公开(公告)号：CN109742177A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811584882.5

申请日：2018-12-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  柳柏杉 ,  张铮 ,  张先坤 ,  杜君莉 ,  肖建坤 ,  胡津铭 ,  王如意 ,  王双欣 ,  赵紫薇 ,  熊向晖

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于材料应用技术领域，具体涉及一种具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法。上述器件构筑方法如下，在半导体基底上部分沉积绝缘层，在未沉积绝缘层的部分进行图案化处理外延生长半导体纳米线阵列，采用湿法转移技术将二维层状材料转移到上述阵列上，利用水分蒸发过程中的毛细作用诱导二维层状材料在半导体纳米阵列上产生周期性应变，最后通过电子束曝光结合热蒸镀构筑电极，完成器件的构筑。这种具有周期性应变的范德华异质结型光电器件为设计高性能的光电探测器提供了新的思路，具有重大的商业价值和深远的现实意义。

公开(公告)号：CN109742177B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201811584882.5

申请日：2018-12-24

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 张跃 ,  柳柏杉 ,  张铮 ,  张先坤 ,  杜君莉 ,  肖建坤 ,  胡津铭 ,  王如意 ,  王双欣 ,  赵紫薇 ,  熊向辉

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于材料应用技术领域，具体涉及一种具有周期性应变的范德华异质结型光电探测器及制备方法。上述器件构筑方法如下，在半导体基底上部分沉积绝缘层，在未沉积绝缘层的部分进行图案化处理外延生长半导体纳米线阵列，采用湿法转移技术将二维层状材料转移到上述阵列上，利用水分蒸发过程中的毛细作用诱导二维层状材料在半导体纳米阵列上产生周期性应变，最后通过电子束曝光结合热蒸镀构筑电极，完成器件的构筑。这种具有周期性应变的范德华异质结型光电器件为设计高性能的光电探测器提供了新的思路，具有重大的商业价值和深远的现实意义。