公开(公告)号：CN104674208B

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201510037123.7

申请日：2015-01-26

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨滨 ,  赵妍冰 ,  张洋 ,  王西涛

IPC: C23C24/00 ,  C22C1/05 ,  C22C26/00

Abstract: 一种对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu复合材料的制备方法，属于金属基复合材料和电子封装材料领域。其特征是将金刚石：MoO3＝1：2～1：4(wt％)混合均匀，将其装于氧化铝坩埚中，分别置于通有氢气、氩气气氛的管式炉中加热。加热温度为900～1050℃，保温时间2～4h，完成镀钼过程。样品随炉冷却取出后，对金刚石颗粒进行超声波清洗并烘干。按镀钼后的金刚石：Cu＝60：40～40：60(体积％)配比称量置于行星球磨机中混合均匀。球磨机转速为300r/min，球磨时间为120min。最后，将球磨后的混合物置于石墨模具中，采用放电等离子烧结法制备金刚石/铜复合材料，烧结完成即得到高导热率的金刚石/Cu电子封装复合材料。本发明制备的电子封装复合材料热导率高，可重复性强。

公开(公告)号：CN104674208A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510037123.7

申请日：2015-01-26

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨滨 ,  赵妍冰 ,  张洋 ,  王西涛

IPC: C23C24/00 ,  C22C1/05 ,  C22C26/00

Abstract: 一种对金刚石表面镀Mo及金刚石/Cu复合材料的制备方法，属于金属基复合材料和电子封装材料领域。其特征是将金刚石：MoO3＝1：2～1：4(wt％)混合均匀，将其装于氧化铝坩埚中，分别置于通有氢气、氩气气氛的管式炉中加热。加热温度为900～1050℃，保温时间2～4h，完成镀钼过程。样品随炉冷却取出后，对金刚石颗粒进行超声波清洗并烘干。按镀钼后的金刚石：Cu＝60：40～40：60(体积％)配比称量置于行星球磨机中混合均匀。球磨机转速为300r/min，球磨时间为120min。最后，将球磨后的混合物置于石墨模具中，采用放电等离子烧结法制备金刚石/铜复合材料，烧结完成即得到高导热率的金刚石/Cu电子封装复合材料。本发明制备的电子封装复合材料热导率高，可重复性强。

公开(公告)号：CN104674053A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510037466.3

申请日：2015-01-26

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 杨滨 ,  赵妍冰 ,  张洋 ,  王西涛

IPC: C22C9/00 ,  C22C26/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/373

Abstract: 一种高热导率金刚石/Cu电子封装复合材料的制备方法，属于金属基复合材料和电子封装材料领域。其特征是首先采用粉末覆盖燃烧法对金刚石表面镀Mo，然后采用气体压渗法制备金刚石/铜复合材料。镀覆层从内向外，内层是Mo2C层，该层强固地附着在金刚石表面上；外层为Mo层，该层的形成，使金刚石表面具有金属特性。由于压力熔渗在真空中进行，压力下凝固，复合材料中无气孔、疏松、缩孔等缺陷，组织致密。本发明制备的金刚石/Cu电子封装复合材料的热导率高达837W/(m·K)。