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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116415639A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310281479.X
申请日：2023-03-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及基于人工神经网络系统预测多端晶体管各端电荷量的方法，包括接收第一数据集，其中所述第一数据集包括所述多端晶体管的(m‑1)个两端间电压的数据，其中所述多端晶体管包括m端，m为大于等于2的整数；基于所述第一数据集直接生成所述多端晶体管的相应的(m‑1)端的电荷量；以及基于所述多端晶体管的(m‑1)端的电荷量以及电荷守恒定律计算，获得所述多端晶体管其余端的电荷量。本申请还涉及一种用于预测多端晶体管各端电荷量的人工神经网络系统及其建立方法，以及包括如前述的预测方法和建立方法的计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN115146770A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210870776.3
申请日：2022-07-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络。本申请涉及一种神经网络电路，包括多个神经元电路，以及多个电子突触电路，其中所述电子突触电路中的至少一个配置为从一个突触前神经元电路接收第一输入信号、第二输入信号和控制信号，并接收一个突触后神经元电路的反馈信号；其中，所述电子突触电路至少包括开关单元、输入单元以及权值计算单元；本申请还涉及一种包含如前述的神经网络电路的电子系统和一种电子设备。
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公开(公告)号：CN112701045A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011592482.6
申请日：2020-12-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 一种双栅薄膜晶体管的结构及其制造方法，其结构中包括衬底、底栅电极层、绝缘介质层、有源层、顶栅绝缘介质层、图形化的绝氧层以及顶栅电极层。由于有源层的上方具有图形化的绝氧层，使得可以通过热处理的方式将有源层导体化，形成源极和漏极，源漏极的稳定性更好，并且图形化绝氧层可以更好的隔绝外界空气和湿气，避免内部电极被氧气或湿气腐蚀，进一步保障器件的性能和稳定性。其方法中采用背部曝光的方式形成图形化绝氧层，使得形成的器件中，底栅宽度和有源层的宽度相同，有效对准，底栅和源极漏极之间没有交叠量，也可通过增加绝缘层的厚度或层数进一步降低顶栅与源极和漏极之间的交叠电容。
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公开(公告)号：CN116205167A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310157186.0
申请日：2023-02-15
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请涉及一种基于人工神经网络系统的晶体管统计模型的建立方法，包括接收并基于第一数据集中的数据利用所述人工神经网络系统生成标准晶体管的名义模型；基于所述第一数据集以及所述名义模型，对所述人工神经网络系统中神经元进行筛选得到最终涨落神经元；基于所述名义模型相对于所述最终涨落神经元的权重的变化情况、所述名义模型相对于阈值电压的变化情况、所述第一数据集中的漏源极电流的分布以及栅源极电压的分布，计算获得所述统计模型中所述最终涨落神经元的权重的分布以及阈值电压的分布；以及基于所述名义模型、所述最终涨落神经元的权重的分布以及所述阈值电压的分布，建立所述统计模型。
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公开(公告)号：CN115374698A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210966753.2
申请日：2022-08-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G06F30/27 , G06F119/02
Abstract: 本申请涉及一种用于预测三端晶体管漏源电流的方法，包括接收所述晶体管的实际栅源极电压，并利用第一人工神经网络产生在所述晶体管的漏源极电压等于第一参考值时的第一漏源电流值；接收所述晶体管的实际漏源极电压，对所述第一漏源电流值与原点形成的直线进行延伸从而获得第二漏源电流；接收所述实际栅源极电压和所述实际漏源极电压，利用第二人工神经网络产生第一比值；以及基于所述第二漏源电流和所述第一比值获得当前偏置条件下对所述晶体管的漏源极电流的预测值；本申请还涉及一种如前述的用于预测三端晶体管漏源电流的人工神经网络系统及其建立方法，以及两种计算机可读存储介质。
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