公开(公告)号：CN111245416B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202010053717.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  杜君莉 ,  张铮 ,  柳柏杉 ,  高丽 ,  于慧慧 ,  温嘉玲 ,  汤文辉 ,  张先坤 ,  洪孟雨 ,  肖建坤

IPC: H03K17/94 ,  H01L29/06 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p‑n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。

公开(公告)号：CN111245416A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010053717.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  杜君莉 ,  张铮 ,  柳柏杉 ,  高丽 ,  于慧慧 ,  温嘉玲 ,  汤文辉 ,  张先坤 ,  洪孟雨 ,  肖建坤

IPC: H03K17/94 ,  H01L29/06 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明提供一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法，属于半导体光电技术领域。本发明所述光电开关包括二维二硒化钨、硅/二氧化硅绝缘衬底、氮化硼、铟金属n型掺杂源层、金金属p型掺杂源层。本发明利用金电极对二维二硒化钨产生p型掺杂，铟电极对二维二硒化钨产生n型掺杂，构筑了二维二硒化钨水平p-n同质结。氮化硼和绝缘硅作为栅介质层，硅作为栅电极。二维二硒化钨材料作为光敏材料，在光照下产生光生电子空穴对，对硅衬底施加栅极电压调控同质结整流方向，从而控制光生电子空穴流动方向，起到逻辑光电开关的作用。