公开(公告)号：CN104332500A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410448985.4

申请日：2014-09-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  黄芊芊 ,  吴春蕾 ,  王佳鑫 ,  朱昊 ,  王阳元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7835 ,  H01L29/401 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/66446 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种阻变栅隧穿场效应晶体管，包括一个控制栅层、一个栅介质层、一个半导体衬底、一个隧穿源区、一个低掺杂漏区和一个沟道区；控制栅采用栅叠层结构，依次为：底电极层、挥发性阻变材料层、顶电极层；挥发性阻变材料层为具有挥发性阻变特性的材料层；沟道区位于隧穿源区的上方，且位置与隧穿源区部分重叠，在沟道区与隧穿源区界面处形成隧穿结；低掺杂漏区位于控制栅的水平方向的另一侧，且与控制栅之间有水平间距；低掺杂漏区和隧穿源区掺有不同掺杂类型的杂质；半导体衬底和沟道区的掺杂类型和隧穿源区一致。该结构具有大的开态电流和陡直的亚阈值斜率，且工作在低偏压下，可满足低压低功耗逻辑器件和逻辑电路的应用需求。