公开(公告)号：CN119330302A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411437454.5

申请日：2024-10-15

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 杨智文 ,  谢会开 ,  汤跃 ,  王晓毅 ,  丁厚伯 ,  岳晋标 ,  魏振南 ,  姜森林

IPC: B81C3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  G01L1/18 ,  G01L9/06

Abstract: 本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法、MEMS压力传感器及其制备方法，涉及先进制造技术领域。本发明提供了一种SiC晶圆的加工方法，包括以下步骤：在原始SiC晶圆的表面依次外延n型缓冲层、p型外延层和n型外延层，形成表面层叠有n型缓冲层、p型外延层和n型外延层的SiC晶圆；将Si晶圆与所述n型外延层进行临时键合后对原始SiC晶圆的另一面进行研磨减薄、抛光，得到加工后的SiC晶圆。本发明通过将原始SiC晶圆和Si晶圆键合后进行研磨减薄，避免了对SiC晶圆深刻蚀加工，显著降低SiC晶圆的生产成本和难度；通过抛光提高了SiC晶圆表面的形貌均匀度。

公开(公告)号：CN119330296A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411440725.2

申请日：2024-10-15

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 谢会开 ,  汤跃 ,  严阳阳 ,  王晓毅 ,  姜森林 ,  焦文龙 ,  齐强先 ,  李美荣 ,  杨智文

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  G02B26/08 ,  G01J3/26 ,  G01J3/42

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS的法布里‑珀罗腔，包括静电驱动器和FP腔，静电驱动器包括基底层、埋氧层以及器件层，器件层包括外框架、固定梳齿、内框架和可动梳齿，固定梳齿以及可动梳齿均具有电极且能够与外部控制电路连接，以在固定梳齿以及可动梳齿之间形成梳齿电容；FP腔包括平行设置的第一面板和第二面板。静电驱动器采用梳齿方式驱动，可以实现对FP腔相对位置的精准驱动与控制，通过对FP腔施加电压，改变FP腔平行的两面板之间的距离，并通过对梳齿电容的检测，实现位置检测，进而实现对FP腔平行的两面板的距离控制。通过先进封装技术，实现电极的引出与各种气氛或真空环境的封装，提高FP腔的实用性。

公开(公告)号：CN117963832A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410042150.2

申请日：2024-01-11

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 汤跃 ,  谢会开 ,  岳晋标 ,  杨智文 ,  魏振南

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开的一种基于SOI与SiC的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括SiC、金属引线、金属电极、氧化硅绝缘层、SOI的器件层、SOI的埋氧层、SOI的基底层和空腔。SOI晶圆由三层结构组成，最上层为器件层，中间层为埋氧层，最下层为基底层。将生长有氧化硅绝缘层的SiC晶圆与SOI晶圆进行键合，SOI晶圆的器件层和SiC晶圆的氧化硅绝缘层通过阳极键合进行永久性结合。抛光、图形化处理后的SiC形成SiC块，将SiC块作为压敏结构。光刻图形化形成金属电极和金属引线。本发明通过采用预定掺杂参数的碳化硅，将碳化硅和载片进行键合，避免对碳化硅的外延和掺杂等二次加工，显著降低碳化硅器件的生产成本和难度。

公开(公告)号：CN117963831A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202410042018.1

申请日：2024-01-11

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 谢会开 ,  汤跃 ,  杨智文 ,  岳晋标 ,  魏振南

IPC: B81B7/02 ,  B81B7/00 ,  B81C3/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明公开的一种基于SiC膜片的耐高温MEMS器件及其制备方法，属于先进制造技术领域。本发明包括由Si晶圆制作的基底、P型SiC、N型SiC、刻蚀掩膜层、压敏电阻、体型引线、绝缘层、引线和空腔。采用P型SiC作为传感器压敏芯片的膜片材料。N型SiC位于上层。使用低压热壁化学气相沉积系统在SiC晶圆的Si面外延生长N型外延层。在外延面旋涂光刻胶，图形化刻蚀掩膜层。本发明提供三种制作方法用于制作基于SiC膜片的耐高温MEMS器件。三种方法均Si晶圆作为传感器压敏芯片的基底材料，SiC和硅晶圆进行键合，实现准SiC的压力传感器制作。本发明通过引入硅晶圆能够避免刻蚀SiC，进而降低工艺加工难度，提高MEMS器件的良率，降低成本，发挥SiC的耐高温性能。

公开(公告)号：CN118618508A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410718225.4

申请日：2024-06-04

Applicant: 北京理工大学 ,  北京理工大学重庆微电子研究院

Inventor： 汤跃 ,  谢会开 ,  王晓毅 ,  杨智文 ,  岳晋标 ,  丁厚伯

IPC: B62D57/032 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明公开了一种基于电热驱动的MEMS微型爬行机器人及其制作方法，涉及微型机器人技术领域，爬行机器人包括运动足和本体，本体的两侧分别设置有多个运动足，多个运动足的延伸方向相同，各运动足均包括悬臂梁和第一材料，悬臂梁的一端与本体连接，另一端为自由端，悬臂梁上堆叠有第一材料，悬臂梁和第一材料之间设置有加热组件，第一材料的热膨胀系数大于悬臂梁，常态下，悬臂梁的自由端悬空，当加热组件通电产热时，运动足的自由端向下翘曲并与支撑面接触。本发明还提供了一种基于电热驱动的MEMS微型爬行机器人的制作方法，本发明提供的方案能够提高热驱动微型机器人的驱动效率以及结构拓展能力。