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公开(公告)号：CN115312758A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211018818.7
申请日：2022-08-24
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01M4/525 , H01M4/505 , H01M4/131 , H01M10/0525
Abstract: 本申请公开了一种富锂正极材料表面处理的方法及应用。本申请方法包括，对富锂正极材料进行放电等离子烧结，获得具有氧空位缺陷层的富锂正极材料；放电等离子烧结条件为，真空下，施加30‑100MPa压强，以20‑80℃的温度升温至200‑400℃保温10‑60分钟。本申请方法，利用放电等离子烧结在富锂正极材料表面诱导产生氧空位缺陷，抑制充放电过程中的晶格氧损失，促进锂离子快速脱嵌，稳定晶格结构，使富锂正极材料具有出色的倍率性能和循环稳定性；此外，氧空位在富锂正极材料表面使部分金属元素价态变低，产生类尖晶石/岩盐相结构，对富锂正极材料起保护作用，减少和电解液的副反应，进一步稳定材料结构，提高循环稳定性。
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