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公开(公告)号：CN1193397C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01140098.6
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3044 , H01J9/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法，包括电导体丝，单壁碳纳米管，电导体丝前端为针尖形；单壁碳纳米管直径为1-2纳米，长度为10～100纳米，将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端，在真空中经加热或电子束轰击处理，在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性，所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源，具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源；复眼式平板显示屏；电子显微分析仪；偏振电子束；自由电子激光器；超亮光源；大气中的X光源；高能电子束手术刀等多个领域。
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公开(公告)号：CN1103500C
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN99118962.0
申请日：1999-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/101 , G01J1/02
Abstract: 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构，属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极，从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。
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公开(公告)号：CN1352461A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN01140098.6
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/3044 , H01J9/02 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法,包括电导体丝,单壁碳纳米管,电导体丝前端为针尖形;单壁碳纳米管直径为1－2纳米,长度为10～100纳米,将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端,在真空中经加热或电子束轰击处理,在电导体丝与碳纳米管交接处形成过渡区的碳化物。由于碳纳米管具有很高的强度和很好的柔性,所以本弹道电子发射源是一稳定结构的新型电子源,具有超强、高亮度、相干性和偏振性。可以应用在彩色全息电视电子源;复眼式平板显示屏;电子显微分析仪;偏振电子束;自由电子激光器;超亮光源;大气中的X光源;高能电子束手术刀等多个领域。
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公开(公告)号：CN1086927A
公开(公告)日：1994-05-18
申请号：CN92112947.5
申请日：1992-11-13
Applicant: 中国科学院北京真空物理实验室 , 北京大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种光电发射薄膜的制备方法与应用，属于半导体器件领域。此种薄膜含有银、钡、氧三种元素，用真空系统中通电加热蒸发钡源和银源，使其沉积并激活的方法制备。此种薄膜可存放于大气，能在真空仪器中恢复光电发射而无需重新激活，并可以在较高温度环境下工作，具有较高灵敏度。它可以作为光电发射薄膜材料，用于皮秒级激光脉冲检测及高亮度阴极，还可用于变相管等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972021A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410126379.0
申请日：2014-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: H01J49/40
Abstract: 本发明提出一种基于动量分析器的飞行时间质谱计（MTOF-MS），使得离子质量数与其飞行时间呈线性关系，从而大大扩展仪器的质量数上限，明显提升仪器的分辨本领。本发明所依据的物理原理是，将传统的“等做功”离子加速方式改变为“等冲量”离子加速方式，也即，先把所有离子压缩到一个薄层内等待起飞，然后用高压窄脉冲加速离子，所有等电荷离子将获得同样的动量，再进入无场漂移区，最后按照离子质量数不同陆续到达探测器。也可以让离子通过无场漂移区后再进入离子反射器，折返后再次通过无场漂移区最后陆续到达探测器。按照到达离子的时间序列记录信号，即可识别离子种类。
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公开(公告)号：CN100411728C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510086422.6
申请日：2005-09-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气(H2)、一氧化碳(CO)、甲烷(CH4)、乙烷(C2H6)等燃料气体。本发明还提出一种制备新型光控燃料气体源的制备装置结构，在此基础上提出几个典型的应用装置。光控燃料气体源的制备装置包括：可抽真空的容器、碳纳米管样品、电光源及其控制电路，以及用于抽真空、进水汽和取燃料气体的阀门；电光源封接在容器内，碳纳米管放在容器中，控制电路连接电光源。它可以与不同类型的应用装置相连通。
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公开(公告)号：CN1182423C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN02146377.8
申请日：2002-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种金属纳米粒子-半导体介质复合薄膜，该薄膜具有大的三阶光学非线性系数和极快响应速度。该复合薄膜沉积在透明基底的一侧，基质为厚度在100～200nm之间的碱金属氧化物或碱土金属氧化物半导体介质薄膜，其中埋藏有均匀分布的直径为5～20nm的贵金属纳米粒子。其制备方法为：高真空条件下在透明基底的一侧沉积碱金属或碱土金属薄膜，至白光透过率下降至30%时止；氧化金属薄膜至白光透过率基本恢复，得到半导体介质薄膜；在半导体介质薄膜表面沉积贵金属薄膜；再依次进行真空中120℃半小时以上和大气中100℃一小时以上的退火处理。本发明还提供了采用该复合薄膜为克尔介质的全光克尔开关。
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公开(公告)号：CN1155980C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN01140097.8
申请日：2001-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属薄膜电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为1μm～0.5mm，纳米线直径为20～200nm，长度为100～500nm。制造步骤包括：(1)按照显示器件尺寸要求选用纳米孔模板；(2)在所选纳米孔模板的一面蒸发-电镀制造金属薄膜电极；(3)在纳米孔模板的纳米孔中电化学生长金属纳米线阵列；(4)清洗烘干后溶去部分或全部模板，露出金属纳米线。本发明的场发射阴极应用于阴极射线管和平板显示器。本发明的场发射阴极启始场强低，电流密度大，制备简单，成本低。
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公开(公告)号：CN1245977A
公开(公告)日：2000-03-01
申请号：CN99118962.0
申请日：1999-09-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构,属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子/介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极,从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的。本发明的内场助金属超微粒子/介质复合光电发射薄膜可用于近红外光电检测、超快光电信号转换等方面。
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