公开(公告)号：CN102684677A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210180533.3

申请日：2012-06-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  李夏禹 ,  刘俐敏

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，公开了一种基于延迟的双轨预充逻辑输入转换器，其在传统动态反相器电路的基础上增加了4个分别由时钟信号CLK和时钟的延迟Δ得到的信号CKD控制的PMOS管，用来在求值阶段到来Δ时间后，对节点M和N进行充电。也就是说，在时钟低电平刚到时，M和N会根据数据信号A的不同，其中一个被充电到高电平。而经过Δ时间之后，M和N都会被充电到高电平，进而实现CMOS-to-DDPL转换器的功能。该电路相比现有转换器，不仅结构更加简单，而且不存在竞争电流，功耗更低，同时求值路径短，转换速度也会更快。

公开(公告)号：CN102157195A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110115338.8

申请日：2011-05-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  刘俐敏 ,  李夏禹 ,  王源 ,  张钢刚

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种低电压静态随机存储器单元、存储器和写操作方法，涉及存储器领域。该低电压静态随机存储器单元包括写字线、读位线、读字线、第一写位线、第二写位线、NMOS管mn0～mn3、PMOS管mp0、反相器inv1～inv2；mn0的栅极连接读字线，其源极连接读位线，其漏极连接节点n0；mn1的栅极连接节点q，其源极连接节点n0，其漏极连接第二写位线；mn2的栅极连接节点qb，其源极连接第一写位线，其漏极连接节点n0；mn3的栅极连接写字线，其源极连接节点qbt，其漏极连接节点n0。该低电压静态随机存储器单元，具有较高的稳定性，并且在进行存储器布局的时候，可以使用位交叉结构，不会造成“假读”问题。

公开(公告)号：CN102157195B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110115338.8

申请日：2011-05-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾嵩 ,  刘俐敏 ,  李夏禹 ,  王源 ,  张钢刚

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种低电压静态随机存储器单元、存储器和写操作方法，涉及存储器领域。该低电压静态随机存储器单元包括写字线、读位线、读字线、第一写位线、第二写位线、NMOS管mn0～mn3、PMOS管mp0、反相器inv1～inv2；mn0的栅极连接读字线，其源极连接读位线，其漏极连接节点n0；mn1的栅极连接节点q，其源极连接节点n0，其漏极连接第二写位线；mn2的栅极连接节点qb，其源极连接第一写位线，其漏极连接节点n0；mn3的栅极连接写字线，其源极连接节点qbt，其漏极连接节点n0。该低电压静态随机存储器单元，具有较高的稳定性，并且在进行存储器布局的时候，可以使用位交叉结构，不会造成“假读”问题。