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公开(公告)号：CN104357841B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410596671.9
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为铁族碳化物纳米晶体，铁族碳化物纳米晶体为Fe3C、Co3C、Ni3C中的一种。先在硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，然后在石墨烯纳米带阵列的顶端蒸镀铁族元素，再生成铁族碳化物纳米晶体。本发明的铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料去除底层硅片后在析氢催化和氧还原催化中的应用。
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公开(公告)号：CN104882509A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510159552.1
申请日：2015-04-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/107 , H01L31/02327 , H01L31/03529
Abstract: 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，能够对微弱通信光信号进行探测。包括有p+型欧姆接触电极(101)，p+欧姆接触层(102)，吸收层(103)，p型电荷区(104)，高场倍增区(105)，n+型欧姆接触电极(106)，n+欧姆接触区(107)，绝缘掩埋层(108)，衬底(109)，脊形波导(110)，其特征在于，p型电荷区(104)位于脊形波导(110)终端底部，吸收层(103)位于p型电荷区(104)顶部，与脊形波导(110)的终端内脊区域相对接；高场倍增区(105)以及n+欧姆接触区(107)紧挨p型电荷区(104)依次排布，与脊形波导(110)外脊厚度相同，且延伸方向垂直于脊形波导(110)光传输方向。从二极管对应的I-V曲线示意图中可以看出，器件实现了良好的倍增。
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公开(公告)号：CN104681634A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510031301.5
申请日：2015-01-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/861
Abstract: 一种波导耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域。本发明包括有p+型欧姆接触电极，p+欧姆接触层，吸收层，p型电荷区，倍增区，n+型欧姆接触电极，n+欧姆接触区，绝缘掩埋层，衬底，单模波导。其特征在于，p型电荷区位于单模波导末端，吸收层位于p型电荷区顶部，倍增区以及n+欧姆接触区与单模波导共平面，紧挨p型电荷区依次排布，p型电荷区、倍增区及n+欧姆接触区的延伸方向垂直于单模波导光传输方向，并与单模波导厚度相同。器件在实现吸收倍增分离的同时，利用单模波导耦合提高光耦合效率，避免了传统双倍增区的电信号的扰动现象，器件尺寸可减小到纳米尺度，降低渡越时间和暗电流，提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN104505421B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201410601406.5
申请日：2014-10-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/107
Abstract: 一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域。包括有依次纵向层叠的第一n型层(101)、第二n型层(102)、电荷倍增区(104)、p型层(105)和衬底(106)，其特征在于：第一n型层(101)、第二n型层(102)中间有电子势阱层(103)；实现电子势阱有两种方法，一种是电子势阱层(103)采用p型材料，第二种方法是电子势阱层(103)采用第一n型层(101)或第二n型层(102)掺杂浓度二倍以上的n+型材料，在形成nn+结后，在电子势阱层(103)中形成了电子势阱。本发明提供一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管结构，与传统结构不同，具备自动熄灭然后自动恢复的特点。
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公开(公告)号：CN104599856B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410596686.5
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104882509B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510159552.1
申请日：2015-04-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0232 , H01L31/0352
Abstract: 一种波导对接耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域，能够对微弱通信光信号进行探测。包括有p+型欧姆接触电极(101)，p+欧姆接触层(102)，吸收层(103)，p型电荷区(104)，高场倍增区(105)，n+型欧姆接触电极(106)，n+欧姆接触区(107)，绝缘掩埋层(108)，衬底(109)，脊形波导(110)，其特征在于，p型电荷区(104)位于脊形波导(110)终端底部，吸收层(103)位于p型电荷区(104)顶部，与脊形波导(110)的终端内脊区域相对接；高场倍增区(105)以及n+欧姆接触区(107)紧挨p型电荷区(104)依次排布，与脊形波导(110)外脊厚度相同，且延伸方向垂直于脊形波导(110)光传输方向。从二极管对应的I‑V曲线示意图中可以看出，器件实现了良好的倍增。
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公开(公告)号：CN104505422B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410602125.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/107
Abstract: 一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域，与传统结构不同，具备自动熄灭然后自动恢复的特点。本发明包括有依次纵向层叠的n型层(102)，电荷倍增区(103)，p型层(104)，衬底(106)，其特征在于，还包括有p型层(104)和衬底(106)之间的空穴势阱形成层(105)；实现空穴势阱有两种方法，一种是空穴势阱形成层(105)采用n型材料，当与p型层(104)形成pn结后，能带下移，使得p型层(104)的空穴位置能量最低，从而在p型层(104)中形成了空穴势阱；第二种方法是空穴势阱形成层(105)采用高出P型层(104)掺杂浓度2倍以上的p+型材料，在形成pp+结后，在空穴势阱形成层(105)中形成了空穴势阱。
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公开(公告)号：CN104588058B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410596776.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用，属于碳化钼碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为六方相的碳化钼纳米晶体。先在硅片上垂直生长纳米管阵列，然后在制成垂直的石墨烯纳米带阵列，在石墨烯纳米带阵列的顶端蒸镀Mo，然后再生成碳化钼纳米晶体。石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料去掉底层硅片后在析氢催化和氧还原催化中的应用。
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公开(公告)号：CN104599856A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410596686.5
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
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公开(公告)号：CN104593746A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410594553.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C16/325
Abstract: 一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5-30nm，高度为1.5-5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单壁碳纳米管阵列的顶层完成3C-SiC纳米盘的制备，3C-SiC纳米盘的分离。工艺简化，样品均匀，高结晶质量。
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