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公开(公告)号：CN102179502B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201110105288.5
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种高压气体辅助熔渗制备金属基复合材料的装置及方法，该装置由四大功能系统，即真空系统、配气系统、增压充气系统和制备系统相互连接组成；采用此装置的制备方法是应用高压气体提供压力，驱动熔融基体金属液体有效填充第二相或预制体孔隙，冷却后获得复合材料。本发明可以显著消除组织缺陷，通过保温保压处理实现对两相界面结构的有效控制，提高复合材料性能，以Al/Diamond复合材料为例热导率可达到649W/mK；通过合理的高压气体成分设计，可解决特殊金属基复合材料制备中存在的问题，提高复合材料制备质量，如基体金属Mg的活性和Diamond的高温石墨化问题等；实现大量类型金属基复合材料复杂形状零部件的近净成形；本发明制备质量高，可重复性强。
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公开(公告)号：CN101728279A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910238605.3
申请日：2009-11-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料的制备方法，属于金属基复合材料领域。其特征是在纯Al基体中添加合金元素制成的单质混合粉末或制成Al合金粉末，单质混合粉末或Al合金粉末与金刚石单晶颗粒按照体积分数比75∶25～40∶60混合均匀，装入石墨模具中进行放电等离子烧结，以50～100℃/min的升温速度加入至烧结温度580～800℃，烧结压力30～40MPa，保温保压5～20min，烧结完成即得到高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料。合金元素包括B、Si、Cr、Ti、Nb、Ag、Cu等。本发明材料的热导率达到430W/m·K，热膨胀系数6.40ppm/K，抗压强度331MPa，密度仅为3.13g/cm3，有效地解决了材料制备过程中单晶金刚石颗粒的石墨化问题，制备工艺简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN101728279B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910238605.3
申请日：2009-11-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料的制备方法，属于金属基复合材料领域。其特征是在纯Al基体中添加合金元素制成的单质混合粉末或制成Al合金粉末，单质混合粉末或Al合金粉末与金刚石单晶颗粒按照体积分数比75∶25～40∶60混合均匀，装入石墨模具中进行放电等离子烧结，以50～100℃/min的升温速度加入至烧结温度580～800℃，烧结压力30～40MPa，保温保压5～20min，烧结完成即得到高性能金刚石强化Al基电子封装复合材料。合金元素包括B、Si、Cr、Ti、Nb、Ag、Cu等。本发明材料的热导率达到430W/m·K，热膨胀系数6.40ppm/K，抗压强度331MPa，密度仅为3.13g/cm3，有效地解决了材料制备过程中单晶金刚石颗粒的石墨化问题，制备工艺简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN102179502A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110105288.5
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明为一种高压气体辅助熔渗制备金属基复合材料的装置及方法，该装置由四大功能系统，即真空系统、配气系统、增压充气系统和制备系统相互连接组成；采用此装置的制备方法是应用高压气体提供压力，驱动熔融基体金属液体有效填充第二相或预制体孔隙，冷却后获得复合材料。本发明可以显著消除组织缺陷，通过保温保压处理实现对两相界面结构的有效控制，提高复合材料性能，以Al/Diamond复合材料为例热导率可达到649W/mK；通过合理的高压气体成分设计，可解决特殊金属基复合材料制备中存在的问题，提高复合材料制备质量，如基体金属Mg的活性和Diamond的高温石墨化问题等；实现大量类型金属基复合材料复杂形状零部件的近净成形；本发明制备质量高，可重复性强。
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