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公开(公告)号：CN108147810A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711361153.9
申请日：2017-12-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/462 , C04B35/495 , C04B35/626 , C04B41/88
Abstract: 本发明属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种中低温MLCC电容陶瓷的制备方法。所述的制备方法工艺步骤：将玻璃陶瓷原料混合均匀，高温熔融、搅拌，形成均匀的玻璃液体；将熔融玻璃液快速倒入去离子水中，得到玻璃碎渣；将玻璃碎渣球磨、烘干后，制得粉体；将粉体烧结，制得MLCC电容陶瓷。本发明MLCC电容陶瓷制备方法，制备周期短，工艺简单，烧结温度低，得到的粉体成分均匀。
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公开(公告)号：CN102030524B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910093586.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法，其组成和配比为70wt％-90wt％的Ba0.4Sr0.6TiO3和10wt％-30wt％的纳米MgO。本发明提供的钛酸锶钡基固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法可以使得钛酸锶钡的致密度提高到98.5％以上，晶粒细化到1～2微米，介电常数保持在260～500，介电损耗降低到在4～6×10-4左右，脉冲击穿场强提高到24～45kV/mm，储能密度提高到0.67～1.14J/cm3，很好的满足了固态脉冲形成线储能介质材料的应用要求。
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公开(公告)号：CN1635174A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200310116074.3
申请日：2003-12-30
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种采用廉价的稀土添加剂及普通真空烧结技术制备PDC钻头用高强度硬质合金基体材料的方法。通过在原料中添加微量的稀土元素，并采用普通真空烧结技术制备的PDC钻头基体材料的抗冲击性、耐磨性及断裂韧性与普通硬质合金相比都有大幅度提高，可与低压等静压烧结制品性能相媲美；而与低压等静压烧结法相比，由于本发明采用普通真空烧结方法，可以大大降低PDC钻头基体材料的成本。
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公开(公告)号：CN104671665B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310625971.0
申请日：2013-11-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C10/02
Abstract: 一种低介电损耗的无铅玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的成分组成为：aBaO-bSrO-cNb2O5-dZnO-xSiO2-yB2O3-zREO，其中，a、b、c、d、x、y、z为摩尔比表示成分之间的摩尔比，REO表示稀土氧化物；且满足：0≤a≤10.35，9.97≤b≤20.70，20.19≤c≤20.70，14.80≤d≤15.50，14.56≤x≤15.00，27.51≤y≤28.10，0≤z≤3.00。其制备方法为：根据所述玻璃陶瓷的成分组成选择原料，按比例混合，高温熔融；将熔融均匀的玻璃液体快速倒入预热的金属模具中，冷却成型，去应力退火；将得到的玻璃片进行可控结晶处理即可。本发明的玻璃陶瓷实现了无铅元素、环境友好，其交流击穿场强可达到18kV／mm以上，介电常数在60～90之间。本发明的玻璃陶瓷的介电损耗可降低至0.02％，介电常数的频率稳定性好，适合作为高压电容器介质。
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公开(公告)号：CN103159405B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201110415415.1
申请日：2011-12-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C10/14
Abstract: 本发明提供一种具有高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xPbO-ySrO-zNb2O5-wNa2O-vSiO2-tR，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：4≤x≤8，8.4≤y≤15，27≤z≤36，13.5≤w≤18，28≤v≤46，0.5≤t≤5，R为La2O3、Lu2O3、Pr6O11和Sm2O3中的一种。其制备方法是将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1300℃～1450℃的高温下保温2～3小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作交流高压电容器介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103159405A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110415415.1
申请日：2011-12-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C10/14
Abstract: 本发明提供一种具有高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法，该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xPbO-ySrO-zNb2O5-wNa2O-vSiO2-tR，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：4≤x≤8，8.4≤y≤15，27≤z≤36，13.5≤w≤18，28≤v≤46，0.5≤t≤5，R为La2O3、Lu2O3、Pr6O11和Sm2O3中的一种。其制备方法是将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1300℃～1450℃的高温下保温2～3小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作交流高压电容器介质。
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公开(公告)号：CN103102079A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201110355269.8
申请日：2011-11-10
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于适合于高压直流环境使用的玻璃陶瓷电介质技术领域的一种具有高击穿场强的玻璃陶瓷电介质及其制备方法，其成分组成为：xPbO-yBaO-zSrO-aNb2O5-bNa2O-cSiO2-dR，且满足0≤x≤17.1，0≤y≤17.5，0≤z≤14.3，10.7≤a≤34，11≤b≤25.4，28≤c≤47，0≤d≤4.5，其中，R作为辅成分，为MnO2，MgO，CaO，ZnO中的至少一种氧化物，x、y、z、a、b、c、d为摩尔比。本发明的玻璃陶瓷电介质具有高击穿场强、高介电常数、良好的介电常数温度稳定性，实现了无孔隙，直流击穿场强可达到50kV/mm以上。
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公开(公告)号：CN102030524A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910093586.X
申请日：2009-09-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法，其组成和配比为70wt％-90wt％的Ba0.4Sr0.6TiO3和10wt％-30wt％的纳米MgO。本发明提供的钛酸锶钡基固态脉冲形成线储能介质材料及其制备方法可以使得钛酸锶钡的致密度提高到98.5％以上，晶粒细化到1～2微米，介电常数保持在260～500，介电损耗降低到在4～6×10-4左右，脉冲击穿场强提高到24～45kV/mm，储能密度提高到0.67～1.14J/cm3，很好的满足了固态脉冲形成线储能介质材料的应用要求。
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公开(公告)号：CN109942195A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711389364.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xBaO-ySrO-zPbO-wTiO2-vSiO2-tNb2O5，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：2.5≤x≤14，14≤y≤20，0≤z≤10，4≤w≤12，16≤v≤22，10≤t≤30。其制备方法是：将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1450℃的高温下保温3个小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作高压电容器介质。
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公开(公告)号：CN105800937B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201410836882.5
申请日：2014-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C10/02
Abstract: 本发明公开了一种降低铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器器件介电损耗的方法，在玻璃陶瓷的原料中添加氧化铝，所添加的氧化铝与二氧化硅的摩尔比为0.1％‑5％。铌酸盐基玻璃陶瓷的成分组成为：xPbO‑ySrO‑zNb2O5‑wNa2O‑vSiO2，其中的x、y、z、w、v表示各成分的摩尔数，且5≤x≤7，9≤y≤11，30≤z≤33，15≤w≤18，25≤v≤35。本发明通过添加氧化铝来改善玻璃相性能，在不改变原有制备工艺条件下提高了玻璃相绝缘电阻，降低了玻璃相的电导损耗，宏观上降低了铌酸盐基玻璃陶瓷高压电容器的介电损耗。
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