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公开(公告)号：CN105420814A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510838168.4
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/12
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长反应釜，包括釜体，所述釜体的侧壁为平面结构，釜体内设有腔体，该腔体的侧壁为平面结构，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成有晶体生长区，该晶体生长区放置晶种模板，釜体侧壁外表面设有加热器，腔体内设有加热器，釜体内设有至少一个腔体，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成至少两个晶体生长区。本发明有效克服了传统反应釜曲面壁造成的反应釜内温场不均匀的问题，特别是有效提高了晶种模板表面温场的均匀度，提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN104962995A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510436581.8
申请日：2015-07-23
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶的生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充有生长溶液，反应釜底部设有晶种模板，反应釜顶部设有氮气进气口，该氮气进气口内设有压力调节阀门，其特征在于，所述反应釜内设有使生长溶液形成涡流的涡流产生装置，该涡流产生装置为气流系统、氮气管路系统或者溶液回流系统，使反应釜内的生长溶液形成涡流。本发明有效克服了传统反应装置溶液对流无序及N源供给不足的缺点，有效提高了晶体质量及均匀性。
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公开(公告)号：CN104862781A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510302054.8
申请日：2015-06-04
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 一种Ⅲ族氮化物晶体的生长方法，包括以下步骤：把C片、固体的Ga-Na源材料及籽晶一起放于反应釜的坩埚中，密封反应釜，将反应釜加压升温至预定的过渡条件；Ga-Na源材料由固体变为Ga-Na溶液，C片由于密度小于Ga-Na溶液而漂浮在气液界面，同时C片开始在Ga-Na溶液上部区域缓慢溶解，使得Ga-Na溶液上部区域处于高C浓度氛围下；对反应釜继续加压升温，加压升温至预定的生长条件（700～1000℃，1～50MPa），籽晶处开始GaN单晶生长；GaN单晶达到目标厚度后，对反应釜降温降压并排除废液并取出晶体。本发明通过抑制N与Ga的结合，阻止GaN多晶的形成，提高了GaN单晶的生长速率。
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公开(公告)号：CN104439724A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410626931.2
申请日：2014-11-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B23K26/60 , B23K26/382 , B23K26/36 , B23K26/402
CPC classification number: B23K26/361 , B23K2101/40 , B23K2101/42
Abstract: 本发明公开了一种在陶瓷基板上利用激光加工导电通道的方法，包括以下步骤：清洗，对待加工的陶瓷基板进行清洗，除去该陶瓷基板表面的杂质和污垢，该陶瓷基板选用在被激光辐照下会在与激光接触的表面形成金属导电层的陶瓷基板；激光打孔，在陶瓷基板上利用激光加工出若干导通孔，在该导通孔内壁形成有金属导电层，带金属导电层的导通孔即为导电通道；激光除溶渣，利用激光扫描陶瓷基板的表面，除去陶瓷基板表面产生的溶渣，陶瓷基板的表面在被激光扫描的过程中形成导电金属层，该导电金属层将各个导通孔连接导通。本发明通过激光打孔，并且在打孔的过程中在孔壁形成金属导电层，使得该孔直接形成导电通道，能大大缩减工艺周期和工艺成本。
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公开(公告)号：CN104392935A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410626826.9
申请日：2014-11-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48
CPC classification number: H01L21/4846
Abstract: 本发明公开了一种功率器件模块封装用陶瓷基板的金属化方法，包括步骤：清洗待加工的陶瓷基板，除去该陶瓷基板表面的杂质和污垢；在陶瓷基板表面制作掩膜，该掩膜在激光辐照下会分解气化；激光直写电路，在陶瓷基板上形成电路层，利用激光在敷有掩膜的陶瓷基板上直接写出所需要的电路图形；镀金属膜层，在激光直写出电路的带掩膜陶瓷基板上镀金属膜层；除去掩膜，使在掩膜上形成的金属膜层与陶瓷基板相剥离；在电路层上镀金属加厚层；在金属加厚层上镀金属保护层，完成陶瓷基板的金属化加工。本发明在敷有掩膜的陶瓷基板上通过激光直写出电路，精度高、速度快、可重复性好、且能够在非平面的立体陶瓷上实现，减小了工艺成本，并且更环保。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560186A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310526518.4
申请日：2013-10-30
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/38 , H01L33/44
Abstract: 本发明公开了一种倒装纳米LED芯片及其制备方法。本发明的倒装纳米LED芯片包括：外延芯片部分、衬底和倒装焊接部分；位于衬底上的外延芯片部分倒扣在倒装焊接部分上。本发明采用“自上而下”的制备方法有效地控制了单根纳米柱的尺寸及位置，将纳米压印和电子束曝光结合起来，将模板重复运用有利于芯片的批量化生产；对纳米柱的侧壁实施去损伤处理，使侧壁损伤得到修复，减少了漏电流的产生，起到防止短路的作用；将纳米LED芯片与倒装结构相结合，使得器件具有更高的光提取效率，更好的散热效果以及更均匀的电流扩展，提高了器件的性能；分立的结构，实现了单个纳米LED的独立电致发光，改变了现有的纳米柱阵列一齐发光的研究现状。
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公开(公告)号：CN106498499B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610966496.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
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公开(公告)号：CN106367804B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201610963655.8
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种压强调控晶体生长反应釜，包括釜体，釜体内设有晶体生长室，釜体外设有加热装置，釜体内填充有液体镓源，所述釜体内还设有压强调节室，晶体生长室底面设有隔板，该隔板上设有连接孔，该晶体生长室通过连接孔与压强调节室连通，压强调节室上设有增压阀和减压阀，隔板上设有朝向晶体生长室凸出的衔接管口，连接孔设置在该衔接管口侧壁。本发明通过细微调整两个晶体生长室和压强调节室之间压强的差异，可以有效地实现反应釜内液体镓源的可控流动。
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公开(公告)号：CN105113004B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201510550420.1
申请日：2015-09-01
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种三族氮化物晶体生长装置，包括反应釜，该反应釜内设有晶种模板，所述反应釜与滚动驱动装置连接，该滚动驱动装置带动反应釜转动，滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动，或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。本发明有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中，N源不足的缺点，可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
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公开(公告)号：CN105420814B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510838168.4
申请日：2015-11-26
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长反应釜，包括釜体，所述釜体的侧壁为平面结构，釜体内设有腔体，该腔体的侧壁为平面结构，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成有晶体生长区，该晶体生长区放置晶种模板，釜体侧壁外表面设有加热器，腔体内设有加热器，釜体内设有至少一个腔体，该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成至少两个晶体生长区。本发明有效克服了传统反应釜曲面壁造成的反应釜内温场不均匀的问题，特别是有效提高了晶种模板表面温场的均匀度，提高晶体质量。
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