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公开(公告)号：CN115619597A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211087924.0
申请日：2022-09-07
Applicant: 深港产学研基地(北京大学香港科技大学深圳研修院) , 王睿
Inventor： 王睿
Abstract: 本发明公开了一种区域高等教育全球化水平的评价系统，其特征在于，包括以下步骤：数据库模块，用于存储评价区域高等教育全球化水平的第一数据以及第一数据对应的第一评价标准；数据库逻辑控制模块，用于实现评价系统的评价功能；数据采集模块，用于获取第一目标区域的第二数据；标准生成模块，用于根据第二数据与第一数据的第一关系，依据第一评价标准，生成第二评价标准；评价模块，用于根据第一特征数据，以及第二特征数据，并通过获取第一特征数据和第二特征数据的第二关系，评价第一目标区域的第一区域高等教育全球化水平；本发明为区域的高等教育全球化水平的评价提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN118524775B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410988745.7
申请日：2024-07-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的氮化物铁电神经形态器件及实现方法。本发明通过第一和第二热膨胀层与氮化物铁电层的热膨胀系数不同，在温度变化时对氮化物铁电层的夹持作用，对氮化物铁电层施加随温度变化的应力，调控矫顽电场，分别实现电写入和热写入；本发明赋予了氮化物铁电神经形态器件新的温度感知功能，应用于高性能电子器件、铁电存储器、传感器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等领域，能够显著提升相关神经形态计算系统的集成度和功能性，并拓宽氮化物铁电半导体材的在人工智能和物联网等领域的应用场景。
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公开(公告)号：CN117535790B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410033428.X
申请日：2024-01-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于声表面波原位注入的分子束外延生长台及其实现方法。本发明的分子束外延生长台包括声表面波发生器和供电支架；本发明的分子束外延生长台能够直接应用于真空分子外延生长设备中生长半导体晶体，供电支架为表面波发生基底以无线射频形式提供设定频率的交流电信号，在分子外延生长的过程中原位产生声表面波，从而实现声表面波辅助的半导体晶体的分子束外延生长；并且，压电半导体薄膜采用具有良好耐热性的材料，能够在高温正常工作；本发明设计的结构能够很好与当前商用分子外延生长设备兼容，在无需改装生长腔体的情况下原位产生声表面波，从而辅助分子外延生长。
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公开(公告)号：CN117228641A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311524764.6
申请日：2023-11-16
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/00
Abstract: 本发明公开了一种补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用离子注入和热退火工艺，得到补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜；本发明既能够通过大剂量、大能量和高深度的近下表面氮离子注入，解决由于应力引起的下表面附近的大量的氮空位缺陷，又能够通过多次氮离子注入方式，在整个氮化物铁电薄膜中实现均匀分布的氮浓度，解决整个氮化物铁电薄膜中的氮空位；本发明有效解决氮化物铁电薄膜中的氮空位问题，具有显著地漏电抑制作用，提高氮化物铁电薄膜的寿命和可靠性，同时降低相关器件能耗，使得氮化物铁电氮化物铁电薄膜能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件中。
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公开(公告)号：CN115911094A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211443885.3
申请日：2022-11-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , H10B51/30 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种基于外延技术的三端铁电存储器及其制备方法。本发明利用外延技术实现高质量的铁电介质层和沟道；通过插入层、阻挡层和高阻缓冲层的引入，大大降低了铁电存储器的漏电问题，使得该器件具有更好的稳定性和耐受性，提升器件的寿命，降低器件的产热和功耗；利用ScAlN铁电介质层作为铁电功能层的同时，与GaN形成异质结，以异质结的界面作为沟道，相比于传统铁电存储器沟道和铁电介质层分离的结构，简化了工艺步骤；并且由于异质结沟道中载流子浓度和载流子迁移率远大于传统铁电存储器中的半导体沟道，使得本发明中的三端铁电存储器具有更高的功率密度和更好的高频特性，能够被用于射频和大功率电路等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115312758A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211018818.7
申请日：2022-08-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/131 , H01M10/0525
Abstract: 本申请公开了一种富锂正极材料表面处理的方法及应用。本申请方法包括，对富锂正极材料进行放电等离子烧结，获得具有氧空位缺陷层的富锂正极材料；放电等离子烧结条件为，真空下，施加30‑100MPa压强，以20‑80℃的温度升温至200‑400℃保温10‑60分钟。本申请方法，利用放电等离子烧结在富锂正极材料表面诱导产生氧空位缺陷，抑制充放电过程中的晶格氧损失，促进锂离子快速脱嵌，稳定晶格结构，使富锂正极材料具有出色的倍率性能和循环稳定性；此外，氧空位在富锂正极材料表面使部分金属元素价态变低，产生类尖晶石/岩盐相结构，对富锂正极材料起保护作用，减少和电解液的副反应，进一步稳定材料结构，提高循环稳定性。
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公开(公告)号：CN117228641B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311524764.6
申请日：2023-11-16
Applicant: 北京大学
IPC: C01B21/00
Abstract: 本发明公开了一种补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用离子注入和热退火工艺，得到补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜；本发明既能够通过大剂量、大能量和高深度的近下表面氮离子注入，解决由于应力引起的下表面附近的大量的氮空位缺陷，又能够通过多次氮离子注入方式，在整个氮化物铁电薄膜中实现均匀分布的氮浓度，解决整个氮化物铁电薄膜中的氮空位；本发明有效解决氮化物铁电薄膜中的氮空位问题，具有显著地漏电抑制作用，提高氮化物铁电薄膜的寿命和可靠性，同时降低相关器件能耗，使得氮化物铁电氮化物铁电薄膜能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子
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公开(公告)号：CN116568042B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310835363.6
申请日：2023-07-10
Applicant: 北京大学
IPC: H10B51/30 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种电写光读氮化物铁电神经形态器件及其制备方法。本发明各层结构在同一设备的同一腔体中全外延实现，有利于提升界面质量，并提升器件的可靠性；利用多层复合式铁电层功能层，有利于增强器件的多态特性，通过精确控制超晶格中各层氮化物铁电层的掺杂元素组分，实现组分梯度变化，氮化物铁电层中掺杂元素组分浓度对矫顽场的调制作用，实现各层氮化物铁电层具有不同的矫顽电压，氮化物铁电神经形态器件的阈值电压呈离散值，从而实现低重叠、高鲁棒和抗噪声的多态数据存储能力，还能够更高效地模仿生物神经系统中突触的能力；本发明实现光读取能力，赋予了器件更多的操作维度，能够广泛应用于神经形态计算系统或新型存算一体系统中。
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公开(公告)号：CN115372391A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210846146.2
申请日：2022-07-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01N23/20008
Abstract: 一种原位中子测试装置和电池原位充放电中子测试系统，包括真空腔、样品固定件、制冷元件和加热元件，样品固定件用于将待测电池固定设于真空腔内，制冷元件用于降低真空腔内温度，加热元件用于提高真空腔内的温度。由于制冷元件和加热元件分别可以降低或升高真空腔内的温度，可为真空腔内提供宽温区间，使得待测电池能够置于不同的温度环境中，以研究电池在不同温度条件下充放电时电池电极材料的结构演化信息。
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公开(公告)号：CN118524775A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410988745.7
申请日：2024-07-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的氮化物铁电神经形态器件及实现方法。本发明通过第一和第二热膨胀层与氮化物铁电层的热膨胀系数不同，在温度变化时对氮化物铁电层的夹持作用，对氮化物铁电层施加随温度变化的应力，调控矫顽电场，分别实现电写入和热写入；本发明赋予了氮化物铁电神经形态器件新的温度感知功能，应用于高性能电子器件、铁电存储器、传感器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等领域，能够显著提升相关神经形态计算系统的集成度和功能性，并拓宽氮化物铁电半导体材的在人工智能和物联网等领域的应用场景。
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