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公开(公告)号：CN102312293B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201110257469.X
申请日：2011-09-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 浮区法生长大尺寸Ta2O5单晶的方法，属于晶体生长领域。包括以下步骤：将Ta2O5粉料经过球磨、烘干；装入橡胶管中，放入等静压下压制成素坯棒；将素坯棒经烧结后获得多晶棒；将素坯棒或多晶棒作为料棒，并将多晶棒或Ta2O5单晶作为籽晶，籽晶和料棒在竖直方向成一直线，其接触点与卤素灯处于同一水平线上；升温速率为30～60℃/分钟至料棒和籽晶融化，调整料棒和籽晶的转速和旋转方向，接种；通过聚焦镜的移动或上下棒的移动，使熔区远离聚焦点，使熔区温度下降实现结晶，晶体生长速度10～60mm/h；生长完的晶体冷却至室温。本发明生长周期短，制备效率高，能够快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ta2O5单晶。
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公开(公告)号：CN102115911A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110068628.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法，属于蓝宝石晶体生长领域，包括以下步骤：用高纯原料Al2O3、FeTiO3和Fe2O3制备多晶棒；将多晶棒放入晶体生长炉中，并套上石英管，向其中通入氧气或氩气到一定压力，关闭气体阀门；用0.5-1h升温至料棒和籽晶融化，设置晶体生长速度进行晶体生长；将生长完的晶体冷却至室温；打开气体阀门，气体放出至正常大气压。本发明生长的蓝宝石晶体尺寸大、无宏观缺陷，颜色更加均匀，晶体质量得到提高。
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公开(公告)号：CN101575213A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910086805.1
申请日：2009-06-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/495
Abstract: 一种提高Sr2－xCaxNaNb5O15陶瓷介电和压电性能的制备工艺属于无铅压电陶瓷的制备领域。本发明将SrCO3、CaCO3、Na2CO3、Nb2O5试剂按Sr2－xCaxNaNb5O15的化学计量比进行配料、球磨，其中x＝0.05～0.20，在1150℃保温12h条件下预反应；添加粉料质量的0.3％～0.7％的MnO2作为助烧剂，进行球磨后，并烘干；加入聚乙烯醇作为黏和剂，与粉料均匀混合后，压制成陶瓷坯体；以100℃/小时升温速率升至1230～1270℃烧结3～6h。本工艺相对于现有工艺，具有一次烧结成瓷，保温时间短(3～6h)、制备周期短、耗能低的特点。此优点适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN104611697B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410596631.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W，再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。
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公开(公告)号：CN104588058A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410596776.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用，属于碳化钼碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为六方相的碳化钼纳米晶体。先在硅片上垂直生长纳米管阵列，然后在制成垂直的石墨烯纳米带阵列，在石墨烯纳米带阵列的顶端蒸镀Mo，然后再生成碳化钼纳米晶体。石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料去掉底层硅片后在析氢催化和氧还原催化中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104357841A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410596671.9
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C28/322 , B01J27/22 , B01J2203/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C28/341 , C30B25/00 , C30B29/36
Abstract: 一种铁族碳化物纳米晶体-石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为铁族碳化物纳米晶体，铁族碳化物纳米晶体为Fe3C、Co3C、Ni3C中的一种。先在硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，然后在石墨烯纳米带阵列的顶端蒸镀铁族元素，再生成铁族碳化物纳米晶体。本发明的铁族碳化物纳米晶体-石墨烯纳米带复合材料去除底层硅片后在析氢催化和氧还原催化中的应用。
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公开(公告)号：CN102115911B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110068628.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法，属于蓝宝石晶体生长领域，包括以下步骤：用高纯原料Al2O3、FeTiO3和Fe2O3制备多晶棒；将多晶棒放入晶体生长炉中，并套上石英管，向其中通入氧气或氩气到一定压力，关闭气体阀门；用0.5-1h升温至料棒和籽晶融化，设置晶体生长速度进行晶体生长；将生长完的晶体冷却至室温；打开气体阀门，气体放出至正常大气压。本发明生长的蓝宝石晶体尺寸大、无宏观缺陷，颜色更加均匀，晶体质量得到提高。
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公开(公告)号：CN104593746B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410594553.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/32 , C01B32/16 , C01B32/984 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种制备3C‑SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5‑30nm，高度为1.5‑5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单壁碳纳米管阵列的顶层完成3C‑SiC纳米盘的制备，3C‑SiC纳米盘的分离。工艺简化，样品均匀，高结晶质量。
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公开(公告)号：CN104611697A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410596631.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W，再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。
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