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公开(公告)号：CN118374878B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410832059.0
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
IPC: C30B25/18 , C30B33/04 , C30B29/38 , C23C14/04 , C23C14/48 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C16/06 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种可控多畴结构氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用自组装掩膜、离子注入工艺和外延生长方式，得到高质量可控多畴结构的氮化物铁电薄膜，具有更小的翻转能垒，能够大幅降低工作电压；同时具有更加可控的部分电畴翻转能力，有利于实现多态存储；利用离子注入得到非晶高电阻，大幅降低了漏电；在不引入额外漏电的情况下实现可控的多畴结构，降低新型氮化物基铁电器件的漏电和工作电压，大幅提高氮化物铁电材料的寿命和可靠性，降低相关器件能耗，并提升器件的多态调制能力，使得氮化物铁电材料能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等，并且应用于神经形态计算和人工智能等新兴领域。
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公开(公告)号：CN117845326A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410258109.9
申请日：2024-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应，以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，显著降低生长速率，为Al源提供充足迁移时间，有助于Al源的均匀并入；以残余Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，本发明能够实现生长速率低于0.1 nm/s的目标AlGaN薄膜生长；结合残余Al源流量和目标AlGaN薄膜生长时间的控制，实现目标AlGaN薄膜的Al组分和原子层级厚度的精准生长控制；能够形成Al组分逐渐降低或常规恒定的目标AlGaN薄膜；本发明在外延结构和器件制备方面具有直接应用的重大价值，应用于紫外发光/激光二极管等发光器件的有源区、p型极化诱导层、HEMT的AlGaN势垒层、多周期超晶格结构和AlGaN组分渐变的应变调制层等。
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公开(公告)号：CN115323475A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210925338.2
申请日：2022-08-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高指数晶面六方氮化硼薄膜的制备方法。本发明在高指数晶面衬底上形成单晶AlN模板层构成高指数晶面衬底，在单晶AlN模板层上形成氧富集的AlxOy薄层；在AlxOy薄层上形成BmNn薄膜，得到复合结构；将具有AlN薄膜的低指数晶面衬底与复合结构物理压合，高温重构形成h‑BkNl薄膜；破坏氧富集的AlxOy薄层，得到具有h‑BkNl薄膜的低指数晶面AlN模板；h‑BkNl薄膜具有与高指数晶面衬底相同的晶面取向，能够具有指定晶面取向，打破现有制备技术瓶颈；高指数晶面衬底能够重复利用；采用沉积和高温重构的方式制备h‑BN薄膜能够降低工艺难度，避免采用昂贵的高温设备，提高产率并降低成本。
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公开(公告)号：CN1726867A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200410009380.1
申请日：2004-07-28
Applicant: 北京大学
IPC: A61B5/117
Abstract: 本发明公开了一种掌纹提取方法和装置，包括取像盒和摄像机，取像盒侧壁上距摄像机最佳取像高度处设有供手掌伸入的入口，同一高度的入口对端适当距离处设置有支撑手掌的定位杆，取像盒内还固定有两照明用光源，该两光源处于与摄像机镜头等高的同一平面内且基本沿镜头中心对称，光源和手掌待取像部分中心点的连线与镜头中心线的夹角在27.5－35.5的范围内，近端光源和镜头中心连线与纵向中心轴的夹角在54.5－62.5的范围内，远端光源和镜头中心连线与横向中心轴的夹角在50.5－58.5的范围内。不同时刻点亮不同的光源，拍摄对不同掌纹特征进行增强的图像；将得到的两幅图像进行融合，得到所有需增强特征均得到增强的图像。
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公开(公告)号：CN118524775A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410988745.7
申请日：2024-07-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的氮化物铁电神经形态器件及实现方法。本发明通过第一和第二热膨胀层与氮化物铁电层的热膨胀系数不同，在温度变化时对氮化物铁电层的夹持作用，对氮化物铁电层施加随温度变化的应力，调控矫顽电场，分别实现电写入和热写入；本发明赋予了氮化物铁电神经形态器件新的温度感知功能，应用于高性能电子器件、铁电存储器、传感器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等领域，能够显著提升相关神经形态计算系统的集成度和功能性，并拓宽氮化物铁电半导体材的在人工智能和物联网等领域的应用场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118374878A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410832059.0
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京大学
IPC: C30B25/18 , C30B33/04 , C30B29/38 , C23C14/04 , C23C14/48 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C16/06 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开了一种可控多畴结构氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用自组装掩膜、离子注入工艺和外延生长方式，得到高质量可控多畴结构的氮化物铁电薄膜，具有更小的翻转能垒，能够大幅降低工作电压；同时具有更加可控的部分电畴翻转能力，有利于实现多态存储；利用离子注入得到非晶高电阻，大幅降低了漏电；在不引入额外漏电的情况下实现可控的多畴结构，降低新型氮化物基铁电器件的漏电和工作电压，大幅提高氮化物铁电材料的寿命和可靠性，降低相关器件能耗，并提升器件的多态调制能力，使得氮化物铁电材料能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等，并且应用于神经形态计算和人工智能等新兴领域。
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公开(公告)号：CN116497455B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310781440.4
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法。本发明利用氮化物铁电半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异，通过在氮化物铁电半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构，实现铁电畴尺寸可调制的高效氮化物铁电半导体，并避免了失效层的形成；同时利用二维晶体的层间范德瓦尔斯力作用结合力弱的特点，有效释放单个铁电畴中的应力，同时释放铁电畴与衬底之间异质界面的强耦合作用，进一步提升铁电性的稳定性和可靠性；更进一步，采用本发明的方法外延生长的氮化物铁电半导体，能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等。
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公开(公告)号：CN115050864B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210981417.5
申请日：2022-08-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非单晶衬底的单晶氮化物Micro‑LED阵列的制备方法。本发明通过制备二维材料掩膜层，得到位错密度低于1×109 cm‑2的位错过滤层，并进一步得到位错密度低于1×108 cm‑2的单晶氮化物薄膜，能够在大晶格失配且大热膨胀系数失配的非单晶衬底上实现超高质量的单晶氮化物功能结构，除能够用于制备Micro‑LED器件，还能够扩展用于制备射频器件、功率器件、发光器件和探测器件等，具有工艺普适性；采用激光破坏外延结构与非单晶衬底的界面结合，能够实现外延结构的无损分离和非单晶衬底的多次重复利用，节能环保、工艺简单并适于批量生产。
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公开(公告)号：CN115050864A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210981417.5
申请日：2022-08-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非单晶衬底的单晶氮化物Micro‑LED阵列的制备方法。本发明通过制备二维材料掩膜层，得到位错密度低于1×109 cm‑2的位错过滤层，并进一步得到位错密度低于1×108 cm‑2的单晶氮化物薄膜，能够在大晶格失配且大热膨胀系数失配的非单晶衬底上实现超高质量的单晶氮化物功能结构，除能够用于制备Micro‑LED器件，还能够扩展用于制备射频器件、功率器件、发光器件和探测器件等，具有工艺普适性；采用激光破坏外延结构与非单晶衬底的界面结合，能够实现外延结构的无损分离和非单晶衬底的多次重复利用，节能环保、工艺简单并适于批量生产。
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公开(公告)号：CN112538022A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910900883.4
申请日：2019-09-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C07C211/58 , C07D307/79 , C07D333/54 , C07D311/96 , C07D209/86 , C07D307/91 , C07D333/76 , C07C217/80 , C07C217/94 , C07C323/37 , C07D339/08 , C07D319/24 , C07D327/08 , C07D493/06 , C07D495/06 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明提供了一种新型空穴传输材料及其应用，涉及有机光电材料技术领域。本发明的空穴传输材料通过在不同的芳环母体结构上连接间位二取代芳胺的苯基配体，调节该空穴传输材料的分子量、π共轭程度和分子刚性。其载流子传输能力强，有利于空穴传输，且可以提高玻璃化转变温度，不易于结晶，成膜性优良。与现有技术相比，含有本发明新型空穴传输材料的有机电致发光器件，具有较高的发光效率和较高长的使用寿命。
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