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公开(公告)号：CN102021647B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010522412.3
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法，属于红宝石晶体生长领域。将Al2O3粉料和Cr2O3粉料制成素坯棒；将料棒烧结成多晶料棒；将多晶料棒一根固定作为籽晶，一根悬挂作为料棒，使两料棒末端接触，接触处与卤素灯处于同一水平线上，两料棒在竖直方向上成一直线；在空气氛围中，四椭球卤素灯0.2-0.5h内达到3360-3550W/h的总功率，使两料棒接触处融化，保持这种功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、上移动通过熔区，晶体生长完成后，在1-2h内输出功率降至0。本发明方法生长速度快，制备周期短、效率高，红宝石长度可达50-70mm，直径可达7-9mm。
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公开(公告)号：CN101962801B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010515975.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长Nb2O5晶体的方法，属于Nb2O5晶体生长领域。将Nb2O5粉制成素坯棒；将素坯棒一根籽晶杆上作为籽晶，一根悬挂于料棒杆上作为料棒，使两料棒末端接触，并且接触处在水平方向与卤素灯成一条直线，两料棒在竖直方向上成一条直线；在空气氛围中，单晶炉的卤素灯在0.2-0.5h时间内达到1600-1750W/h的功率输出，加热，使两料棒接触处融化，形成熔区；保持这种功率输出，籽晶杆和原料杆以15-20rpm逆方向旋转，原料杆和籽晶杆分别以8-15mm/h的速率向下、上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明产品无杂质、仪器简单、成本低、生长速度快，而且无需特殊气氛。
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公开(公告)号：CN101962801A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010515975.X
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长Nb2O5晶体的方法，属于Nb2O5晶体生长领域。将Nb2O5粉制成素坯棒；将素坯棒一根籽晶杆上作为籽晶，一根悬挂于料棒杆上作为料棒，使两料棒末端接触，并且接触处在水平方向与卤素灯成一条直线，两料棒在竖直方向上成一条直线；在空气氛围中，单晶炉的卤素灯在0.2-0.5h时间内达到1600-1750W/h的功率输出，加热，使两料棒接触处融化，形成熔区；保持这种功率输出，籽晶杆和原料杆以15-20rpm逆方向旋转，原料杆和籽晶杆分别以8-15mm/h的速率向下、上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明产品无杂质、仪器简单、成本低、生长速度快，而且无需特殊气氛。
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公开(公告)号：CN104599856B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201410596686.5
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列‑碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
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公开(公告)号：CN104588058B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410596776.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用，属于碳化钼碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为六方相的碳化钼纳米晶体。先在硅片上垂直生长纳米管阵列，然后在制成垂直的石墨烯纳米带阵列，在石墨烯纳米带阵列的顶端蒸镀Mo，然后再生成碳化钼纳米晶体。石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料去掉底层硅片后在析氢催化和氧还原催化中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104599856A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410596686.5
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料制备方法及其在超级电容器中的应用，属于碳纳米材料技术领域。底层为硅片，硅片上为垂直单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳纳米洋葱结构。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管阵列的顶端蒸镀Si层，然后利用Si层生长碳纳米洋葱结构。单壁碳纳米管垂直阵列-碳纳米洋葱复合材料除去底层硅片后用于超级电容器中。
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公开(公告)号：CN104593746A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410594553.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C16/325
Abstract: 一种制备3C-SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5-30nm，高度为1.5-5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单壁碳纳米管阵列的顶层完成3C-SiC纳米盘的制备，3C-SiC纳米盘的分离。工艺简化，样品均匀，高结晶质量。
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公开(公告)号：CN102061522B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010538332.7
申请日：2010-11-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了大尺寸Al2O3基晶体的二步法制备方法。将Al2O3粉料和掺杂粉料制成素坯棒，将素坯棒作为籽晶棒或料棒，使籽晶棒顶端或料棒末端与卤素灯处于同一水平线上；在空气氛围中，卤素灯以2720～3060W/h的功率输出，对素坯棒往复扫描加热，直至素坯棒熔化、结晶，得到多晶料棒；将多晶料棒一根作为籽晶，一根作为原料棒，使原料棒末端与籽晶棒顶端接触，并且接触处与卤素灯处于同一在水平线上，在空气氛围中，卤素灯以3200～3400W/h的功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、向上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明方法得到的晶体无杂质，小角度晶界较少，表现出良好的晶体质量。
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公开(公告)号：CN102021647A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010522412.3
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法，属于红宝石晶体生长领域。将Al2O3粉料和Cr2O3粉料制成素坯棒；将料棒烧结成多晶料棒；将多晶料棒一根固定作为籽晶，一根悬挂作为料棒，使两料棒末端接触，接触处与卤素灯处于同一水平线上，两料棒在竖直方向上成一直线；在空气氛围中，四椭球卤素灯0.2-0.5h内达到3360-3550W/h的总功率，使两料棒接触处融化，保持这种功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、上移动通过熔区，晶体生长完成后，在1-2h内输出功率降至0。本发明方法生长速度快，制备周期短、效率高，红宝石长度可达50-70mm，直径可达7-9mm。
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公开(公告)号：CN104357841B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410596671.9
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料、制备及其应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为铁族碳化物纳米晶体，铁族碳化物纳米晶体为Fe3C、Co3C、Ni3C中的一种。先在硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，然后在石墨烯纳米带阵列的顶端蒸镀铁族元素，再生成铁族碳化物纳米晶体。本发明的铁族碳化物纳米晶体‑石墨烯纳米带复合材料去除底层硅片后在析氢催化和氧还原催化中的应用。
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