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公开(公告)号：CN111485224B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN201910085922.X
申请日：2019-01-29
IPC: C23C16/44 , C23C16/458 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。
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公开(公告)号：CN116856050A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202210315664.1
申请日：2022-03-28
Abstract: 本发明公开了一种适用于单晶石墨烯晶圆生长的合金衬底。单晶石墨烯晶圆的制备包括以下步骤：1)构筑铜钴(111)合金晶圆，其中将磁控溅射制备的铜钴合金/蓝宝石晶圆置于化学气相沉积系统中进行退火处理，得到铜钴(111)合金晶圆；2)通入气态碳源，在所述铜钴(111)合金晶圆表面外延生长单晶石墨烯。本方法一方面有利于解决现有铜晶圆高温退火单晶化时表面的热沟壑问题，从而提高合金晶圆的表面平整度和均匀性。另一方面，本方法利用钴元素自身的高催化活性和溶碳量，可以实现石墨烯单晶晶圆畴区尺寸、生长速率和层数的有效调控。
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公开(公告)号：CN108821273B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201811109110.6
申请日：2018-09-21
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN111151513A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201811319723.2
申请日：2018-11-07
IPC: B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种带形物品清洗装置及清洗方法，清洗装置包括腔室以及至少一滚轮。腔室包括供带形物品进出的进料口以及出料口；至少一滚轮设置在腔室内，每一滚轮的轴线垂直于进料口和出料口的连线，每一滚轮表面设置有吸附剂；其中，在清洗过程中，带形物品与至少一滚轮表面的吸附剂接触。
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公开(公告)号：CN107539976B
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201710845495.1
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明公开了一种二氧化碳制备超洁净石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：将铜基底置于管式炉中，通入碳源气体和氢气进行化学气相沉积，沉积完毕后在另一加热温区通入二氧化碳进行处理，处理后即得到所述超洁净石墨烯。该制备方法简单，原料易得，可以与卷对卷技术相结合实现大规模生产，可以得到超洁净、高质量的大单晶石墨烯薄膜，在光学、电学等领域具有巨大的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110607517A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201810615694.8
申请日：2018-06-14
IPC: C23C16/56 , C23C16/26 , C01B32/196 , B08B7/00
Abstract: 本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。
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公开(公告)号：CN119797352A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510038432.X
申请日：2025-01-09
IPC: C01B32/196
Abstract: 本发明公开一种清洁石墨烯表面的方法，采用电子束辐照清洁石墨烯表面。本发明的方法，可以实现石墨烯薄膜表面污染物的原位清洗，且可以不破坏石墨烯晶格结构。本发明的方法操作简单、清洗速率快、对污染物可实现定点清除，且对于不同种类的污染物均具有较好的清洁效果，方法普适度高，对于进一步实现和拓展CVD法制备石墨烯的高端应用具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115420653B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110525854.1
申请日：2021-05-14
IPC: G01N13/02 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
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公开(公告)号：CN118668174A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310281337.3
申请日：2023-03-20
Abstract: 本发明公开一种双层石墨烯晶圆的制备方法及该方法制备的双层石墨烯晶圆。该方法包括：将两片基底放置气相沉积装置中进行气相沉积；其中所述基底包括铜薄膜，所述铜薄膜为单晶Cu(111)薄膜，所述两片基底的铜薄膜相对且平行设置，所述铜薄膜之间的间距为≤25μm；所述气相沉积时通入的碳源气体的分压为0.08mbar至0.32mbar，H2分压为40mbar。本发明利用目前已较为成熟的Cu(111)单晶晶圆衬底，通过打破铜表面的自限制生长模式，发展石墨烯晶圆的层数调控方法，实现双层石墨烯晶圆的可控制备，具有重要的科学价值与应用价值。
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公开(公告)号：CN115420653A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202110525854.1
申请日：2021-05-14
IPC: G01N13/02 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/2206
Abstract: 本发明提供了一种石墨烯薄膜亲水性的评估方法，包括如下步骤：(1)将石墨烯薄膜设置于多孔载网上，得到石墨烯薄膜/多孔载网；(2)在所述石墨烯薄膜/多孔载网的石墨烯薄膜表面设置水滴；(3)通过环境扫描电镜获取所述石墨烯薄膜表面水滴的形貌图；以及(4)通过所述形貌图计算得出或直接测量得到所述水滴的接触角θ。本发明一实施方式的方法，以不受衬底干扰的石墨烯薄膜作为评估对象，可以排除衬底对石墨烯亲水性测量的影响；同时通过环境扫描电镜的使用，可得到石墨烯薄膜表面水滴的更为清晰的形貌图。
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