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公开(公告)号：CN118954418A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411049351.1
申请日：2024-08-01
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种CMOS‑MEMS集成电热微镜及制备方法，属于微机电系统领域。在硅晶圆上设置读出/控制电路，其介质层上设置光学吸收层或电容位置检测电路下电极，功能层上设置导电支撑结构与顶层金属通过金属钨塞连接，在导电支撑结构上设置电热微镜。电热微镜有同层和双层两种结构。而电热微镜的镜面结构间设置连续的缝隙或不连续的孔。该集成电热微镜通过在硅晶圆上制备读出/控制电路，其上依次沉积功能层、牺牲层、导电支撑结构和光学微镜，最后去除牺牲层得到。本发明通过结构设计和调控驱动结构的应力，可实现电热微镜释放后的初始位置控制；所设计的多种功能可以集成到同一层拓展功能层的层结构中，该拓展功能层可以提高电热微镜的功能集成度。
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公开(公告)号：CN118623912A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410664926.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种压电位置检测电磁驱动MEMS微动平台及其制备方法，所述MEMS微动平台包括外围支撑框架、支撑梁、内部质量平板，还包括能检测所述支撑梁应力的压电位置检测结构用于检测平台位移情况，另外，所述MEMS微动平台中还设有驱动线圈或磁性材料构成的结构用于实现电磁方式驱动。该电磁驱动MEMS微动平台采用压电结构进行位置检测，对比现有压阻检测方案，可有效简化电磁驱动MEMS微动平台结构和制备工艺的复杂程度，同时有效提升电磁驱动MEMS微动平台位置检测结构的温度特性，降低零位温漂、灵敏度温漂等问题的影响，提高位置检测的精度。
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公开(公告)号：CN119330302A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411437454.5
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法、MEMS压力传感器及其制备方法，涉及先进制造技术领域。本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法，包括以下步骤：在原始SiC晶圆的表面依次外延n型缓冲层、p型外延层和n型外延层，形成表面层叠有n型缓冲层、p型外延层和n型外延层的SiC晶圆；将Si晶圆与所述n型外延层进行临时键合后对原始SiC晶圆的另一面进行研磨减薄、抛光，得到加工后的SiC晶圆。本发明通过将原始SiC晶圆和Si晶圆键合后进行研磨减薄，避免了对SiC晶圆深刻蚀加工，显著降低SiC晶圆的生产成本和难度；通过抛光提高了SiC晶圆表面的形貌均匀度。
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公开(公告)号：CN119330296A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411440725.2
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的法布里‑珀罗腔，包括静电驱动器和FP腔，静电驱动器包括基底层、埋氧层以及器件层，器件层包括外框架、固定梳齿、内框架和可动梳齿，固定梳齿以及可动梳齿均具有电极且能够与外部控制电路连接，以在固定梳齿以及可动梳齿之间形成梳齿电容；FP腔包括平行设置的第一面板和第二面板。静电驱动器采用梳齿方式驱动，可以实现对FP腔相对位置的精准驱动与控制，通过对FP腔施加电压，改变FP腔平行的两面板之间的距离，并通过对梳齿电容的检测，实现位置检测，进而实现对FP腔平行的两面板的距离控制。通过先进封装技术，实现电极的引出与各种气氛或真空环境的封装，提高FP腔的实用性。
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