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公开(公告)号：CN117998980A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410083908.7
申请日：2024-01-19
Applicant: 北京科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体材料量子电容的忆容器，属于人工智能神经信息存储技术领域，所述忆容器包括：电容极板、介电层以及导电层；所述电容极板包括二维半导体材料层和p型硅层；所述介电层设置于所述二维半导体材料层和p型硅层之间，所述p型硅层远离所述介电层的一面覆盖在所述导电层上方。本申请提供的忆容器，因为二维半导体材料的量子电容在载流子浓度变化时具有灵敏的响应，所以具有更高的响应强度和灵敏度。同时本申请提供的忆容器还可以被多种因素调控，所以该器件可以实现电增强‑电衰退、电增强‑气衰退、光增强‑电衰退和光增强‑气衰退等多场耦合调控。此外该器件还可用于模拟生物神经突触行为。
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