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公开(公告)号：CN101252145B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200710090362.4
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定的高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101252145A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710090362.4
申请日：2007-04-06
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定得高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触，可用于制备高性能的n型碳纳米管场效应晶体管，也可用于制备以碳纳米管为基的其他各种高性能的纳电子器件，包括生物以及化学传感器件。本发明对推动纳电子器件的实用化进程具有非常重要的意义，具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119935198A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411861096.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供本发明提供一种基于非厄米临界点的无线传感器电路，所述电路包括传感电路和读取电路，其特征在于所述传感电路包括：平面电感线圈Ls、电容传感器Cs，所述电容传感器Cs与平面电感线圈Ls串联，所述电容传感器Cs采用叉指电极结构构造；所述读取电路包括平面电感线圈Lr、电容元件Cr、同轴连接器、网络矢量分析仪，所述平面电感线圈Lr和电容元件Cr串联，所述网络矢量分析仪通过同轴连接器与串联的平面电感线圈Lr和电容元件Cr相连；所述无线传感器电路具有的非厄米临界点为互感耦合系数#imgabs0#并且所述读取电路相对于传感电路的位置是将读取侧电容Cr、读取侧电感Lr、和传感侧电容Cs、传感侧电感Ls以及读取侧网络矢量分析仪的内阻Rr、传感器的电阻Rs代入方程：#imgabs1#根据互感耦合系数κ为临界点#imgabs2#的值确定。本发明提供的基于非厄米临界点的无线传感器电路设计的灵活性、品质因数和传感灵敏度相对较高、能实现对信号的实时监测，提高了信号读取的准确性。
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公开(公告)号：CN119915413A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411811705.1
申请日：2024-12-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种集成碳纳米管晶体管的柔性压力传感器，包括弹性体复合栅极电极、分层复合介电质层、浮栅碳纳米管晶体管，弹性体复合栅极电极由弹性体电极和金属电极复合而成，弹性体电极由聚二甲基硅氧烷和导电碳纳米管制备而成，弹性体电极外表面形成多尺度微结构，金属电极为蒸镀微结构外表面的下金属层电极和与弹性体电极上表面相连的上金属层电极；分层复合介电质层由有机介电质和无机介电质复合而成；浮栅碳纳米管晶体管中的浮栅电极长度延长用于与其他部分的集成，其沟道由高纯度半导体碳纳米管薄膜制成。本发明的工作电压相对较低、传感性能较高，设计灵活性较高、电学和力学稳定性较高，有利于传感器器件的小型化和规模化。
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公开(公告)号：CN119321836A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411549625.3
申请日：2024-11-01
Applicant: 北京大学
IPC: G01L1/14
Abstract: 本发明涉及一种接触主导场增强的柔性电容式压力传感器及其制备方法，所述接触主导场增强的柔性电容式压力传感器包括弹性体复合电极和复合介电层，所述弹性体复合电极由弹性体电极和金属电极复合而成，所述弹性体电极为由聚二甲基硅氧烷和碳纳米管复合材料制备而成的弹性体，所述弹性体电极在朝向复合介电层的外表面形成多尺度微结构，所述金属电极为蒸镀在多尺度微结构表面的金属层；所述复合介电层由无机金属氧化物介电层和有机介电层形成上下层结构复合而成。本发明提供的接触主导场增强的柔性电容式压力传感器具有灵敏度较高、线性响应度较高、传感范围较宽以及力学稳定性较好的特点，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN111251688B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202010208242.5
申请日：2020-03-23
Applicant: 北京元芯碳基集成电路研究院 , 北京大学 , 北京华碳元芯电子科技有限责任公司
IPC: B32B33/00 , B32B27/06 , B32B27/28 , B32B15/08 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B37/24 , B32B38/10 , G01B7/16
Abstract: 本申请公开了一种柔性导电薄膜及其制备方法、传感器，该柔性导电薄膜在拉伸过程中，主要由柔性薄膜的形变缓冲单元外围的微结构底部发生拉伸形变，多产生垂直于拉伸方向的裂纹，并随拉伸程度的增大而扩展，从而使导电薄膜在拉伸方向上的电阻明显增大，使其具有较高的拉伸灵敏度。此外在拉伸过程中，微结构的形貌几乎不变，且柔性薄膜中平行于拉伸方向上连接形变缓冲单元之间的沟壑裂纹较少，从而形成连接的形变缓冲单元微岛，保证了柔性导电薄膜在近70％的拉伸应变下仍然能够导通电流，提高了器件的拉伸范围。在释放应力后，柔性薄膜恢复到施力前的尺寸，裂纹闭合，导电膜层的电阻恢复到起始大小，使得柔性导电膜层可以反复拉伸重复使用。
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公开(公告)号：CN101136408A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710121804.7
申请日：2007-09-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，n型场效应晶体管是通过控制低功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的导带交换电子来实现的。在此基础上，本发明提出了采用背栅和顶栅两种器件结构分别实现反相器、与非门、或非门以及全加器等基本逻辑单元和更为复杂的逻辑电路。本发明大大降低了CMOS电路制作的工艺复杂性和成本，提高了器件性能的均匀性，为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。
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