公开(公告)号：CN106531681B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201510578208.6

申请日：2015-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  杨远程 ,  樊捷闻 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的间隙还是技术节点为亚45nm的高深宽比间隙，都具有优异的间隙填充能力，填充质量好，不会产生空洞和裂缝；填充速率快，且稳定可控；不存在HDP‑CVD对衬底的刻蚀损伤；对间隙的截面形貌没有依赖性；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。

公开(公告)号：CN106057664B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201610603257.5

申请日：2016-07-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  张昊 ,  杨远程 ,  黄如

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法。本发明采用在衬底上形成非晶硅薄膜层，然后在非晶硅薄膜层上刻蚀出纳米尺度细线条，最后进行退火处理，再结晶得到高质量低内部缺陷的柱状多晶硅；本发明再结晶后得到的多晶硅的晶粒尺寸显著提高，内部缺陷减少，结晶效果好；再结晶后得到的多晶硅，由于晶粒间界更少，方块电阻下降，载流子迁移率提高，对提高多晶硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的性能有积极效果；能够通过设计纳米尺度细线条的宽度来控制多晶硅的结晶大小，可控性和均匀性高；与体硅CMOS工艺完全相兼容，工艺简单，成本代价小，适用于三维集成。

公开(公告)号：CN106531681A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510578208.6

申请日：2015-09-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  杨远程 ,  樊捷闻 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/762 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种实现集成电路中半导体器件隔离的方法，该方法结合热氧化与淀积技术，先形成半导体器件的有源区；然后填充高深宽比间隙形成窄STI隔离；最后再填充低深宽比间隙形成宽STI隔离。本发明的优点如下：无论对于微米尺度的间隙还是技术节点为亚45nm的高深宽比间隙，都具有优异的间隙填充能力，填充质量好，不会产生空洞和裂缝；填充速率快，且稳定可控；不存在HDP-CVD对衬底的刻蚀损伤；对间隙的截面形貌没有依赖性；完全和体硅CMOS工艺相兼容，工艺简单，成本代价小。

公开(公告)号：CN106198466A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610444289.5

申请日：2016-06-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈龙 ,  张昊 ,  杨旭三 ,  王淼妍 ,  张奇伟 ,  高军涛 ,  席鹏

IPC: G01N21/64

CPC classification number: G01N21/6458 ,  G01N2201/06113

Abstract: 本发明涉及一种实现超分辨偶极子取向解析的方法，其步骤：设置一显微成像系统，其包括激光光源、半波片、准直透镜、二向色镜、物镜、反射镜、会聚透镜和EMCCD成像器件；考虑衍射、背景噪声、二向色镜对不同偏振极化光的分光差异校正以及EMCCD采集信号的泊松采样性质因素，对荧光偏振调制显微成像过程进行建模，得到超分辨强度信号；利用反解调之后单像素内信号的偏振调制性质，对超分辨强度信号进行最小二乘拟合，提取出单像素内的平均偶极子取向，实现了超衍射极限分辨率的信号；定义方向一致性因子OUF以评价经重建平均偶极子方向的有效性；通过两种超分辨信号的可视化方法，从角度分辨率的角度，增加区分不同分子的维度，实现对蛋白结构的认识更加精细。

公开(公告)号：CN106057664A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610603257.5

申请日：2016-07-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  陈珙 ,  张昊 ,  杨远程 ,  黄如

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法。本发明采用在衬底上形成非晶硅薄膜层，然后在非晶硅薄膜层上刻蚀出纳米尺度细线条，最后进行退火处理，再结晶得到高质量低内部缺陷的柱状多晶硅；本发明再结晶后得到的多晶硅的晶粒尺寸显著提高，内部缺陷减少，结晶效果好；再结晶后得到的多晶硅，由于晶粒间界更少，方块电阻下降，载流子迁移率提高，对提高多晶硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的性能有积极效果；能够通过设计纳米尺度细线条的宽度来控制多晶硅的结晶大小，可控性和均匀性高；与体硅CMOS工艺完全相兼容，工艺简单，成本代价小，适用于三维集成。

公开(公告)号：CN105374752A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510701681.9

申请日：2015-10-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  杨远程 ,  陈珙 ,  樊捷闻 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823885 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/401 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明公开了一种垂直纳米线晶体管的集成方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该方法结合图形化外延和侧壁替代栅以实现垂直纳米线晶体管集成，与现有的通过刻蚀形成垂直纳米线沟道的方法相比，能够精确地控制器件沟道的截面积大小和形貌，提高器件的特性的一致性；避免了现有方法中沟道形成过程中的刻蚀损伤，提高了器件的性能。

公开(公告)号：CN119418906A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411483905.9

申请日：2024-10-23

Applicant: 北京大学口腔医学院 ,  北京朗视仪器股份有限公司

Inventor： 毛伟玉 ,  雷杰 ,  傅开元 ,  方媛媛 ,  徐帆 ,  张昊 ,  吴宏新 ,  张文宇 ,  孙宇

IPC: G16H50/20 ,  G16H15/00 ,  G16H50/70

Abstract: 本申请公开了一种颞下颌关节紊乱病自动诊断方法、系统、设备、介质及产品，涉及医疗技术领域，该方法包括：获取患者的病史信息以及临床检查记录表信息；根据病史信息以及临床检查记录表信息诊断患者是否患有颞下颌关节紊乱病，并生成诊断报告。本申请能够对TMD病人作出自动诊断，为医生提供参考，有助于避免因为颞下颌关节问题而影响口腔治疗的问题。

公开(公告)号：CN111897118A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010596262.4

申请日：2020-06-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 席鹏 ,  张昊 ,  李美琪 ,  刘文辉 ,  戴琼海

IPC: G02B21/00 ,  G02B27/00

Abstract: 本发明公开了一种基于偏振结构光调制的多维层析荧光显微成像系统及方法。本发明对每个偏振调制方向的照明，都采集两张相位互补的正弦结构光照明图案，通过这两张正弦结构光照明图案的平均来获取均匀光照明图案，再将该均匀光照明图案与其中一张正弦结构光照明图案结合并利用HiLo算法即可求解出光学层析图像；只需要对这三张结构光图案平均同样可以得到均匀光照明图案，再与其中一张结构光照明图案结合即可利用HiLo算法求解出光学层析图案；本发明采取了探测端分光同时采集的方法，不需要增加额外的采集时间；本发明成像速度、较少光漂白等方面具有较大的优势。

公开(公告)号：CN104037159A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410275700.1

申请日：2014-06-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  杨远程 ,  樊捷闻 ,  宣浩然 ,  张昊 ,  黄如

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31055 ,  H01L29/045 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构，包括：一半导体衬底，多层超细硅线条，所述的多层超细硅线条的界面形状受衬底晶向和线条轴向晶向双重控制。形成方法包括：通过刻蚀工艺形成鱼鳍状硅岛Fin及其两端的源漏区；制备硅的腐蚀掩蔽层；形成多层超细硅线条。本发明的优点：最终形成的多层超细硅线条的位置与截面形状均匀、可控；对硅的各向异性腐蚀是自停止的，工艺窗口大，可在同一硅片上实现不同直径的硅线条；ICPECVD具有较强的窄槽填充能力，淀积牺牲层和腐蚀掩蔽层材料时无空洞；结合氧化技术可以制备尺寸小于10nm的线条，满足小尺寸器件关键工艺的要求；采用自上而下的加工方法，完全和体硅平面晶体管工艺兼容，工艺成本代价小。

公开(公告)号：CN115704800A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202110932436.4

申请日：2021-08-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 郭雪峰 ,  苏鼎凯 ,  莫凡洋 ,  张建宁 ,  叶乐 ,  张昊

IPC: G01N27/327

Abstract: 本发明实施例提供的一种病毒检测器件及制备方法和病毒检测方法，能够在金属‑氧化物半导体场效应管芯片层中的顶层金属材料层中的栅极金属上，直接修饰用于进行病毒检测的核酸探针或病毒抗体或病毒抗原，与现有的电化学生物传感器相比，无需引入电化学活性识别物作为标记物，并且能和当前主流的MOSFET加工工艺相兼容，为实现大规模的商业化生产奠定了深厚的基础。