公开(公告)号：CN107240641A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710467699.6

申请日：2017-06-20

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 陈吉堃 ,  姜勇 ,  徐晓光 ,  苗君 ,  吴勇 ,  孟康康

IPC: H01L45/00

Abstract: 一种基于氢化稀土镍基氧化物的非线性电阻器件的制备与使用方法，属于电子强关联材料与电子器件领域。本发明通过材料中掺杂质子随电场强度增加而发生逐渐迁移来触发材料中镍元素从强关联电子局域态绝缘体相向弱电子非局域态金属或半导体相转变，从而实现材料电阻随外加电压的变化，即实现电流‑电压非线性变化关系。通过控制材料的稀土元素种类、晶体结构、晶粒晶界状态、应力状态等条件控制质子在氢化稀土镍基钙钛矿氧化物中的迁移活化能与软击穿特性，从而实现对材料非线性电阻动态变化过程的控制。本发明可应用于压敏电阻、滤波与整流、电信号传感、过压保护等方面。与氧化锌、氧化钛等传统压敏非线性电阻材料相比，本发明所制备器件更适用于还原性气氛。

公开(公告)号：CN119997792A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510126476.8

申请日：2025-01-27

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 徐晓光 ,  李根 ,  姜勇 ,  孟康康 ,  吴勇

IPC: H10N50/20 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供一种用于电流‑自旋流转换的磁性异质结结构、自旋电子器件和制备方法，所述磁性异质结结构包括：基片；以及形成在所述基片上的磁性异质结，所述磁性异质结包括：铁磁层和非磁性层，所述非磁性层为元素周期表第IIIA族元素的材料和第VA族元素的材料形成的合金层；其中，所述铁磁层具有垂直磁各向异性。本发明能够利用来自P轨道自旋流的贡献，利用制备出的高质量III‑V族合金薄膜得到高质量的磁性异质结结构，并由此得到高质量的电子器件，为提高自旋电流效率开辟了一条道路，而且还扩大了可用于自旋电子学应用的材料范围。