调节的,为老化试验提供了多种变量,使试验结果更全面准确。

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