-
公开(公告)号：CN108118395A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711354238.4
申请日：2017-12-15
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积制备二硒化钨单晶薄膜的方法，该方法包括：以钨的氧化物粉末、卤化盐、硒粉为原料，惰性气体为载气，将原料蒸发成气态并输送到基片上沉积生长二硒化钨薄膜。通过控制原料配比、生长温度、生长时间、载气流量等手段控制薄膜厚度。利用本发明，可以在无氢环境下，在600-800摄氏度下生长50um以上，层数可控的二硒化钨薄膜。
-
公开(公告)号：CN114497374A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210042135.9
申请日：2022-01-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法。首先通过模板法制备金属电极，然后通过膜辅助法将制备好的金属电极转移到半导体表面构筑晶体管器件，通过该方法构筑的晶体管，半导体表面和晶格不会被破坏，金属电极和半导体依靠范德华力形成接触，不会产生费米能级钉扎。即通过改变金属电极，使用不同功函数的金属与半导体形成异质结，异质结肖特基势垒高度不同，载流子输运类型可以改变。
-
-
公开(公告)号：CN109516493B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201811284801.X
申请日：2018-10-31
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供自组装离子层外延法低温合成原子层厚氧化锌纳米片的方法，利用互不相溶的两相界面作为生长模板，采用烃基碳链长度在C12‑C18之间的脂肪醇硫酸酯盐溶液为阴离子表面活性剂来诱导锌氧交替形核进而形成氧化锌纳米片，将表面活性剂溶液滴加在反应液表面，通过水热反应，表面活性分子的模板吸附作用，在两相界面处自组装外延生长原子层厚的氧化锌纳米片，可实现氧化锌向任意基底的转移。利用此发明，可实现50‑70℃下生长尺寸约5‑30µm、厚度为1.5‑5 nm的氧化锌纳米片，高效稳定的合成对下一代柔性、透明、可穿戴的纳米器件应用具有重大的商业价值和深远的现实意义。
-
公开(公告)号：CN109742177B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811584882.5
申请日：2018-12-24
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于材料应用技术领域，具体涉及一种具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法。上述器件构筑方法如下，在半导体基底上部分沉积绝缘层，在未沉积绝缘层的部分进行图案化处理外延生长半导体纳米线阵列，采用湿法转移技术将二维层状材料转移到上述阵列上，利用水分蒸发过程中的毛细作用诱导二维层状材料在半导体纳米阵列上产生周期性应变，最后通过电子束曝光结合热蒸镀构筑电极，完成器件的构筑。这种具有周期性应变的范德华异质结型光电器件为设计高性能的光电探测器提供了新的思路，具有重大的商业价值和深远的现实意义。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106549064B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610885644.2
申请日：2016-10-11
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/12
Abstract: 本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合物纳米片的未保护区域，以修复过渡金属硫族化合物纳米片的结构缺陷，从而在过渡金属硫族化合物纳米片的保护与未保护区域形成过渡金属硫族化合物同质结。通过本发明所述方法制备获得的同质结的结构，受环境影响较小，表现出良好的稳定性、可操作性极强，不需要高温退火，并且不需要掺杂工艺。
-
公开(公告)号：CN116705889A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310774784.2
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0236 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了梯度应变调控的范德华异质结型光电探测器及其制备方法，包括：源电极、半导体基底、二维层状材料、一维半导体纳米柱阵列、石墨烯层、绝缘层和漏电极；源电极设置在所述半导体基底上表面的一侧，一维半导体纳米柱阵列设置于半导体基底上表面图案化区域，绝缘层设置在半导体基底上表面远离源电极的另一侧以及一维半导体纳米柱阵列的间隙位置，二维层状材料置于一维半导体纳米柱阵列和绝缘层上，石墨烯层置于二维层状材料上，漏电极设置在所述石墨烯层上方。本发明具有一定的普适性，不仅局限于使用的几种材料，凡是可以构筑出类似结构的材料均可由此方法进行研究，拓宽了材料应变工程的研究范围。
-
公开(公告)号：CN114497374B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202210042135.9
申请日：2022-01-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域，具体涉及一种转移金属电极构筑范德华晶体管的方法。首先通过模板法制备金属电极，然后通过膜辅助法将制备好的金属电极转移到半导体表面构筑晶体管器件，通过该方法构筑的晶体管，半导体表面和晶格不会被破坏，金属电极和半导体依靠范德华力形成接触，不会产生费米能级钉扎。即通过改变金属电极，使用不同功函数的金属与半导体形成异质结，异质结肖特基势垒高度不同，载流子输运类型可以改变。
-
公开(公告)号：CN111245416B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010053717.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p‑n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。
-
公开(公告)号：CN111245416A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010053717.8
申请日：2020-01-17
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p-n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.018 seconds)
