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公开(公告)号：CN104593746B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201410594553.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C16/32 , C01B32/16 , C01B32/984 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种制备3C‑SiC纳米盘、制备方法，属于碳化硅碳纳米材料制备领域。所述的SiC纳米颗粒为圆盘型，直径为5‑30nm，高度为1.5‑5nm。先在硅片上垂直生长单壁碳纳米管阵列，在单壁碳纳米管垂直阵列的顶层蒸镀Si层；在单壁碳纳米管阵列的顶层完成3C‑SiC纳米盘的制备，3C‑SiC纳米盘的分离。工艺简化，样品均匀，高结晶质量。
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公开(公告)号：CN104682194A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410602844.3
申请日：2014-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 用于产生太赫兹波、微波的双共振垂直腔面发射激光器结构涉及光电子器件领域。本发明从下至上依次包括下金属电极、n型衬底、下分布反馈布拉格反射镜、n型相位匹配层、增益区、p型相位匹配层、上分布反馈布拉格反射镜、钝化层、上金属电极，其特征在于：n型相位匹配层与增益区、p型相位匹配层的光学厚度与激光在下布拉格反射镜和上布拉格反射镜中的能量穿透深度一起构成激光谐振腔长d，谐振腔的长度d要求满足d＝c/2ω，其中如果0.1THz
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公开(公告)号：CN104611697A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410596631.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单壁碳纳米管垂直阵列-碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W，再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104505422A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410602125.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107
Abstract: 一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域，与传统结构不同，具备自动熄灭然后自动恢复的特点。本发明包括有依次纵向层叠的n型层(102)，电荷倍增区(103)，p型层(104)，衬底(106)，其特征在于，还包括有p型层(104)和衬底(106)之间的空穴势阱形成层(105)；实现空穴势阱有两种方法，一种是空穴势阱形成层(105)采用n型材料，当与p型层(104)形成pn结后，能带下移，使得p型层(104)的空穴位置能量最低，从而在p型层(104)中形成了空穴势阱；第二种方法是空穴势阱形成层(105)采用高出P型层(104)掺杂浓度2倍以上的p+型材料，在形成pp+结后，在空穴势阱形成层(105)中形成了空穴势阱。
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公开(公告)号：CN104505421A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410601406.5
申请日：2014-10-30
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/107
CPC classification number: H01L31/107
Abstract: 一种具有自熄灭自恢复功能的雪崩光电二极管涉及半导体光电器件领域。包括有依次纵向层叠的第一n型层(101)、第二n型层(102)、电荷倍增区(104)、p型层(105)和衬底(106)，其特征在于：第一n型层(101)、第二n型层(102)中间有电子势阱层(103)；实现电子势阱有两种方法，一种是电子势阱层(103)采用p型材料，第二种方法是电子势阱层(103)采用第一n型层(101)或第二n型层(102)掺杂浓度二倍以上的n+型材料，在形成nn+结后，在电子势阱层(103)中形成了电子势阱。本发明提供一种自熄灭自恢复雪崩光电二极管结构，与传统结构不同，具备自动熄灭然后自动恢复的特点。
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公开(公告)号：CN104681634B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510031301.5
申请日：2015-01-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/861
Abstract: 一种波导耦合型吸收倍增分离雪崩二极管涉及半导体光电器件领域以及光互联领域。本发明包括有p+型欧姆接触电极，p+欧姆接触层，吸收层，p型电荷区，倍增区，n+型欧姆接触电极，n+欧姆接触区，绝缘掩埋层，衬底，单模波导。其特征在于，p型电荷区位于单模波导末端，吸收层位于p型电荷区顶部，倍增区以及n+欧姆接触区与单模波导共平面，紧挨p型电荷区依次排布，p型电荷区、倍增区及n+欧姆接触区的延伸方向垂直于单模波导光传输方向，并与单模波导厚度相同。器件在实现吸收倍增分离的同时，利用单模波导耦合提高光耦合效率，避免了传统双倍增区的电信号的扰动现象，器件尺寸可减小到纳米尺度，降低渡越时间和暗电流，提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN104611697B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410596631.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种单壁碳纳米管垂直阵列‑碳化钨纳米晶体复合材料、制备及其在电催化析氢中的应用，属于碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，垂直单壁碳纳米管阵列的顶端为碳化钨纳米晶体。先在硅片上垂直生长的单壁碳纳米管阵列，然后在单壁碳纳米管阵列蒸镀W，再生成碳化钨纳米即可。在酸碱性条件下均具有电催化析氢作用且性能稳定。
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公开(公告)号：CN104588058A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410596776.4
申请日：2014-10-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料、制备及其应用，属于碳化钼碳纳米材料技术领域。硅片上垂直生长石墨烯纳米带阵列，石墨烯纳米带阵列的顶端为六方相的碳化钼纳米晶体。先在硅片上垂直生长纳米管阵列，然后在制成垂直的石墨烯纳米带阵列，在石墨烯纳米带阵列的顶端蒸镀Mo，然后再生成碳化钼纳米晶体。石墨烯纳米带垂直阵列-碳化钼纳米晶体复合材料去掉底层硅片后在析氢催化和氧还原催化中的应用。
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