公开(公告)号：CN102456403A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201010523322.6

申请日：2010-10-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦石强 ,  黄如 ,  蔡一茂 ,  唐粕人 ,  唐昱 ,  谭胜虎 ,  黄欣 ,  潘越

IPC: G11C16/06

CPC classification number: H01L29/42352 ,  G11C16/0475 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明公开了利用分裂槽栅快闪存储器实现四位存储的方法，所述分裂槽栅快闪存储器如专利号为200710105964.2中国专利中所述，在该快闪存储器的两个沟槽与沟道接触的一侧区域采用沟道热电子注入的方法实现对电子的编程；而在两个沟槽与源或漏接触的一侧区域采用FN注入的方法实现对电子的编程。从而通过编程模式的改变实现四位存储的功能，使得这种器件在性能得到提升的同时，存储密度也有较大的改善。

公开(公告)号：CN102142455A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010103868.6

申请日：2010-01-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  秦石强 ,  唐粕人 ,  张丽杰 ,  蔡一茂

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种可在BJT和MOSFET之间相互转变的器件，包括MOSFET结构中的衬底、栅介质层、栅极、源区和漏区，其中源区的掺杂浓度比漏区高，栅介质层是由阻变材料构成的阻变介质层，当该阻变介质层为高阻态时该器件为MOSFET，低阻态时则转变为BJT，MOSFET的栅极、源区和漏区对应地分别变为BJT的基极、发射极和集电极。该器件的制作工艺简单，和主流平面CMOS工艺兼容，生产成本低，根据需要在栅极(或基极)与衬底之间施加一定的电压就可以使阻变介质层的电阻发生转变，从而实现BJT和MOSFET的互变，在存储器电路和逻辑电路方面有着很好的应用潜力。

公开(公告)号：CN102354128B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201110147405.4

申请日：2011-06-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  张丽杰 ,  叶乐 ,  谭胜虎 ,  蔡一茂 ,  邹积彬 ,  唐昱 ,  秦石强

IPC: G05B19/04

Abstract: 本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，以输出电压的形式实现情感模拟，其中，加法器电路经过忆阻器改进，用忆阻器代替电阻，由于忆阻器能在外加电压的控制下改变其阻值，因此能够将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，得到输出电压，以不同的输出电压表示机器人对事物的不同的反应，从而以输出电压的形式实现机器人的情感模拟。

公开(公告)号：CN102738244A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110087509.0

申请日：2011-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦石强 ,  田明 ,  唐粕人 ,  唐昱 ,  蔡一茂 ,  黄如

IPC: H01L29/792 ,  H01L21/336 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种SONOS快闪存储器及其制备方法和操作方法。该快闪存储器包括衬底、源漏和沟道，沟道之上依次为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和多晶硅控制栅；其特征在于，所述衬底为轻掺杂硅；源漏的掺杂类型不同，分别为P+区和N+区。该器件与现有标准CMOS工艺有着较好的兼容性，在具有一般SONOS快闪存储器保持特性较好的优势的同时，可以有效地提高编程效率、降低功耗、抑制穿通效应，且小尺寸特性理想。

公开(公告)号：CN102738169A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110092483.9

申请日：2011-04-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 秦石强 ,  黄如 ,  蔡一茂 ,  唐粕人 ,  谭胜虎

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/8616

Abstract: 本发明公开了一种快闪存储器及其制备方法，属于半导体存储器技术领域。本存储器包括埋氧层，其上设有源端、沟道、漏端，沟道位于源端与漏端之间，沟道之上依次为隧穿氧化层、多晶硅浮栅、阻挡氧化层、多晶硅控制栅，源端与沟道之间设有一氮化硅薄层。本方法为：1)浅槽隔离SOI硅衬底，形成有源区；2)在硅衬底上依次生长隧穿氧化层、第一多晶硅层并制备多晶硅浮栅，生长阻挡氧化层、第二多晶硅层并制备多晶硅控制栅；3)刻蚀生成栅堆栈结构；4)在栅堆栈结构一侧的制备漏端；对另一侧的硅薄膜进行刻蚀，生长一氮化硅薄层，然后进行硅材料的回填并制备源端。本发明具有编程效率高、功耗低、有效抑制源漏穿通效应。

公开(公告)号：CN102354128A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110147405.4

申请日：2011-06-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  杨庚雨 ,  张丽杰 ,  叶乐 ,  谭胜虎 ,  蔡一茂 ,  邹积彬 ,  唐昱 ,  秦石强

IPC: G05B19/04

Abstract: 本发明公开了一种用于机器人情感模拟的电路及其控制方法。本发明的电路包括：微处理器，用以处理需要进行情感模拟的信息；存储器，用以存储对于事物的经验认识，作为经验库，它包括感性存储区和理性存储区；加法器电路，用以将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，以输出电压的形式实现情感模拟，其中，加法器电路经过忆阻器改进，用忆阻器代替电阻，由于忆阻器能在外加电压的控制下改变其阻值，因此能够将机器人的感性判断和理性判断进行加权计算，得到输出电压，以不同的输出电压表示机器人对事物的不同的反应，从而以输出电压的形式实现机器人的情感模拟。

公开(公告)号：CN102194849A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010124705.6

申请日：2010-03-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  秦石强 ,  蔡一茂 ,  唐粕人 ,  张丽杰

IPC: H01L27/24

CPC classification number: G11C11/5621

Abstract: 本发明公开了一种多位快闪存储器，包括衬底、源端和漏端，以及依次层叠在沟道之上的遂穿氧化层、多晶硅浮栅(对应于浮栅型闪存)或氮化硅陷阱层(对应于分离陷阱型闪存)、阻挡氧化层、金属下电极、阻变材料层和金属上电极。其中金属下电极在读取时，通过外面串联的电阻接地，使得阻变材料层起到明显的分压效果。本发明以现有的快闪存储单元为基本架构，融入了阻变材料存储单元，与当前的主流闪存制备工艺兼相兼容，并在很大程度上提高了单位面积上的存储密度。