一种金刚石颗粒分散铜锆合金复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105950898A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:CN201610301187.8

    申请日:2016-05-09

    CPC classification number: C22C1/1036 C22C9/00 C22C26/00 C22C2001/1073

    Abstract: 本发明公开一种金刚石颗粒分散铜锆合金复合材料的制备方法,属于复合材料技术领域。通过在铜基体中添加合金元素锆,利用气压浸渗法制备铜/金刚石复合材料。最佳制备参数为:合金元素锆含量0.5wt.%,熔渗温度1150℃,保温压力1.0MPa,保温时间30min。所制备铜/金刚石复合材料的热导率为930W/mK,热膨胀系数为5.2×10‑6/K。本发明通过在铜基体中添加合金元素锆并利用气压浸渗法,所制备铜/金刚石复合材料的热导率高,热膨胀系数低,具有优异的综合性能;所提出的铜锆/金刚石复合材料制备方法可为大功率器件散热提供高热导率材料。

    一种高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101728279B

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN200910238605.3

    申请日:2009-11-27

    Abstract: 一种高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料的制备方法,属于金属基复合材料领域。其特征是在纯Al基体中添加合金元素制成的单质混合粉末或制成Al合金粉末,单质混合粉末或Al合金粉末与金刚石单晶颗粒按照体积分数比75∶25~40∶60混合均匀,装入石墨模具中进行放电等离子烧结,以50~100℃/min的升温速度加入至烧结温度580~800℃,烧结压力30~40MPa,保温保压5~20min,烧结完成即得到高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料。合金元素包括B、Si、Cr、Ti、Nb、Ag、Cu等。本发明材料的热导率达到430W/m·K,热膨胀系数6.40ppm/K,抗压强度331MPa,密度仅为3.13g/cm3,有效地解决了材料制备过程中单晶金刚石颗粒的石墨化问题,制备工艺简单,生产效率高。

    高压气体辅助熔渗制备金属基复合材料的装置及方法

    公开(公告)号:CN102179502A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201110105288.5

    申请日:2011-04-26

    Abstract: 本发明为一种高压气体辅助熔渗制备金属基复合材料的装置及方法,该装置由四大功能系统,即真空系统、配气系统、增压充气系统和制备系统相互连接组成;采用此装置的制备方法是应用高压气体提供压力,驱动熔融基体金属液体有效填充第二相或预制体孔隙,冷却后获得复合材料。本发明可以显著消除组织缺陷,通过保温保压处理实现对两相界面结构的有效控制,提高复合材料性能,以Al/Diamond复合材料为例热导率可达到649W/mK;通过合理的高压气体成分设计,可解决特殊金属基复合材料制备中存在的问题,提高复合材料制备质量,如基体金属Mg的活性和Diamond的高温石墨化问题等;实现大量类型金属基复合材料复杂形状零部件的近净成形;本发明制备质量高,可重复性强。

    一种气藏储氢渗流模拟的实验装置及实验方法

    公开(公告)号:CN118067962A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410304891.3

    申请日:2024-03-18

    Abstract: 本发明提供一种气藏储氢渗流模拟的实验装置,包括:半球形储氢壳和底盘;半球形储氢壳与底盘可拆卸连接;底盘底部安装注入管,以及多根气顶取氢管、多根两相区取氢管和多根水封管;注入管穿过所述底盘伸入半球形储氢壳内,用于向半球形储氢壳内注入水和氢气,形成不同高度的H2气顶区、两相区和底水区;气顶取氢管穿过底盘伸入半球形储氢壳内,并且气顶取氢管延伸至半球形储氢壳内的H2气顶区;两相区取氢管穿过底盘伸入半球形储氢壳内,并且两相区取氢管延伸至半球形储氢壳内的两相区;水封管穿过底盘伸入半球形储氢壳内,并且水封管延伸至半球形储氢壳内的底水区。本发明利用多处采样点可以研究储氢罐内微生物活动、化学反应和渗流相关问题。

    一种时间敏感网络中路由与调度联合优化方法及装置

    公开(公告)号:CN117768372A

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202311686577.8

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 本发明涉及时间敏感网络通信领域,特别是指一种时间敏感网络中路由与调度联合优化方法及装置,方法包括:获取待优化的网络拓扑结构参数以及业务流参数,根据网络拓扑结构参数构建网络模型;根据业务流参数构建业务模型;将网络模型以及业务模型输入到K最短路径算法模块,得到路由表以及路由节点矩阵;将路由表以及路由节点矩阵输入到蚁群算法模块,输出最优的路由与调度方案。本发明提出的算法能有效提高调度成功率,减少链路拥塞。此外,它在迭代收敛速度和降低端到端时延方面表现更好。

    一种适用于工业控制系统的计算卸载方法和装置

    公开(公告)号:CN117193873A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311139853.9

    申请日:2023-09-05

    Abstract: 本公开提供一种适用于工业控制系统的计算卸载方法,包括下列步骤:从工业控制系统中采集状态向量和固定值,并输入预训练的计算卸载模型,输出卸载比例和本地PLC到gNB的传输功率;基于本地PLC控制任务信息和卸载比例,计算留在本地PLC计算的控制任务量、卸载到边缘PLC计算的控制任务量和本地PLC计算控制任务的计算时间;根据卸载到边缘PLC计算的控制任务量、状态向量和固定值,计算分配给卸载到边缘PLC控制任务的最小计算资源;根据卸载到边缘PLC计算的控制任务量、状态向量和固定值,计算卸载到边缘PLC控制任务的优先级。本公开能够显著提升工业生产系统任务执行效率,又可以延长本地PLC的电池使用寿命,在一定程度上可以缩减工业生产系统的运维成本。

    对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104674208A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201510037123.7

    申请日:2015-01-26

    Abstract: 一种对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu复合材料的制备方法,属于金属基复合材料和电子封装材料领域。其特征是将金刚石:MoO3=1:2~1:4(wt%)混合均匀,将其装于氧化铝坩埚中,分别置于通有氢气、氩气气氛的管式炉中加热。加热温度为900~1050℃,保温时间2~4h,完成镀钼过程。样品随炉冷却取出后,对金刚石颗粒进行超声波清洗并烘干。按镀钼后的金刚石:Cu=60:40~40:60(体积%)配比称量置于行星球磨机中混合均匀。球磨机转速为300r/min,球磨时间为120min。最后,将球磨后的混合物置于石墨模具中,采用放电等离子烧结法制备金刚石/铜复合材料,烧结完成即得到高导热率的金刚石/Cu电子封装复合材料。本发明制备的电子封装复合材料热导率高,可重复性强。

    一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104674053A

    公开(公告)日:2015-06-03

    申请号:CN201510037466.3

    申请日:2015-01-26

    Abstract: 一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法,属于金属基复合材料和电子封装材料领域。其特征是首先采用粉末覆盖燃烧法对金刚石表面镀Mo,然后采用气体压渗法制备金刚石/铜复合材料。镀覆层从内向外,内层是Mo2C层,该层强固地附着在金刚石表面上;外层为Mo层,该层的形成,使金刚石表面具有金属特性。由于压力熔渗在真空中进行,压力下凝固,复合材料中无气孔、疏松、缩孔等缺陷,组织致密。本发明制备的金刚石/Cu电子封装复合材料的热导率高达837W/(m·K)。

    一种气藏储氢渗流模拟的实验装置及实验方法

    公开(公告)号:CN118067962B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410304891.3

    申请日:2024-03-18

    Abstract: 本发明提供一种气藏储氢渗流模拟的实验装置,包括:半球形储氢壳和底盘;半球形储氢壳与底盘可拆卸连接;底盘底部安装注入管,以及多根气顶取氢管、多根两相区取氢管和多根水封管;注入管穿过所述底盘伸入半球形储氢壳内,用于向半球形储氢壳内注入水和氢气,形成不同高度的H2气顶区、两相区和底水区;气顶取氢管穿过底盘伸入半球形储氢壳内,并且气顶取氢管延伸至半球形储氢壳内的H2气顶区;两相区取氢管穿过底盘伸入半球形储氢壳内,并且两相区取氢管延伸至半球形储氢壳内的两相区;水封管穿过底盘伸入半球形储氢壳内,并且水封管延伸至半球形储氢壳内的底水区。本发明利用多处采样点可以研究储氢罐内微生物活动、化学反应和渗流相关问题。

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